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ESDA6V8AV6静电放电（ESD）保护的瞬态电压抑制器

产品描述：

    ESDA6V8AV6是一款五线路的ESD瞬态电压抑制器，为可能受到静电放电（ESD）影响的敏感电子组件提供了极高的保护水平。对于正瞬态，这些设备将电压钳制在逻辑电平供电之上；对于负瞬态，则钳制在低于地的二极管压降。ESDA6V8AV6能够安全地消散±20kV的ESD冲击，超过了IEC61000-4-2国际标准的至高上限要求。使用MILSTD-883（方法3015）中的人体模型（HBM）ESD规格，该设备为大于±16kV的接触放电提供了保护。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封装，工作电压为5伏特。

规格特性：

· 工作峰值反向电压：5V

· 低漏电流：<1uA@3V

· 高ESD保护水平：每HBM>20kV

· IEC61000-4-2四级ESD保护

· IEC61000-4-4四级EFT保护

· 五种单独的单向配置

机械特性：

· 无空洞、转移模制、热固性塑料外壳

· 耐腐蚀表面，易于焊接

应用领域：

· 手机和配件

· 个人数字助理（PDA）

· 笔记本电脑、台式机和服务器

· 便携式仪器

· 数码相机

· 外设MP3播放器

     ESDA6V8AV6是五线路ESD保护器，保护电子组件免受静电放电影响。具有强ESD保护和低漏电流，能承受±20kV冲击。符合电磁兼容性标准，适用于手机、笔记本等便携式设备。详情查阅手册或联系我们。 ESD9X5VL-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD） 封装：FBP-02C。代理分销商WILLSEMI韦尔WPT2F42

    RB521S30肖特基势垒二极管

特性：小型表面贴装类型、高可靠性低正向电压、、无铅器件

应用：低电流整流

介绍：

    RB521S30是一款肖特基势垒二极管，它具有一系列出色的特性，使其在各种应用中表现优异。首先，其小型表面贴装类型使得它在空间受限的环境中也能轻松安装，同时确保了高效的热量散发。其次，高可靠性确保了器件在长时间使用下仍能保持稳定的性能，减少了维护和更换的频率。

    此外，低正向电压是肖特基势垒二极管的一个关键特性，它允许在较低的电压下实现高效的整流功能。这一特性使得RB521S30在需要低电流整流的场合中表现出色，如某些电子设备中的电源管理部分。

    值得注意的是，RB521S30是无铅器件，符合现代环保标准。随着全球对环保意识的日益增强，无铅器件已成为许多行业的首要选择。这使得RB521S30在追求高性能的同时，也符合了环保要求。

    总的来说，RB521S30肖特基势垒二极管以其小型化、高可靠性、低正向电压和无铅环保等特性，成为低电流整流应用中的理想选择。无论是电子设备制造商还是电路设计工程师，都能从中受益。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WPT2N32WS7916DE-6/TR 射频低噪声放大器 封装：DFN-6(1x1.5)。

    WS72551和WS72552系列放大器具有极低的偏移、漂移和偏置电流。其中，WS72551是单放大器，WS72552是双放大器，分别具有轨到轨的输入和输出摆动。所有放大器都保证在2.5V至5V的单电源下工作。72551/72552提供了之前只在昂贵的自动调零或斩波稳定放大器中才能找到的优势。这些新型零漂移放大器结合了低成本和高精度，并且不需要外部电容器。规格72551/72552适用于扩展的工业/汽车温度范围（-40°C至+125°C）。封装72551：MSOP-8  SOIC8和SOT23-5L。72552：MSOP-8  SOIC8。

    技术特性：偏移电压只有3μV，漂移为0.008μV/°C，使WS72551/WS72552非常适合于无法容忍误差源的应用。温度、位置和压力传感器、医疗设备和应变计放大器在其工作温度范围内几乎无漂移，因此受益匪浅。WS72551/WS72552提供的轨到轨输入和输出摆动使得高侧和低侧感测都变得容易。

