青浦区智能高纯度金属材料

金属的纯度是相对于杂质而言的，广义上杂质包括化学杂质(元素)和物理杂质(晶体缺陷)。物理杂质主要是指位错及空位等，而化学杂质是指基体以外的原子以代位或填隙等形式掺入。但只有当金属纯度达到很高的标准时(如纯度9N以上的金属)，物理杂质的概念才是有意义的，所以生产上一般以化学杂质的含量作为评价金属纯度的标准，即以主金属减去杂质总含量的百分数表示，常用N(nine的***个字母)**，如99.9999%写为6N，99.99999%写为7N。目前高纯金属纯度的表示方式主要有两种：一种是以材料的用途来表示，如“光谱纯”、“电子级纯”等；另一种是以某种特征来表示，例如半导体材料用载流子浓度，即1立方厘米的基体元素中起导电作用的杂质个数来表示，而金属主要用剩余电阻率RRR和纯度级R表示纯度。化合物种类繁多，达一千多万种，有的化合物由阴阳离子构成。青浦区智能高纯度金属材料

电感耦合等离子体质谱法电感耦合等离子质谱法(InductivelyCoupledplasmaMassspcetromeytr，ICP-MS)是以ICP为离子源，结合质谱仪进行分析检测的无机质谱分析技术。ICP-MS综合了等离子体高离子化能力和质谱高分辨、高灵敏度及连续测定多元素的优点，检出限可低至0.001-0.1ng/mL，测定范围广，能达到5-6个数量级，是高纯金属中ng/g量级杂质元素痕量分析的重要方法。ICP-MS测定高纯金属中痕量杂质元素时，选择恰当的待测元素同位素是很重要的。一般而言，同量异位干扰比多原子干扰严重,氧化物干扰比其他多原子干扰严重。因此，选择同位素总的原则是：若无干扰，选择丰度比较高的同位素进行测定；如果干扰小，可用干扰元素进行校正；如果干扰严重，则选择丰度较低的没有干扰的同位素进行测定。目前在高纯金属分析测试中常用的方法有：外标法、内标法、标准加入法和同位素稀释法等。杨浦区哪些是高纯度金属材料产品的提炼纯度比较高。

随着材料加工技术水平的提高，金属的纯度在不断提高，但要制备***纯的金属是不可能的。所谓的“高纯”和“超纯”具有相对的含义，是指技术上达到的标准。由于科学技术的发展，也使得“高纯”和“超纯”的标准在不断升级。例如过去高纯金属的杂质为ppm级(即百万分之几)，超纯半导体材料的杂质为ppb级(十亿分之几)，而现在己经逐步发展到以ppb级(十亿分之几)和ppt级(一万亿分之几)来表示。同时各个金属的提纯难度不尽相同，如半导体材料中称9N以上为高纯,而难熔金属达6N己属超高纯

中子活化分析法中子活化分析（NAA）的灵敏度高，准确度好，污染少，适用于高纯金属、地质样品、宇宙物质液体、固体等各类样品中超痕量金属的测定。特别是NAA的无损分析特性消除了多数其它痕量分析方法中可能破坏溯源链的**危险的环节一样品制备和溶解过程中可能带来的待测元素的污染或丢失。由于活化之后的放化操作可以加入载体和反载体以克服“**浓”行为和无需定量分离，因此由样品处理引起的污染和丢失危险远远低于其它方法。在约10n·cm·s的通量下，NAA从可测定周期表中的绝大多数元素，测定范围为1010g/g。NAA是目前***能够同时测定Cl、Br、I的***方法。为克服基体效应，进行预富集与方法分离对于NAA法也是非常必要的。对化合物的分类，是研究化学物质分类的一个主要内容。

对贵金属而言，用中子活化分析灵敏度比较高的是Ir、Au和Rh。该方法的检出限很低，可以和CIP-MS法媲美。用试金一中子活化和ICP-MS分析地质样品中铂族元素，发现用中子活化分析Ir的检出限高十倍，其余的比IC-MS低，两种方法可以互补。但是核辐射对人体有害，且需要小型反应堆，设备受到地域限制，使用难以普及。原子发射光谱法原子发射光谱法(AES)是测定高纯金属或半导体材料中痕量杂质的主要分析方法之一，常采用预富集与AES测定联用技术。这种联用技术既保持了AES同时检测多元素的特点，又克服了基体效应和复杂组分的干扰，也便于引进行利于痕量元素激发的缓冲剂，从而提高了检测灵敏度。每年都会参加相关的论坛讲座。杨浦区多功能高纯度金属材料

有机化合物：有机化合物含碳的化合物（但含碳的化合物不一定是有机物）。青浦区智能高纯度金属材料

但是由于ICP-MS主要采用溶液进样，容易引入外界污染，液体进样带来的基体干扰也比较严重，空白值较高，前处理时间较长，样品的整个分析速度难以完全令人满意。采用一些分离富集手段和一些前处理方式，能够更好地使其满足高纯金属样品的分析测试需求。如激光烧蚀样品技术(LA)与ICP-MS的联用能够**减少了样品前处理的时间。然而，由于缺少相应的固样标准样品，该法的精密度和准确度还有待于进一步的提高，目前多用于快速分析或成分简单、分布均一的样品。通过与离子色谱(IC)联用分离高纯金属基体，并采用膜去溶装置吹扫溶剂蒸汽，能够有效降低相关杂质元素的检出限。此外，使用流动注射进样(FI)能够克服ICP-MS要求可溶性固体(TDS)含量低的缺点，还能克服基体效应，是一种非常好的分析测试手段。青浦区智能高纯度金属材料

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