规格书WILLSEMI韦尔WMM7040DTHN0-8/TR

    WL2803E系列是一种采用CMOS工艺制造的低压差线性稳压器，具有极低的压降、低静态电流和高电源抑制比（PSRR）等特点。在500mA的负载电流下，其压降只有130mV（典型值）。这使得它在需要高输出电流的消费者和网络应用中极具吸引力。

特性：

· 输入电压范围：2.5V至5.5V

· 输出电压范围：1.2V至3.3V，步长为0.1V

· 输出电流：500mAPSRR（电源抑制比）：在1KHz时为65dB

· 压降电压：在IOUT=0.5A时为130mV

· 输出噪声：100uV

· 静态电流：典型值为150μA

此外，WL2803E系列还具备热关断（OTP）和电流限制功能，以确保在异常条件下芯片和电源系统的稳定性。同时，采用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。

应用：

· LCD电视

· 机顶盒（STB）

· 计算机、图形卡

· 网络通信设备

· 其他便携式电子设备

    WL2803E系列CMOSLDO为现代电子设备提供稳定电源，具有极

低压降、低静态电流和高电源抑制比，有效减少电源噪声干扰。宽输出电压范围和微调技术满足各种应用需求，适用于LCD电视、机顶盒和计算机通信设备。紧凑封装和环保设计使其易于集成。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 WL2836E08-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装：SOT-23-5L。规格书WILLSEMI韦尔WMM7040DTHN0-8/TR

    WL2803E系列是一款极低压差、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，其压差电压典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，这使得它对于要求高输出电流的消费者、网络应用具有吸引力。WL2803E系列提供了从1.2V到3.3V的宽输出电压范围版本，步长为0.1V。WL2803E系列提供了过热保护（OTP）和电流限制功能，以确保芯片和电源系统在错误条件下的稳定性，并采用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。WL2803E稳压器采用SOT-23-5L封装，为标准无铅且无卤素产品。

主要特性：

· 输入电压范围：2.5V至5.5V

· 输出电压范围：1.2V至3.3V

· 输出电流：500mA

· PSRR：在1KHz时为65dB

· 压差电压：在IOUT=0.5A时为130mV

· 输出噪声：100μV

· 静态电流：典型值为150μA

应用领域：

· 液晶电视（LCD TV）

· 机顶盒（STB）

· 计算机、显卡

· 网络通信设备

· 其他便携式电子设备

    WL2803E系列适用于电源管理，具有极低压差、低电流和高PSRR特性，确保灵活和准确的电压输出。紧凑环保，易于集成，适用于多种电子设备。提供稳定电源输出。详情查阅手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5302NESD5Z5VL-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOD-523。

    WAS7227Q是一款高性能、双刀双掷（DPDT）CMOS模拟开关，可在+2.5V至+5.5V的单一电源供电下工作。它专为在手持设备和消费电子产品中切换高速USB2.0信号而设计，如手机、数码相机和带有集线器或有限USBI/O控制器的笔记本电脑。WAS7227Q具有低比特间偏斜和高通道间噪声隔离，并与各种标准兼容，如高速USB2.0（480Mbps）。每个开关都是双向的，对高速信号的输出衰减很小。其带宽足以传递高速USB2.0差分信号（480Mbps）并保持信号完整性。

特性：

D+/D-上的特殊电路设计，使设备能够承受VBUS短路到D+或D-，无论USB设备是关闭还是开启。

SEL/OE引脚具有过压保护，允许电压高于VCC，高达7.0V存在于引脚上，而不会损坏或中断部件的操作，无论工作电压如何。

还具有智能电路，用于至小化VCC泄漏电流，即使SEL/OE控制电压低于VCC电源电压也是如此。换句话说，在实际应用中，无需额外设备将SEL/OE电平与VCC电平相同。

应用：

· 手机

· MID（移动设备）

· 路由器

· 其他电子设备

    WAS7227Q是专为高速USB2.0设计的稳定、高效CMOS开关，适用于手持和消费电子产品，确保数据传输顺畅。独特电路和过压保护增强其可靠性，环保封装易集成。是高速数据传输的理想选择。详情请查数据手册或联系我们。

    WNM2030是一种N型增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2030为无铅产品。小型SOT-723封装。

主要特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 优异的开启电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· DC/DC转换器

· 电源转换器电路

· 便携式设备的负载/电源切换

   WNM2030是专为现代电子系统电源管理设计的高性能MOS场效应晶体管。其RDS(ON)和低栅极电荷特性使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路中表现出色。采用先进沟槽技术，提供高密度和低功耗。快速开关操作适用于高频电源管理。小型SOT-723封装适合便携式设备，且无铅设计满足环保要求。WNM2030为现代电源管理提供高效、可靠和环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WNM2046E-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：DFN-3L(1x0.6)。

WPM1481：单P沟道、-12V、-5.1A功率MOSFET

产品描述：

    WPM1481是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1481为无铅产品。小型DFN2*2-6L封装。

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 适用于更高的直流电流

· 极低的阈值电压

应用领域：

· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器

· DC-DC转换电路

· 电源开关

· 负载开关

· 充电应用  

     WPM1481是一款高性能的P沟道功率MOSFET，专为高电流应用而设计。其出色的RDS(ON)和极低的阈值电压使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。同时，其小型DFN2*2-6L封装使得它在空间受限的应用中也能发挥出色。WPM1481作为无铅产品，还符合环保要求。无论是用于驱动继电器、电磁阀、电机还是LED，WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD5451NL-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。中文资料WILLSEMI韦尔ESD56241D22

WNMD2171-4/TR 场效应管(MOSFET) 封装：CSP-4L。规格书WILLSEMI韦尔WMM7040DTHN0-8/TR

    WS4601是一款具有极低导通电阻的P-MOSFET高侧开关。集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入，从而保护电源。WS4601还集成了反向保护功能，当设备关闭时，可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时，输出自动放电，使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4601采用SOT-23-5L封装。标准产品是无铅且无卤素的。

特性：

· 输入电压范围：2.5~5.5V

· 主开关RON：80mΩ@VIN=5V

· 持续输出电流：1.0A

· 电流限制阈值：1.5A（典型值）

· 电流限制精度：±20%

· 输出短路电流：0.7A（典型值）

· 自动放电反向阻断（无“体二极管”）

· 过温保护

应用：

· USB外设USB Dongle

· USB 3G数据卡

· 3.3V或5V电源开关

· 3.3V或5V电源分配

    WS4601是一款专为现代电子设备设计的高性能高侧开关。其极低导通电阻的P-MOSFET结构使其在处理大电流时高效且节能。集成的电流限制功能保护电源免受过大电流损害，确保系统稳定可靠。自动放电功能和反向保护功能进一步增强系统安全性。适用于USB外设、USB Dongle等需要高效电源管理的场合。无论3.3V还是5V系统，WS4601都提供出色的性能和保护机制，确保设备正常运行。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WMM7040DTHN0-8/TR