WPM1483是一个单P沟道、-12V、-5A的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用了先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1483为无铅、无卤素。 特性： 沟槽技术 超高密度单元设计 优异的ON电阻，适用于更高的直流电流 极低的阈值电压 小型SOT-23封装 应用： 继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器 DC-DC转换器电路 电源开关 负载开关 充电应用 WPM1483是一款P沟道功...

ESD9X5VU是一种单向瞬态电压抑制器（TVS），专为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子组件提供高水平的保护。它被设计用于替代多层变阻器（MLV），并广泛应用于消费设备，如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、LCD电视等。 特性： · 极低电容：CJ=0.5pFtyp · 极低漏电流：IR<1nAtyp · 低箝位电压：VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP) · 固态硅技术 · 根据IEC61000-4-2标准，每条线提供±20kV（接触和空气放电）的瞬态保护 · 根据IEC61000-4-4标准，提供40A（5/50ns）的...

WL2803E系列是一款极低压差、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，其压差电压典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，这使得它对于要求高输出电流的消费者、网络应用具有吸引力。WL2803E系列提供了从1.2V到3.3V的宽输出电压范围版本，步长为0.1V。WL2803E系列提供了过热保护（OTP）和电流限制功能，以确保芯片和电源系统在错误条件下的稳定性，并采用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。WL2803E稳压器采用SOT-23-5L封装，为标准无铅且无...

WPM3407是一款使用先进沟槽技术制成的器件，其特点是在低门极电荷下提供出色的RDS(ON)。这种器件非常适合用于DC-DC转换应用。 特点： RDS(ON)出色：RDS(ON)是指器件在导通状态下的电阻，3407通过先进的沟槽技术实现了低RDS(ON)，这意味着在器件导通时，其电阻较小，从而减小了能量损失。低门极电荷：门极电荷是描述开关器件从关闭到打开或从打开到关闭所需电荷量的参数。3407的低门极电荷可以更快地开关，从而减少开关损耗。无铅：符合环保要求，适用于对无铅产品有需求的场合。 应用： 笔记本电脑的电源管理：3407可以用于笔记本...

WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升压转换器 产品描述： WD3133是一款高效率、高功率的峰值电流模式升压转换器。内部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET，至小电流限制为1A。对于使用锂离子电池的便携式设备，WD3133可以从3.3V~5V的输入电压输出典型的12V/200mA~300mA。这款升压转换器WD3133采用脉冲宽度调制（PWM）模式，固定开关频率为1.2MHz，以减少输出纹波并提高转换效率。它还允许使用小型外部组件。在轻负载电流下，转换器进入跳过模式，以在绝大部分的负载电流范围内保持高效率。内置的软启动电路可以至小化启动时的涌入电流。WD3...

ESD5431N是一款双向瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性：DFN1006-2L封装：紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素：符合环保要求，适用于对无铅和无卤素有需求的场合。 特性： · 截止电压：±3.3V · 根据IEC61000-4-2标准，提供±30kV（接触放电）的ESD保护 · 根据IEC61000-4-4标准，提供40A（5/50ns）的EFT保护 · 根据IEC61000-4-5标准，提供1...

WS3202E：过压和过流保护IC 产品描述： WS3202E是一款集过压保护（OVP）和过流保护（OCP）功能于一体的保护设备。当输入电压或输入电流超过阈值时，该设备会关闭内部MOSFET，断开IN到OUT的连接，以保护负载。此外，过温保护（OTP）功能会监控芯片温度，确保设备安全。封装形式：SOT-23-6L 产品特性： · 高压技术 · 输入电压：25V · 输出上电时间：8ms（典型值） · OVP阈值：6.1V（典型值） · OVP响应时间：<1us · OCP阈值：2A（最小值） · 输出放电功能 应用领域： ...

