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江苏多功能高纯度金属材料

来源: 发布时间:2024年05月03日

碘化精炼法碘化精炼法的原理是在真空密闭容器中,碘在较低温度下与被提纯金属发生反应,生成挥发性碘化物,这些碘化物扩散到较高温度的母丝上离解成金属和碘,金属沉积在炽热母丝上,使母丝长大, 碘返回原料区继续与原料金属反应,碘起“搬运工” 作用,过程反复进行。碘化精炼法可以有效的除去不与碘反应的杂质,如金属中的氧化物、碳化物、氮化物等,与碘反应但不生成挥发性碘化物的杂质,以及与碘反应但高温下不分解的杂质。电子束熔炼法除上述熔盐电解和碘化精炼方法外,还可以采用电子束熔炼法提纯金属铪。电子束熔炼是在高真空下,利用高速电子束流轰击金属端面,高速电子束流的动能转换为热能使金属熔化,并通过调节功率 和熔炼速率使熔池保持较高的温度,在高温高压下使熔体充分发生脱气。如半导体材料中称9N以上为高纯,而难熔金属达6N己属超高纯。江苏多功能高纯度金属材料

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电感耦合等离子体原子发射光谱法(InduetivelyCoupledplasmaAtomieEmissionSepcotrmetyr,ICP-AES)是根据不同元素的原子或离子在热激发或电激发下发射特征电磁辐射进行元素定性或定量检测的方法。随着ICP(电感祸合等离子体)光源技术的发展,ICP-AES己成为痕量元素分析检测***的手段之一,目前己广泛应用于半导体工业、新材料、高纯试剂、医学检测等众多行业中,在高纯金属分析检测领域也有着广泛的应用。ICP-AES法具有以下优点:(1) ICP-AES法可同时测定多个元素;(2) ICP-AES法测量的线性范围可达5-6个数量级,可以同时完成样品中常量、微量以及痕量杂质的测定;(3) ICP-AES法稳定性和测量精度良好,其分析精度可与湿式化学法媲美,且检出限较低,大多数元素的检出限可低于1mg/L;(4) ICP-AES法分析测试成本较低。江苏多功能高纯度金属材料想知道与贵司合作的流程。

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ICP-AES的不足之处在于:(1) ICP-AES法的光谱干扰较严重,谱线与谱图也较为复杂;(2) ICP-AES法的检出限还不够低,不能完全满足4N及其以上高纯金属的分析测试需要;(3)ICP-AES法采用液体溶样进样方式,容易带入污染;(4) ICP-AES法的基体干扰较严重,特别是许多高纯样品的分析测试需要分离基体,使得整个分析测试过程较为繁琐。虽然ICP-AES法直接检测较高纯度的高纯金属中痕量杂质元素目前还有一定困难,但其仍然是高纯金属杂质元素测定**常用的方法之一。目前通过将微柱分离、电热蒸发(ETV)、超声雾化等技术与ICP-AES联用,能满足部分高纯样品的分析测试需要

金属的纯度是相对于杂质而言的,广义上杂质包括化学杂质(元素)和物理杂质(晶体缺陷)。物理杂质主要是指位错及空位等,而化学杂质是指基体以外的原子以代位或填隙等形式掺入。但只有当金属纯度达到很高的标准时(如纯度9N以上的金属),物理杂质的概念才是有意义的,所以生产上一般以化学杂质的含量作为评价金属纯度的标准,即以主金属减去杂质总含量的百分数表示,常用N(nine的***个字母)**,如99.9999%写为6N,99.99999%写为7N。目前高纯金属纯度的表示方式主要有两种:一种是以材料的用途来表示,如“光谱纯”、“电子级纯”等;另一种是以某种特征来表示,例如半导体材料用载流子浓度,即1立方厘米的基体元素中起导电作用的杂质个数来表示,而金属主要用剩余电阻率RRR和纯度级R表示纯度。化合物为由二种或二种以上不同元素所组成的纯净物。

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中子活化分析法中子活化分析(NAA)的灵敏度高,准确度好,污染少,适用于高纯金属、地质样品、宇宙物质液体、固体等各类样品中超痕量金属的测定。特别是NAA的无损分析特性消除了多数其它痕量分析方法中可能破坏溯源链的**危险的环节一样品制备和溶解过程中可能带来的待测元素的污染或丢失。由于活化之后的放化操作可以加入载体和反载体以克服“**浓”行为和无需定量分离,因此由样品处理引起的污染和丢失危险远远低于其它方法。在约10n·cm·s的通量下,NAA从可测定周期表中的绝大多数元素,测定范围为1010g/g。NAA是目前***能够同时测定Cl、Br、I的***方法。为克服基体效应,进行预富集与方法分离对于NAA法也是非常必要的。纯度很高、 所含杂质常以百万分之几计算的金属。建邺区标准高纯度金属材料

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随着材料加工技术水平的提高,金属的纯度在不断提高,但要制备***纯的金属是不可能的。所谓的“高纯”和“超纯”具有相对的含义,是指技术上达到的标准。由于科学技术的发展,也使得“高纯”和“超纯”的标准在不断升级。例如过去高纯金属的杂质为ppm级(即百万分之几),超纯半导体材料的杂质为ppb级(十亿分之几),而现在己经逐步发展到以ppb级(十亿分之几)和ppt级(一万亿分之几)来表示。同时各个金属的提纯难度不尽相同,如半导体材料中称9N以上为高纯,而难熔金属达6N己属超高纯江苏多功能高纯度金属材料

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