江宁区智能高纯度金属材料

高纯金属铬的特点是：主成分高（≥99.7%），杂质含量少，特别是气体氧、硫、氮含量低（C 0.025%、O 0.04%、N 0.003%、S 0.002%）。高纯金属铬主要用于电气的触头，其使用周期长，不发生打弧粘连现象；可用超级合金作添加剂生产飞机涡轮机的叶片，耐高温、抗氧化、抗振动、抗蠕变性能强；也用于做各种等离子和电子束溅喷的铬靶及电子行业的半导体、芯片等，在特色玻璃加工行业也得到广泛应用。国内高纯金属铬的生产厂家主要为沈宏公司，由于其采用的生产工艺不同，因此，其生产的金属铬中杂质硅含量较低，在0.1%以下，可以满足国内外市场对低硅金属铬的需求也会每年参加行业里面的采访。江宁区智能高纯度金属材料

对贵金属而言，用中子活化分析灵敏度比较高的是Ir、Au和Rh。该方法的检出限很低，可以和CIP-MS法媲美。用试金一中子活化和ICP-MS分析地质样品中铂族元素，发现用中子活化分析Ir的检出限高十倍，其余的比IC-MS低，两种方法可以互补。但是核辐射对人体有害，且需要小型反应堆，设备受到地域限制，使用难以普及。原子发射光谱法原子发射光谱法(AES)是测定高纯金属或半导体材料中痕量杂质的主要分析方法之一，常采用预富集与AES测定联用技术。这种联用技术既保持了AES同时检测多元素的特点，又克服了基体效应和复杂组分的干扰，也便于引进行利于痕量元素激发的缓冲剂，从而提高了检测灵敏度。黄浦区本地高纯度金属材料离子化合物：钠是金属元素，氯是非金属元素。

除杂反应，**终冷凝成纯度较高金属锭的一种真空熔炼方法。电子束熔炼能有效地去除难熔金属中的低沸点、高饱和蒸汽压 杂质，以及C，N，O等气体杂质。同时，铸锭按自下而上顺序凝固也能有效地促使非金属间隙杂质的上浮，而且电子束可控性好，可以保证熔池温度均匀， 精确控制熔体化学成分，得到表面质量和结晶组织优良的金属锭。另外，电子束熔炼对原材料的形状没有限制不仅能熔化棒料还可以熔化块状屑状或粉末状的原料。然而，当金属中杂质含量较高时，其除杂效果受限，且存在耗电量大，成本高的问题。

我国电解钻的有色金属行业标准(Y5/T25522000)*要求分析C、S、Mn、Fe、Ni、Cu、As、Pb、Zn、Si、Cd、Mg、P、Al、Sn、Sb、Bi等17种杂质元素，co999s电解钻的杂质总量不超过0.02%，但这仍然不能满足功能薄膜材料材料的要求。高纯金属中痕量元素的检测方法应具有极高的灵敏度。痕量元素的化学分析是指1g样品中含有微克级(10g/g)、纳克级(10g/g)和皮克级(10g/g)杂质的确定。随着对高纯金属材料研究的深入，杂质元素的含量越来越低普通的滴定分析等己无法准确测定痕量元素，因此促进了分析检测仪器技术不断发展，痕量、超痕量多元素的同时或连续测定已成为可能。每年都会参加先关的产品博览会。

中子活化分析法中子活化分析（NAA）的灵敏度高，准确度好，污染少，适用于高纯金属、地质样品、宇宙物质液体、固体等各类样品中超痕量金属的测定。特别是NAA的无损分析特性消除了多数其它痕量分析方法中可能破坏溯源链的**危险的环节一样品制备和溶解过程中可能带来的待测元素的污染或丢失。由于活化之后的放化操作可以加入载体和反载体以克服“**浓”行为和无需定量分离，因此由样品处理引起的污染和丢失危险远远低于其它方法。在约10n·cm·s的通量下，NAA从可测定周期表中的绝大多数元素，测定范围为1010g/g。NAA是目前***能够同时测定Cl、Br、I的***方法。为克服基体效应，进行预富集与方法分离对于NAA法也是非常必要的。纯度很高、 所含杂质常以百万分之几计算的金属。江宁区智能高纯度金属材料

化合物具有一定的特性，通常还具有一定的组成。江宁区智能高纯度金属材料

随着材料加工技术水平的提高，金属的纯度在不断提高，但要制备***纯的金属是不可能的。所谓的“高纯”和“超纯”具有相对的含义，是指技术上达到的标准。由于科学技术的发展，也使得“高纯”和“超纯”的标准在不断升级。例如过去高纯金属的杂质为ppm级(即百万分之几)，超纯半导体材料的杂质为ppb级(十亿分之几)，而现在己经逐步发展到以ppb级(十亿分之几)和ppt级(一万亿分之几)来表示。同时各个金属的提纯难度不尽相同，如半导体材料中称9N以上为高纯,而难熔金属达6N己属超高纯江宁区智能高纯度金属材料

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