应用领域：

温度传感器

压力传感器

精密电流感测

应变计放大器

医疗仪器

热电偶放大器

   WS72551/WS72552系列零漂移放大器具备极低偏移和漂移、高精度以及轨到轨输入输出摆动等特性，适用于温度、压力、电流感测等多种应用，为工程师提供高精度测量解决方案。紧凑封装使其成为空间受限应用的理想选择。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。

WSB5546N-肖特基势垒二极管

特性：

· 低反向电流

· 0.2A平均整流正向电流

· 无铅和无卤素：WSB5546N是一款环保产品，不含铅和卤素。

· 快速开关和低正向电压降

· 反向阻断

应用：

· 电源管理

· 信号处理

· 电子设备保护

    总之，WSB5546N是一款具有低反向电流、0.2A平均整流正向电流以及无铅无卤素环保特性的肖特基势垒二极管。它为各种应用提供了高效、可靠且环保的解决方案WSB5546N是一款肖特基势垒二极管，具有一些明显的特点和优势。肖特基势垒二极管是一种特殊的二极管类型，它结合了肖特基二极管和势垒二极管的优点。肖特基二极管具有快速开关能力和低正向电压降，而势垒二极管则具有出色的反向阻断能力。因此，WSB5546N结合了这些特点，提供了一种高效、可靠且环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 SPD8811B-2/TR 半导体放电管（TSS） 封装：SMB。

    WS4601是一款具有极低导通电阻的P-MOSFET高侧开关。集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入，从而保护电源。WS4601还集成了反向保护功能，当设备关闭时，可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时，输出自动放电，使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4601采用SOT-23-5L封装。标准产品是无铅且无卤素的。

特性：

· 输入电压范围：2.5~5.5V

· 主开关RON：80mΩ@VIN=5V

· 持续输出电流：1.0A

· 电流限制阈值：1.5A（典型值）

· 电流限制精度：±20%

· 输出短路电流：0.7A（典型值）

· 自动放电反向阻断（无“体二极管”）

· 过温保护

应用：

· USB外设USB Dongle

· USB 3G数据卡

· 3.3V或5V电源开关

· 3.3V或5V电源分配

    WS4601是一款专为现代电子设备设计的高性能高侧开关。其极低导通电阻的P-MOSFET结构使其在处理大电流时高效且节能。集成的电流限制功能保护电源免受过大电流损害，确保系统稳定可靠。自动放电功能和反向保护功能进一步增强系统安全性。适用于USB外设、USB Dongle等需要高效电源管理的场合。无论3.3V还是5V系统，WS4601都提供出色的性能和保护机制，确保设备正常运行。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 WNM6002-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-323-3。中文资料WILLSEMI韦尔WPM1480

ESD9B5VL-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：FBP-02C。代理分销商WILLSEMI韦尔WPT2F42

WNMD2171双N沟道、20V、6.0A功率MOSFET

产品描述：

     WNMD2171是一款双N沟道增强型MOSFET场效应晶体管。这款MOSFET的特殊设计使得在电路板上连接其漏极变得不必要，因为MOSFET1和MOSFET2的漏极是内部连接的。该产品采用先进的沟槽技术和设计，提供了出色的导通电阻（RSS(ON)）和低栅极电荷。这款器件专为锂离子电池保护电路而设计。WNMD2171采用CSP-4L封装。标准产品WNMD2171是无铅和无卤素的。小型CSP4L封装。

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· 锂离子电池保护电路

       WNMD2171是一款采用先进技术的双N沟道MOSFET，特别适用于锂离子电池保护电路。其内部连接的漏极设计简化了电路布局，而优异的导通电阻和极低的阈值电压则提供了高效的电池管理。这款产品的小型CSP-4L封装使其成为空间受限应用中的理想选择。此外，其无铅和无卤素的特点也符合现代环保标准。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WPT2F42