江宁区出口高纯度金属材料

中子活化分析法中子活化分析（NAA）的灵敏度高，准确度好，污染少，适用于高纯金属、地质样品、宇宙物质液体、固体等各类样品中超痕量金属的测定。特别是NAA的无损分析特性消除了多数其它痕量分析方法中可能破坏溯源链的**危险的环节一样品制备和溶解过程中可能带来的待测元素的污染或丢失。由于活化之后的放化操作可以加入载体和反载体以克服“**浓”行为和无需定量分离，因此由样品处理引起的污染和丢失危险远远低于其它方法。在约10n·cm·s的通量下，NAA从可测定周期表中的绝大多数元素，测定范围为1010g/g。NAA是目前***能够同时测定Cl、Br、I的***方法。为克服基体效应，进行预富集与方法分离对于NAA法也是非常必要的。还有薄膜材料、光电材料等材料。江宁区出口高纯度金属材料

对贵金属而言，用中子活化分析灵敏度比较高的是Ir、Au和Rh。该方法的检出限很低，可以和CIP-MS法媲美。用试金一中子活化和ICP-MS分析地质样品中铂族元素，发现用中子活化分析Ir的检出限高十倍，其余的比IC-MS低，两种方法可以互补。但是核辐射对人体有害，且需要小型反应堆，设备受到地域限制，使用难以普及。原子发射光谱法原子发射光谱法(AES)是测定高纯金属或半导体材料中痕量杂质的主要分析方法之一，常采用预富集与AES测定联用技术。这种联用技术既保持了AES同时检测多元素的特点，又克服了基体效应和复杂组分的干扰，也便于引进行利于痕量元素激发的缓冲剂，从而提高了检测灵敏度。松江区多功能高纯度金属材料纯度很高、 所含杂质常以百万分之几计算的金属。

ICP-AES的不足之处在于：(1) ICP-AES法的光谱干扰较严重,谱线与谱图也较为复杂；(2) ICP-AES法的检出限还不够低，不能完全满足4N及其以上高纯金属的分析测试需要；(3)ICP-AES法采用液体溶样进样方式，容易带入污染；(4) ICP-AES法的基体干扰较严重，特别是许多高纯样品的分析测试需要分离基体，使得整个分析测试过程较为繁琐。虽然ICP-AES法直接检测较高纯度的高纯金属中痕量杂质元素目前还有一定困难，但其仍然是高纯金属杂质元素测定**常用的方法之一。目前通过将微柱分离、电热蒸发(ETV)、超声雾化等技术与ICP-AES联用，能满足部分高纯样品的分析测试需要

除杂反应，**终冷凝成纯度较高金属锭的一种真空熔炼方法。电子束熔炼能有效地去除难熔金属中的低沸点、高饱和蒸汽压 杂质，以及C，N，O等气体杂质。同时，铸锭按自下而上顺序凝固也能有效地促使非金属间隙杂质的上浮，而且电子束可控性好，可以保证熔池温度均匀， 精确控制熔体化学成分，得到表面质量和结晶组织优良的金属锭。另外，电子束熔炼对原材料的形状没有限制不仅能熔化棒料还可以熔化块状屑状或粉末状的原料。然而，当金属中杂质含量较高时，其除杂效果受限，且存在耗电量大，成本高的问题。宇航、无线电科技等的发展，对金属纯度要求越来越高。

金属的纯度是相对于杂质而言的，广义上杂质包括化学杂质(元素)和物理杂质(晶体缺陷)。物理杂质主要是指位错及空位等，而化学杂质是指基体以外的原子以代位或填隙等形式掺入。但只有当金属纯度达到很高的标准时(如纯度9N以上的金属)，物理杂质的概念才是有意义的，所以生产上一般以化学杂质的含量作为评价金属纯度的标准，即以主金属减去杂质总含量的百分数表示，常用N(nine的***个字母)**，如99.9999%写为6N，99.99999%写为7N。目前高纯金属纯度的表示方式主要有两种：一种是以材料的用途来表示，如“光谱纯”、“电子级纯”等；另一种是以某种特征来表示，例如半导体材料用载流子浓度，即1立方厘米的基体元素中起导电作用的杂质个数来表示，而金属主要用剩余电阻率RRR和纯度级R表示纯度。公司目前还在招聘相关的技术人员。福建什么是高纯度金属材料

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碘化精炼法碘化精炼法的原理是在真空密闭容器中，碘在较低温度下与被提纯金属发生反应，生成挥发性碘化物，这些碘化物扩散到较高温度的母丝上离解成金属和碘，金属沉积在炽热母丝上，使母丝长大， 碘返回原料区继续与原料金属反应，碘起“搬运工” 作用，过程反复进行。碘化精炼法可以有效的除去不与碘反应的杂质，如金属中的氧化物、碳化物、氮化物等，与碘反应但不生成挥发性碘化物的杂质，以及与碘反应但高温下不分解的杂质。电子束熔炼法除上述熔盐电解和碘化精炼方法外，还可以采用电子束熔炼法提纯金属铪。电子束熔炼是在高真空下，利用高速电子束流轰击金属端面，高速电子束流的动能转换为热能使金属熔化，并通过调节功率 和熔炼速率使熔池保持较高的温度，在高温高压下使熔体充分发生脱气。江宁区出口高纯度金属材料

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