中文资料WILLSEMI韦尔WSB5558N

    WPM3407是一款使用先进沟槽技术制成的器件，其特点是在低门极电荷下提供出色的RDS(ON)。这种器件非常适合用于DC-DC转换应用。

特点：

    RDS(ON)出色：RDS(ON)是指器件在导通状态下的电阻，3407通过先进的沟槽技术实现了低RDS(ON)，这意味着在器件导通时，其电阻较小，从而减小了能量损失。低门极电荷：门极电荷是描述开关器件从关闭到打开或从打开到关闭所需电荷量的参数。3407的低门极电荷可以更快地开关，从而减少开关损耗。无铅：符合环保要求，适用于对无铅产品有需求的场合。

应用：

    笔记本电脑的电源管理：3407可以用于笔记本电脑中的DC-DC转换器，以提供稳定的电源。

    便携式设备：由于它的快速开关和低能量损失，3407也适用于各种便携式设备，如智能手机、平板电脑等。

    电池供电系统：在电池供电的应用中，减少能量损失和延长电池寿命是非常重要的，3407的出色RDS(ON)和低门极电荷特性使其成为电池供电系统的理想选择。

    DC/DC转换器：这是3407的主要应用之一，用于将一种直流电压转换为另一种直流电压。

    负载开关：3407可以用于控制电路的通断，实现负载开关的功能。

    如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESDA6V1W5-5/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOT-353。中文资料WILLSEMI韦尔WSB5558N

     WNM6002是一种N型增强型MOS场效应晶体管，利用先进的沟槽和电荷控制设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于电源开关、负载开关和充电电路。标准产品WNM6002为无铅且不含卤素。小型SOT-323封装。

主要特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 适用于高直流电流的优异导通电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· 继电器、电磁铁、电机、LED等的驱动

· DC-DC转换器电路

· 电源开关

· 负载开关

· 充电电路

    WNM6002N型增强型MOS场效应晶体管是一种高性能、高效能的半导体器件，专为现代电子设备中的电源管理和开关应用而设计。其采用先进的沟槽技术和电荷控制设计，确保了出色的RDS(ON)和低栅极电荷，从而提供了高效的电流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度单元设计使其在高直流电流下仍能保持优异的导通电阻，确保了高效的能量转换和散热。同时，极低的阈值电压保证了快速的开关响应和稳定的性能。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WPMD2084WPM3022-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23。

WS4603E：可调电流限制、电源分配开关 

描述

   WS4603E是一款具有高侧开关和低导通电阻P-MOSFET的开关。其集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入，从而保护电源。此外，WS4603E还集成了反向保护功能，当设备关闭时，可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时，输出自动放电，使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4603E采用SOT-23-5L封装。标准产品无铅且不含卤素。

特性

1、输入电压范围：2.5~5.5V

2、主开关RON：80mΩ@VIN=5V

3、调整电流限制范围：0.4~2A（典型值）

4、电流限制精度：±20%

5、自动放电

6、反向阻断（无“体二极管”）

7、过温保护

应用

· USB外设

· USB Dongle

· USB 3G数据卡

· 3.3V或5V电源开关

· 3.3V或5V电源分配

    安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销，可以提供样品供您测试。如有关于WS4603E的进一步问题或需求，请随时与我们联系。我们期待与您合作，为您提供优异的产品和服务。

ESD5341N：单线、单向、低电容瞬态电压抑制器

     ESD5341N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它被特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止由静电放电（ESD）引起的过度压力。ESD5341N包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5341N采用DFN1006-2L封装，为标准产品，无铅且不含卤素。

其主要特性包括：

· 截止电压：5V

· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电）

· 根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：40A（5/50ns）

· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：4A（8/20μs）

· 低电容：CJ=1.0pF（典型值）

· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位电压：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固态硅技术

应用领域包括：

· USB接口

· HDMI接口

· DVI

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

      ESD5341N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护，特别适用于需要高数据传输速率和严格ESD防护的应用。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系制造商。 ESD5344D-10/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN2510-10。

      WL2801E是一款优异的低噪声、高PSRR（电源抑制比）以及高速CMOSLDO（低压差线性稳压器）。其高精度与出色的性能，使其在手机、笔记本电脑以及其他便携式设备中表现出色，为用户提供了前所未有的性价比体验。这款设备不仅具有出色的限流折回电路，能够同时作为短路保护和输出电流限制器，而且采用标准的SOT-23-5L封装，确保产品的环保性和安全性。

      WL2801E的主要特性包括宽输入电压范围（2.7V~5.5V）、灵活的输出电压范围（1.2V~3.3V）、以及高达300mA的输出电流能力。其高达75dB的PSRR在217Hz下表现出色，确保了电源噪声的有效抑制。此外，其低dropout电压（170mV@IOUT=200mA）和极低静态电流（70μA）使得它在低功耗应用中表现突出。

     这款产品的应用领域较广，包括MP3/MP4播放器、手机、无线电话、数码相机、蓝牙和无线手持设备以及其他便携式电子设备。无论是对于追求高性能的设计师，还是对于寻求成本效益的生产商，WL2801E都是理想的选择。

     安美斯科技专注于国产电子元器件的代理分销，并可以提供样品。这体现了我们对产品质量的自信和对客户需求的深入理解。选择安美斯科技，您将获得优异的产品和服务。 WMM7040DTHN0-8/TR MEMS麦克风（硅麦）封装：SMD-8P,3x4mm。规格书WILLSEMI韦尔ESD5471N

ESD9N12BA-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。中文资料WILLSEMI韦尔WSB5558N

WNM2016A：N沟道增强型MOSFET场效应晶体管

产品描述：

WNM2016A它采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2016A为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元

· 设计出色的ON电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· DC/DC转换器

· 电源转换器

· 电路便携式设备的负载/电源开关      

      WNM2016A是一款高性能的N沟道MOSFET，专为现代电子设备中的高效能量转换和开关应用而设计。其独特的沟槽技术和高密度单元设计提供了优越的电气性能，包括低RDS(ON)和低栅极电荷，从而实现高效能量转换和减少热量损失。此外，极低的阈值电压和SOT-23小型封装使其成为便携式设备中的理想选择，因为它既能够提供强大的性能，又能够节省空间。无论是DC/DC转换器、电源转换器电路，还是便携式设备的负载/电源开关，WNM2016A都是一个出色的选择，能够确保设备的稳定运行和高效能量管理。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WSB5558N