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对于同一功能编号的各系列TTL集成电路，它们的引脚排列与逻辑功能完全相同。各集成电路的引脚图与逻辑功能完全一致，但它们在电路的速度和功耗方面存 在着明显的差别。CMOS集成电路的制造工艺比TTL集成电路的制造工艺简单，而且占用硅片面积也小，特别适合于制造大规模和超大规模集成电路。不允许在超过极限参数的条件下工作。电路在超过极限参数的条件下工 作，就可能工作不正常，且容 易引起损坏。TTL集成电路的电源电压允许变化范围比较窄，一般在4.5～5.5V之间，因此必须使用+5V稳 压电源；CMOS集成电路的工作电源电压范围比较宽，有较大的选择余地。数字集成电路可以用于数字信号混频器。北京哪里数字集成电路可靠

选择电源电压时，除首先考虑到 要避免超过极限电源电压外，还要注意到，电源电压的高低会影响电路的工作频率等性能。电源电压低， 电路工作频率会下降或增加传输延迟时间。例如CMOS触发器，当电源电压由+15V下降到十3V时，其 工作频率将从10MHz下降到几十千赫。电源电压的极性千万不能接反，电源正负极颠倒、接错，会因为过大电流而造成器件损坏。CMOS电路要求输人信号的幅度不能超过VDD～VSS，即满足VSS=V1=VDD。当 CMOS电路输入端施加的电 压过高（大于电源电压）或过低（小于0V），或者电源电压突然变化时，电路电流可能会迅速增大，烧坏器件，这种现象称为可控硅效应。吉林哪些企业数字集成电路比较好数字集成电路的制造需要进行掩膜制作和晶圆加工。

P－LCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)有时候是塑料QFJ的别称，有时候是QFN(塑料LCC)的别称(见QFJ和QFN)。部分LSI厂家用PLCC表示带引线封装，用P－LCC表示无引线封装，以示区别。QFH(quad flat high package)四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP的一种，为了防止封装本体断裂，QFP本体制作得较厚(见QFP)。部分半导体厂家采用的名称。QFI(quad flat I-leaded packgac)四侧I形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈I字。也称为MSP(见MSP)。

集成电路，英文为Integrated Circuit，缩写为IC；顾名思义，就是把一定数量的常用电子元件，如电阻、电容、晶体管等，以及这些元件之间的连线，通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的电路。是20世纪50年代后期到60年代发展起来的一种新型半导体器件。它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。其封装外壳有圆壳式、扁平式或双列直插式等多种形式。集成电路技术包括芯片制造技术与设计技术，主要体现在加工设备，加工工艺，封装测试，批量生产及设计创新的能力上。数字集成电路可以用于数字信号处理。

因此 ，多余输人端要根据实际需要做适当处理。例如，与门、与非门的多余输人端可直接接到电源上；也可将 不同的输人端公用一个电阻连接到电源上；或将多余的输人端并联使用。对于或门、或非门的多余输人端 应直接接地。多余的输出端应该悬空处理，决不允许直接接到VDD或VSS，否则会产生过大的短路电流而使器件 损坏 。不同逻辑功能的CMOS电路的输出端也不能直接连到一起，否则导通的P沟道MOS场效应管和导通的N沟道 MOS场效应管形成低阻通路，造成电源短路而引起器件损坏。除三态门、集电极开路门外，TTL集成电路的 输出端不允许并联使用。如果将几个集电极开路门电路的输出端并联，实现“线与”功能时，应在输出端 与电源之间接人上拉电阻。数字集成电路可以用于数字计数器。天津什么公司数字集成电路好

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引脚中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm等多种规格。0.65mm中心距规格中多引脚数为304。日本将引脚中心距小于0.65mm的QFP称为QFP(FP)。但2000年后日本电子机械工业会对QFP的外形规格进行了重新评价。在引脚中心距上不加区别，而是根据封装本体厚度分为QFP(2.0mm～3.6mm厚)、LQFP(1.4mm厚)和TQFP(1.0mm厚)三种。另外，有的LSI厂家把引脚中心距为0.5mm的QFP专门称为收缩型QFP或SQFP、VQFP。但有的厂家把引脚中心距为0.65mm及0.4mm的QFP也称为SQFP，至使名称稍有一些混乱。QFP的缺点是，当引脚中心距小于0.65mm时，引脚容易弯曲。北京哪里数字集成电路可靠