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青浦区推广高纯度金属材料

来源: 发布时间:2024年05月15日

铪具有熔点高、热中子截面高、高温耐腐蚀和抗氧化性好等优点,可应用于核反应堆控制棒材料、喷气式发动机和导弹上的结构材料,也可用来制造阀门、 喷管和其它耐高温零件;铪粉还可用作火箭推进剂,因此,金属铪,特别是高纯铪目前已引起国内外科技工作者的***关注,并进行了大量的研究。国内外高纯金属铪的制备方法主要有熔盐电解、碘化精炼、电子束熔炼和电子束悬浮区熔炼等。熔盐电解精炼法熔盐电解提纯金属铪,通常将海绵铪、镁还原或钙还原得到的金属铪烧结压块作为阳极,以不锈钢、钼或铂等为阴极,电解质通常为氯化物体系或氯化物一氟化物体系。熔盐电解精炼铪的原理是,在直流电作用下使电性正于铪的元素留在阳极中(如 铁、镍、钼、在高纯属生产过程中需要控制的主要杂质包括:碱金属、碱土金属、过渡族金属、放射性金属(U、Th)等。青浦区推广高纯度金属材料

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高纯金属材料的纯度一般使用差减法计算。差减法计算的杂质元索主要是金属杂质元素,并不包括C、O、N、H等间隙元索。但事实上,间隙元素的含量也是高纯金属材料分析检测的重要指标,一般需要单独列出。所以通常几个“9”(N的高纯金属,并不能真正地表达纯度,只有提供杂质元素和间隙元素的种类及其含量才能明确表达高纯金属的纯度水平。在高纯属生产过程中需要控制的主要杂质包括:碱金属、碱土金属、过渡族金属、放射性金属(U、Th)等。高纯金属材料化学分析是从高纯金属材料中获取化学组成、存在形态和信息的技术,为工业科技和生产服务,也是衡量工业科技和生产水平的重要标志。所以高纯金属的纯度检测应当以实际应用需要作为主要标准。例如目前工业电解钻的纯度一般接近99.99%,而且检测的杂质元素种类较少。闵行区多功能高纯度金属材料请问什么叫做高纯度金属材料。

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对贵金属而言,用中子活化分析灵敏度比较高的是Ir、Au和Rh。该方法的检出限很低,可以和CIP-MS法媲美。用试金一中子活化和ICP-MS分析地质样品中铂族元素,发现用中子活化分析Ir的检出限高十倍,其余的比IC-MS低,两种方法可以互补。但是核辐射对人体有害,且需要小型反应堆,设备受到地域限制,使用难以普及。原子发射光谱法原子发射光谱法(AES)是测定高纯金属或半导体材料中痕量杂质的主要分析方法之一,常采用预富集与AES测定联用技术。这种联用技术既保持了AES同时检测多元素的特点,又克服了基体效应和复杂组分的干扰,也便于引进行利于痕量元素激发的缓冲剂,从而提高了检测灵敏度。

但是由于ICP-MS主要采用溶液进样,容易引入外界污染,液体进样带来的基体干扰也比较严重,空白值较高,前处理时间较长,样品的整个分析速度难以完全令人满意。采用一些分离富集手段和一些前处理方式,能够更好地使其满足高纯金属样品的分析测试需求。如激光烧蚀样品技术(LA)与ICP-MS的联用能够**减少了样品前处理的时间。然而,由于缺少相应的固样标准样品,该法的精密度和准确度还有待于进一步的提高,目前多用于快速分析或成分简单、分布均一的样品。通过与离子色谱(IC)联用分离高纯金属基体,并采用膜去溶装置吹扫溶剂蒸汽,能够有效降低相关杂质元素的检出限。此外,使用流动注射进样(FI)能够克服ICP-MS要求可溶性固体(TDS)含量低的缺点,还能克服基体效应,是一种非常好的分析测试手段。无机化合物:无机化合物为不含碳氢化合物。

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金属的纯度是相对于杂质而言的,广义上杂质包括化学杂质(元素)和物理杂质(晶体缺陷)。物理杂质主要是指位错及空位等,而化学杂质是指基体以外的原子以代位或填隙等形式掺入。但只有当金属纯度达到很高的标准时(如纯度9N以上的金属),物理杂质的概念才是有意义的,所以生产上一般以化学杂质的含量作为评价金属纯度的标准,即以主金属减去杂质总含量的百分数表示,常用N(nine的***个字母)**,如99.9999%写为6N,99.99999%写为7N。目前高纯金属纯度的表示方式主要有两种:一种是以材料的用途来表示,如“光谱纯”、“电子级纯”等;另一种是以某种特征来表示,例如半导体材料用载流子浓度,即1立方厘米的基体元素中起导电作用的杂质个数来表示,而金属主要用剩余电阻率RRR和纯度级R表示纯度。当金属纯度提高以后,也能进一步明确杂质对金属性能的影响。青浦区推广高纯度金属材料

像氯化氢这样以共用电子对形成分子的化合物,叫共价化合物。青浦区推广高纯度金属材料

随着材料加工技术水平的提高,金属的纯度在不断提高,但要制备***纯的金属是不可能的。所谓的“高纯”和“超纯”具有相对的含义,是指技术上达到的标准。由于科学技术的发展,也使得“高纯”和“超纯”的标准在不断升级。例如过去高纯金属的杂质为ppm级(即百万分之几),超纯半导体材料的杂质为ppb级(十亿分之几),而现在己经逐步发展到以ppb级(十亿分之几)和ppt级(一万亿分之几)来表示。同时各个金属的提纯难度不尽相同,如半导体材料中称9N以上为高纯,而难熔金属达6N己属超高纯青浦区推广高纯度金属材料

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