TOPConSE设备提高了生产效率和电池性能，为大规模制造提供有力支持。其采用硼硅玻璃作为掺杂源，通过一系列工艺步骤实现在硅片上形成高硼掺杂的P++层。这一过程确保了硼掺杂的准确性和均匀性，进而提升了电池性能和稳定性。在形成P++层后，设备采用不进行常规氧化的策略，而是依赖P++层作为激光掺杂源。这一创新决策不仅简化了工艺流程，还显著提高了生产效率。通过使用激光技术对硅片进行掺杂和选择性氧化，TOPConSE设备实现了高效、精确的硼原子掺入硅基体中。同时，激光选择性地对特定区域进行氧化，形成关键的隧穿氧化层和多晶硅层。这一重要技术使TOPCon太阳能电池具备更高的光电转换效率和稳定性。总之，TOPConSE设备的创新工艺为高效、大规模生产TOPCon太阳能电池提供了有力支持，推动了光伏技术的进一步发展。适应市场需求：随着光伏行业的快速发展，TOPCon技术大幅提升电池转换效率，满足市场对高效电池的迫切需求。上海激光直掺光伏销售厂家
伺服电机驱动与抓取技术
伺服电机驱动：模组使用伺服电机驱动，能够快速、准确地来回移动，满足高产能需求。
伯努利吸盘：抓取吸盘采用伯努利吸盘，这种吸盘能有效降低碎片率和减少硅片污染。它与工件的接触小而轻柔，抓取动作更迅速。
系统特性与输送系统
花篮上下料：系统设计用于花篮的上下料，能满足AGV双通道同步上/下料的需求，减少对接需求和机台数量。
多线单独加工：多线之间可实现单独激光加工，某一通道出现异常时，不影响其他升降皮带模组工位的激光运行。
输送系统：由电机驱动同步带输送花篮，上下料区布局为5×2+1+1。
与AGV对接参数
双侧双轨对接：采用单侧双层双轨对接方式，可同时进料10个花篮和出料10个花篮。 江苏TOPCon太阳能光伏设备厂家通过 TOPCon SE 设备，优化光生载流子收集效率，降低衰减率。
模组在生产过程中的高效率、灵活性和清洁度，同时也展现了其在与AGV对接时的便捷性和高效性。在提高TOPCon电池的转换效率方面，TOPConSE设备采用了多种创新技术和方法：
1）TOPConSE设备采用了先进的表面处理技术，能够有效减少光反射和光衰减，提高电池的吸光性能。这种表面处理技术采用了纳米结构设计和光学涂层技术，通过在电池表面形成微纳结构，实现光的散射和干涉效应，从而提高了光的捕获效率和吸光性能。
2）TOPConSE设备通过精确控制硼扩散工艺参数，优化了电池的结晶质量和表面结构，进一步提高了TOPCon电池的光电性能。硼扩散是TOPCon电池制造过程中的关键环节，它决定了电池的性能和稳定性。TOPConSE设备采用先进的硼扩散技术和工艺参数控制方法，实现了精确的硼浓度分布和均匀的晶体生长。这不仅提高了TOPCon电池的结晶质量，还优化了表面结构和载流子分布，从而提高了光电性能和稳定性。
3）TOPConSE设备还采用了先进的钝化技术，进一步提高了TOPCon电池的性能和稳定性。钝化技术是抑制载流子复合的关键技术之一，TOPConSE设备通过在电池表面形成有效的钝化膜层，有效抑制了载流子的复合过程，降低了电流的损失。这不仅提高了TOPCon电池的光电转换效率，还增强了电池的抗老化性能和稳定性。
设备特点
整机采用工业PC控制、模块化柔性化编程设计。
采用同边进出花篮，空花篮内部自循环。
设备实现单轨上/下料，操作方便。
设备空间布局紧凑合理，占地面积小。
满足AGV双通道同步上/下料，减少AGV对接需求及机台数量。
设备可实现多线单独激光加工，单通道异常时，不影响其他升降皮带模组工位的运行。
双通道上料，可以满足多激光的加工时间，合理地实现双线同时加工。
设备具有破片自动识别和激光能量离线检测功能。
整个加工过程中，硅片自动传输。 创新技术，高性能：TOPCon SE 设备的主要优势。
不进行氧化：在形成P++层之后，通常需要进行氧化工艺以保护硅片表面。但是，在TOPConSE设备中，选择不进行氧化操作，而是依赖P++层作为激光掺杂源。这一决策简化了工艺流程并提高了生产效率。激光掺杂和氧化工艺：在形成P++层之后，TOPConSE设备使用激光技术对硅片进行掺杂和选择性氧化。激光能量触发P++层中的硼原子，使其能够有效地掺入硅基体中。同时，激光还可以选择性地对特定区域进行氧化，形成隧穿氧化层和多晶硅层，这是TOPCon太阳能电池的重要结构。解决硼掺浓度问题并简化选择发射极的制备工艺：通过使用BSG作为掺杂源和调整工艺参数。设备采用单侧上下料，对接一个自动上下料系统。湖北激光直掺光伏机
凭借 TOPCon SE 设备，企业可降低生产成本，提高经济效益。上海激光直掺光伏销售厂家
硼硅玻璃（BSG）作为掺杂源：硼硅玻璃是一种含有高浓度硼的玻璃材料，它可以作为TOPCon太阳能电池的掺杂源。使用BSG作为掺杂源可以确保硼掺杂的准确性和均匀性，从而提高电池的性能和稳定性。通过扩散炉推进高硼表面浓度的P++层：在TOPConSE设备的工艺流程中，首先使用扩散炉将硼硅玻璃中的硼元素扩散到硅片表面，形成高硼掺杂的P++层。它决定了硼掺杂浓度和分布。不进行氧化：在形成P++层之后，通常需要进行氧化工艺以保护硅片表面。但是，在TOPConSE设备中，选择不进行氧化操作，而是依赖P++层作为激光掺杂源。这一决策简化了工艺流程并提高了生产效率。上海激光直掺光伏销售厂家