WNM6002是一种N型增强型MOS场效应晶体管，利用先进的沟槽和电荷控制设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于电源开关、负载开关和充电电路。标准产品WNM6002为无铅且不含卤素。小型SOT-323封装。 主要特性： · 沟槽技术 · 超高密度单元设计 · 适用于高直流电流的优异导通电阻 · 极低的阈值电压 应用领域： · 继电器、电磁铁、电机、LED等的驱动 · DC-DC转换器电路 · 电源开关 · 负载开关 · 充电电路 WNM6002N型增强型MOS场效应晶体管是一种高性...

WNM6002是一种N型增强型MOS场效应晶体管，利用先进的沟槽和电荷控制设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于电源开关、负载开关和充电电路。标准产品WNM6002为无铅且不含卤素。小型SOT-323封装。 主要特性： · 沟槽技术 · 超高密度单元设计 · 适用于高直流电流的优异导通电阻 · 极低的阈值电压 应用领域： · 继电器、电磁铁、电机、LED等的驱动 · DC-DC转换器电路 · 电源开关 · 负载开关 · 充电电路 WNM6002N型增强型MOS场效应晶体管是一种高性...

RB521C30：肖特基势垒二极管 · 重复峰值反向电压 VRM 30 V · 直流反向电压 VR 30 V · 平均整流正向电流 IO 100 mA 产品特性： 100mA平均整流正向电流：RB521C30具有出色的电流处理能力，能够处理高达100mA的平均整流正向电流，使其在需要稳定电流处理的电路中表现出色。 低正向电压：肖特基势垒二极管以其低正向电压为特点，这意味着在正向偏置条件下，它需要的电压较低，从而降低了功耗。 低漏电流：RB521C30的漏电流非常低，这有助于在关闭或待机状态下减少不必要的功耗。 ...

WS72551和WS72552系列放大器具有极低的偏移、漂移和偏置电流。其中，WS72551是单放大器，WS72552是双放大器，分别具有轨到轨的输入和输出摆动。所有放大器都保证在2.5V至5V的单电源下工作。72551/72552提供了之前只在昂贵的自动调零或斩波稳定放大器中才能找到的优势。这些新型零漂移放大器结合了低成本和高精度，并且不需要外部电容器。规格72551/72552适用于扩展的工业/汽车温度范围（-40°C至+125°C）。封装72551：MSOP-8 SOIC8和SOT23-5L。72552：MSOP-8 SOIC8。 技术特性：偏移电压只有3μ...

ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器 产品描述： ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器（TVS）阵列，专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件，免受静电放电（ESD）引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD73034D可用于提供高达±10kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤...

RB521C30：肖特基势垒二极管 · 重复峰值反向电压 VRM 30 V · 直流反向电压 VR 30 V · 平均整流正向电流 IO 100 mA 产品特性： 100mA平均整流正向电流：RB521C30具有出色的电流处理能力，能够处理高达100mA的平均整流正向电流，使其在需要稳定电流处理的电路中表现出色。 低正向电压：肖特基势垒二极管以其低正向电压为特点，这意味着在正向偏置条件下，它需要的电压较低，从而降低了功耗。 低漏电流：RB521C30的漏电流非常低，这有助于在关闭或待机状态下减少不必要的功耗。 ...

ESD5301N：低电容单线单向瞬态电压抑制器 产品描述： ESD5301N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，免受由静电放电（ESD）引起的过度应力影响。 包含一对低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。 采用DFN1006-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。 产品特性： ...

WD3139：高效38V升压型白色LED驱动器 产品描述 WD3139是一款恒定电流、高效率的LED驱动器。其内部MOSFET可以驱动高达10个串联的白色LED，电流限制为1.2A，过压保护为38V。可以将脉冲宽度调制（PWM）信号应用于EN引脚以实现LED调光。该设备以1MHz的固定开关频率运行，以减少输出纹波、提高转换效率，并允许使用小型外部组件。 封装与环保信息：WD3139采用TSOT-23-6L封装，标准产品为无铅和无卤素。 产品特性： 输入电压范围：2.7~5.5V 开路LED保护：38V（典型值） 参考电压：200mV...

