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中文资料WILLSEMI韦尔ESD53101N

来源: 发布时间:2024年05月03日

WS3202E:过压和过流保护IC

产品描述:

WS3202E是一款集过压保护(OVP)和过流保护(OCP)功能于一体的保护设备。当输入电压或输入电流超过阈值时,该设备会关闭内部MOSFET,断开IN到OUT的连接,以保护负载。此外,过温保护(OTP)功能会监控芯片温度,确保设备安全。封装形式:SOT-23-6L

产品特性:

· 高压技术

· 输入电压:25V

· 输出上电时间:8ms(典型值)

· OVP阈值:6.1V(典型值)

· OVP响应时间:<1us

· OCP阈值:2A(最小值)

· 输出放电功能

应用领域:

· GPS设备

· PMP(便携式媒体播放器)

· MID(移动互联网设备)

· PAD(平板电脑)

· 数码相机

· 数字摄像机

     WS3202E是一款功能强大的过压和过流保护IC,为电子设备提供了双重安全保障。其高压技术、快速响应时间和灵活的输出放电功能使其在各种应用场合中表现出色,特别适用于需要高稳定性和可靠性的电子设备,如GPS、PMP、MID、PAD以及数码相机和摄像机等。WS3202E采用SOT-23-6L封装,方便集成到各种电路板中,同时其无铅和无卤素特性也符合环保要求。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WUSB3801Q-12/TR USB芯片 封装:QFN1616-12L(1.6x1.6)。中文资料WILLSEMI韦尔ESD53101N

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    ESD5641DXX是一款专为保护电源接口设计的瞬态电压抑制器。它非常适合用于替代便携式电子产品中的多个离散组件。ESD5641DXX特别为USB端口设计,采用了具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。封装与环保:ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品为无铅和无卤素。

技术特性:

· 反向截止电压:7.5V~15V

· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护8/20μs

· 根据IEC61643-321标准的浪涌保护10/1000μs

· 低钳位电压

· 固态硅技术

应用领域:

· 电源保护

· 电源管理

    ESD5641DXX瞬态电压抑制器以其出色的浪涌保护能力和低钳位电压,为电源接口提供了可靠的防护。特别适合用于USB端口保护,其紧凑的封装和环保特性使其成为便携式电子产品的理想选择。无论是在电源保护还是电源管理方面,ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WMM7037ABEN0-6/TRWL2810D33-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装:XDFN-4-EP(1x1)。

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ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器

产品描述:

     ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器(TVS)阵列,专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受静电放电(ESD)引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD73034D可用于提供高达±10kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。

产品特性:

· 截止电压:±3.3VMax

· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路瞬态保护:±10kV(接触放电)

· 根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:40A(5/50ns)

· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:5.5A(8/20μs)

· 极低电容:CJ=0.2pFtyp

· 低漏电流低箝位电压:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

应用领域:

· USB3.0和USB3.1

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

      ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,保护敏感元件免受静电放电损害。适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备。紧凑、环保。详情查阅数据手册或联系我们。

     SD5302F是一款专为保护高速数据接口设计的极低电容TVS(瞬态电压抑制器)阵列。它特别设计用于保护连接到数据线和传输线的敏感电子组件免受ESD(静电放电)引起的过应力影响。ESD5302F结合了两对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可用于提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5302F采用SOT-23封装。标准产品为无铅和无卤素。

主要特性:

· 截止电压:5V

· 每条线路均符合IEC61000-4-2(ESD)标准的瞬态保护:±20kV(接触和空气放电)

· 符合IEC61000-4-4(EFT)标准的瞬态保护:40A(5/50ns)

· 符合IEC61000-4-5(浪涌)标准的瞬态保护:4A(8/20μs)

· 极低电容:CJ=0.4pF(典型值)

· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位电压:VCL=20V@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

应用领域:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

      ESD5302F保护高速数据接口免受静电放电等损害,确保信号完整性,承受力强。适合紧凑设备,环保。是高速数据接口的理想保护组件。详情查阅手册或联系我们。 ESD5471X-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:FBP-02C。

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    WS4665是一个单通道负载开关,提供可配置的上升时间以极小化涌流。该设备包含一个N型MOSFET,可以在0.8V至5.5V的输入电压范围内工作,并支持连续电流上线为6A。开关由开/关输入(ON)控制,该输入能够直接与低电压控制信号接口。在WS4665中,增加了一个230Ω的片上负载电阻,用于在开关关闭时进行快速输出放电。WS4665采用小型、节省空间的2.00mmx2.00mm8引脚DFN封装。标准产品为无铅且无卤素。

主要特性:

· 集成单通道负载开关

· 输入电压范围:0.8V至5.5V

· 极低导通电阻(RON)RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)

· 连续开关上限电流为6A

· 低控制输入阈值,支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V逻辑

· 可配置的上升时间

· 快速输出放电(QOD)

· ESD性能经过JESD22测试2000VHBM和1000VCDM


应用领域:

· 超极本TM

· 笔记本电脑/上网本

· 平板电脑

· 消费电子产品

· 机顶盒/住宅网关

· 电信系统

    WS4665适用于多种应用场合,如超极本、笔记本电脑/上网本、平板电脑、消费电子产品、机顶盒/住宅网关以及电信系统等。如需更多信息或技术规格,请查阅相关数据手册或与我们联系。 WL2836D11-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装:DFN1x1-4L。规格书WILLSEMI韦尔WL2862K

ESD5Z3V3-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOD-523。中文资料WILLSEMI韦尔ESD53101N

      WPM1483是一个单P沟道、-12V、-5A的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用了先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1483为无铅、无卤素。

特性:

沟槽技术

超高密度单元设计

优异的ON电阻,适用于更高的直流电流

极低的阈值电压

小型SOT-23封装

应用:

继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器

DC-DC转换器电路

电源开关

负载开关

充电应用

    WPM1483是一款P沟道功率MOSFET,采用先进沟槽技术,具有低RDS(ON)和低栅极电荷,适用于高效、高可靠性电力管理应用。可承受-5A直流电流,极低阈值电压降低功耗。小型SOT-23封装,无铅无卤素,环保且易于集成。适用于DC-DC转换、电源开关,驱动继电器、电机等应用。详情查阅手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔ESD53101N