ESD5305F:四通道单向低电容瞬态电压抑制器
产品描述:ESD5305F是一款专为保护高速数据接口设计的低电容瞬态电压抑制器(TVS)阵列。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受由静电放电(ESD)引起的过应力影响。ESD5305F结合了四对低电容转向二极管和一个TVS二极管,以提供各方面的瞬态保护。封装与环保信息:ESD5305F采用SOT23-6L封装,满足无铅和无卤素环保要求。
产品特性:
反向截止电压:5V
根据IEC61000-4-2标准,每条线路提供±30kV(接触放电)的ESD保护
根据IEC61000-4-5标准,可承受高达6A(8/20μs)的峰值脉冲电流
低电容:CI/O-GND=0.65pF(典型值,Vcc=浮动状态);CI/O-GND=0.35pF(典型值,Vcc=5V)
极低泄漏电流:IR<1nA(典型值)
低钳位电压:VCL=16.5V@IPP=16A(TLP)
采用固态硅技术
应用领域:
USB2.0
HDMI1.3
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便携式电子产品
笔记本电脑
关于ESD5305F 如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WNM4002-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-523-3。中文资料WILLSEMI韦尔WNM3064
ESD56151Wxx:电源保护新选择
ESD56151Wxx双向瞬态电压抑制器,是为现代电子设备中的电源接口设计。它的反向截止电压范围是4.5V至5V,有效保护电路免受过高电压的损害。这款抑制器符合IEC61000-4-5标准,为电路提供强大的浪涌保护,同时遵循IEC61000-4-2标准,提供±30kV的ESD保护。
ESD56151Wxx的特点在于其低钳位电压设计,能迅速将电压限制在安全范围内,减少对敏感电子元件的损害。其采用的固态硅技术确保了出色的稳定性和可靠性,确保在长期使用中仍能保持优异的性能。
这款ESD适用于各种需要电源保护和管理的应用场景,如便携式电子设备、通信设备、医疗设备以及工业控制系统等。它能从各方面保护电源接口,提高设备稳定性和可靠性,延长使用寿命,降低维修和更换成本。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD56151Wxx这款ESD,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或技术支持,请随时联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WS4672DWNM2021-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-323。
WL2815低功耗CMOSLDO(低压差线性稳压器)
产品描述:
WL2815系列是一款低压差线性稳压器,专为电池供电系统提供高性能解决方案,以实现低静态电流。这些器件为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了新的成本效益性能水平。WL2815系列设计用于使用低成本陶瓷电容器,确保输出电流的稳定性,提高效率,从而延长这些便携式设备的电池寿命。WL2815稳压器采用DFN1x1-4L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性:
静态电流:1.5μA(典型值)
输入电压:2.1V~5.5V
输出电压:1.1V~3.3V
输出电流:@VOUT=3.3V时为300mA
输出电流:@VOUT=2.0V时为200mA
输出电流:@VOUT=1.5V时为150mA
压差电压:@100mA时为100mV
推荐电容器:1uF或更大
工作温度:-40°C至+85°C
输出短路保护
应用领域:
MP3/MP4播放器
手机
蓝牙耳机
无线鼠标
其他电子设备
WL2815是专为便携式设备设计的低功耗CMOS稳压器,性能优异,低静态电流,高效能,延长电池寿命。优化设计,使用低成本陶瓷电容器,在多种应用中提供稳定输出。适用于MP3/MP4播放器、手机、蓝牙耳机等。紧凑封装,符合环保标准,是现代电子设备的理想选择。详情查阅数据手册或联系我们。
WL2803E系列是一种采用CMOS工艺制造的低压差线性稳压器,具有极低的压降、低静态电流和高电源抑制比(PSRR)等特点。在500mA的负载电流下,其压降只有130mV(典型值)。这使得它在需要高输出电流的消费者和网络应用中极具吸引力。
特性:
· 输入电压范围:2.5V至5.5V
· 输出电压范围:1.2V至3.3V,步长为0.1V
· 输出电流:500mAPSRR(电源抑制比):在1KHz时为65dB
· 压降电压:在IOUT=0.5A时为130mV
· 输出噪声:100uV
· 静态电流:典型值为150μA
此外,WL2803E系列还具备热关断(OTP)和电流限制功能,以确保在异常条件下芯片和电源系统的稳定性。同时,采用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。
应用:
· LCD电视
· 机顶盒(STB)
· 计算机、图形卡
· 网络通信设备
· 其他便携式电子设备
WL2803E系列CMOSLDO为现代电子设备提供稳定电源,具有极
低压降、低静态电流和高电源抑制比,有效减少电源噪声干扰。宽输出电压范围和微调技术满足各种应用需求,适用于LCD电视、机顶盒和计算机通信设备。紧凑封装和环保设计使其易于集成。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 WMM7037ATSN0-4/TR MEMS麦克风(硅麦)封装:LGA-4(3x3.8)。
WPM1481:单P沟道、-12V、-5.1A功率MOSFET
产品描述:
WPM1481是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1481为无铅产品。小型DFN2*2-6L封装。
产品特性:
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 出色的导通电阻
· 适用于更高的直流电流
· 极低的阈值电压
应用领域:
· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器
· DC-DC转换电路
· 电源开关
· 负载开关
· 充电应用
WPM1481是一款高性能的P沟道功率MOSFET,专为高电流应用而设计。其出色的RDS(ON)和极低的阈值电压使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。同时,其小型DFN2*2-6L封装使得它在空间受限的应用中也能发挥出色。WPM1481作为无铅产品,还符合环保要求。无论是用于驱动继电器、电磁阀、电机还是LED,WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WAS7227Q-10/TR 模拟开关/多路复用器 封装:WQFN-10(1.4x1.8)。规格书WILLSEMI韦尔WS742904
WNM4006-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-23。中文资料WILLSEMI韦尔WNM3064
ESD5304D是一个专为保护连接到数据和传输线的敏感电子组件免受静电放电(ESD)引起的过应力而设计的极低电容瞬态电压抑制器(TVS)阵列。它结合了四对极低电容转向二极管和一个TVS二极管,旨在提供优异的ESD保护。
特性:
· 截止电压:5V
· 根据IEC61000-4-2标准的每线瞬态保护:±20kV(接触放电)
· 根据IEC61000-4-4标准的EFT保护:40A(5/50ns)
· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护:4A(8/20μs)
· 极低电容:CJ=0.4pF(典型值)
· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位电压:VCL=14V(典型值)@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子产品
· 笔记本电脑
ESD5304D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,保护接口免受静电放电和其他瞬态事件损害。利用先进固态硅技术,结合极低电容转向二极管和TVS二极管,提供优异保护。能承受±20kV接触放电和其他瞬态事件。极低电容和漏电流不影响数据传输。适用于USB、HDMI、SATA等接口,是电子设备中的关键保护组件。小巧封装且环保,易于集成。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WNM3064