ESD5304D是一个专为保护连接到数据和传输线的敏感电子组件免受静电放电（ESD）引起的过应力而设计的极低电容瞬态电压抑制器（TVS）阵列。它结合了四对极低电容转向二极管和一个TVS二极管，旨在提供优异的ESD保护。 特性： · 截止电压：5V · 根据IEC61000-4-2标准的每线瞬态保护：±20kV（接触放电） · 根据IEC61000-4-4标准的EFT保护：40A（5/50ns） · 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护：4A（8/20μs） · 极低电容：CJ=0.4pF（典型值） · 极低漏电流：IR<1nA（典型值...

ESD5431N是一款双向瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性：DFN1006-2L封装：紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素：符合环保要求，适用于对无铅和无卤素有需求的场合。 特性： · 截止电压：±3.3V · 根据IEC61000-4-2标准，提供±30kV（接触放电）的ESD保护 · 根据IEC61000-4-4标准，提供40A（5/50ns）的EFT保护 · 根据IEC61000-4-5标准，提供1...

WL2811EA系列是一款高精度、低噪声、高速、高电源抑制比（PSRR）、低压降的CMOS线性稳压器，具有出色的纹波抑制能力。该系列为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了具有成本效益的新一代性能。所有标准产品均不含铅和卤素，符合环保要求。 特点与优势： · 输出电流折返 · 宽输入电压范围：2V至5.5V · 可调输出电压：0.8V至5V · 输出电流：300mA · 低功耗：静态电流典型值为75μA，关机电流小于1μA · 低压降：在输出电流为0.3A时，压降为141mV。 · 电源抑制比：在1kHz、输出电压为3V时，PSRR高...

WL2803E系列是一款极低压差、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，其压差电压典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，这使得它对于要求高输出电流的消费者、网络应用具有吸引力。WL2803E系列提供了从1.2V到3.3V的宽输出电压范围版本，步长为0.1V。WL2803E系列提供了过热保护（OTP）和电流限制功能，以确保芯片和电源系统在错误条件下的稳定性，并采用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。WL2803E稳压器采用SOT-23-5L封装，为标准无铅且无...

WPM2015xx是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管（MOSFET）。它采用先进的沟槽技术和设计，具有出色的RDS(ON)（导通电阻）和低栅极电荷。这使得WPM2015xx在中等电源电流和电流产出量的应用中表现出色，尤其适用于电池管理、电机控制和高速开关等场景。 WPM2015xx的主要特点包括： 1：稳定的走电电压和出色的导电电阻，这有助于在电子设备中实现高效、稳定的性能。 2：适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用，这些应用需要精确控制电流和电压。 3：采用无铅、无卤的环保封装，符合现代电子产品的环保要求。 4：具有超高密度电池设计，适用...

ESD56151Wxx：电源保护新选择 ESD56151Wxx双向瞬态电压抑制器，是为现代电子设备中的电源接口设计。它的反向截止电压范围是4.5V至5V，有效保护电路免受过高电压的损害。这款抑制器符合IEC61000-4-5标准，为电路提供强大的浪涌保护，同时遵循IEC61000-4-2标准，提供±30kV的ESD保护。 ESD56151Wxx的特点在于其低钳位电压设计，能迅速将电压限制在安全范围内，减少对敏感电子元件的损害。其采用的固态硅技术确保了出色的稳定性和可靠性，确保在长期使用中仍能保持优异的性能。 这款ESD适用于各种需要电源保...

WS4601是一款具有极低导通电阻的P-MOSFET高侧开关。集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入，从而保护电源。WS4601还集成了反向保护功能，当设备关闭时，可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时，输出自动放电，使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4601采用SOT-23-5L封装。标准产品是无铅且无卤素的。 特性： · 输入电压范围：2.5~5.5V · 主开关RON：80mΩ@VIN=5V · 持续输出电流：1.0A · 电流限制阈值：1.5A（典型值） · 电流限制精度：±20% ...

ESD5311N：单线、双向、低电容瞬态电压抑制器。 ESD5311N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别针对连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止由静电放电（ESD）引起的过度压力。其内部包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。采用DFN1006-2L封装，为标准产品，无铅且不含卤素。 其主要特性包括：截止电压：5V，根据IEC61000-4-2（...

ESD5431Z-2/TR：电子设备的瞬态电压守护神 ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的双向瞬态电压抑制器，专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电压威胁而设计。其独特的双向保护机制，确保在数据线和控制线受到过应力时，能够迅速抑制电压波动，保护敏感电子元件免受损坏。 这款ESD具有出色的截止电压和瞬态保护能力，根据IEC61000-4-2标准，它能承受高达±30kV的接触放电，确保在极端情况下仍能有效保护电路，能够承受高达40A（5/50ns）的EFT和10A（8/20μs）的浪涌电流。其小型DFN0603-2L封装设计使得集...

WL2803E系列是一款极低压差、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，其压差电压典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，这使得它对于要求高输出电流的消费者、网络应用具有吸引力。WL2803E系列提供了从1.2V到3.3V的宽输出电压范围版本，步长为0.1V。WL2803E系列提供了过热保护（OTP）和电流限制功能，以确保芯片和电源系统在错误条件下的稳定性，并采用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。WL2803E稳压器采用SOT-23-5L封装，为标准无铅且无...

WS4612：60mΩ电流限制型电源分配开关 产品描述 WS4612是一款具有高侧开关和极低导通电阻的P-MOSFET。其集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入，从而保护电源。此外，WS4612还集成了反向保护功能，当设备关闭时，可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时，输出自动放电，使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4612提供SOT-23-5L和TSOT-23-5L两种封装。标准产品为无铅且无卤素。 产品特性 · 输入电压范围：2.5-5.5V · 主开关RON：60mΩ@VIN=5.0V · ...

ES9DN12BA瞬态电压抑制器 ES9DN12BA是一款瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到数据和传输线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性：DFN1006-2L封装：紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素：符合环保要求，适用于对无铅和无卤素有需求的场合。 特性： · 截止电压：±12V。 · 按照IEC61000-4-2标准的ESD保护：±30kV（接触放电） · 按照IEC61000-4-5标准的浪涌保护：5.5A（8/20μs） · 典型电容：CJ=27pF...

WNM2020是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计，以在低栅极电荷下提供出色的RDS（ON）。这款器件非常适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2020是无铅且无卤素的。 WNM2020是一款高性能的N沟道MOS场效应晶体管，专为高效率的电源管理应用而设计。其采用的先进沟槽技术使得该晶体管在导通状态下具有很低的电阻（RDS（ON）），从而减少了功率损耗并提高了整体效率。同时，低栅极电荷使得该晶体管能够快速响应栅极驱动信号，进一步提高了开关速度。这款晶体管非常适合用于DC-DC转换器，其中高效率的电源开关是至关重要的。 ...

WS3202E：过压和过流保护IC 产品描述： WS3202E是一款集过压保护（OVP）和过流保护（OCP）功能于一体的保护设备。当输入电压或输入电流超过阈值时，该设备会关闭内部MOSFET，断开IN到OUT的连接，以保护负载。此外，过温保护（OTP）功能会监控芯片温度，确保设备安全。封装形式：SOT-23-6L 产品特性： · 高压技术 · 输入电压：25V · 输出上电时间：8ms（典型值） · OVP阈值：6.1V（典型值） · OVP响应时间：<1us · OCP阈值：2A（最小值） · 输出放电功能 应用领域： ...

ESD5341N：单线、单向、低电容瞬态电压抑制器 ESD5341N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它被特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止由静电放电（ESD）引起的过度压力。ESD5341N包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5341N采用DFN1006-2L封装，为标准产品，无铅且不含卤素。 其主要特性包括： · 截止电压：5V ...