崇明区什么是高纯度金属材料

纯度很高、 所含杂质常以百万分之几计算的金属。由于它们的性能与一般工业纯金属***不同，因而获得了特殊用途。例如制备半导体材料用的锗、铟、镓等金属要 求达到99.999%以上的纯度。高纯金属还大量用于科研领域。纯度要求更高的金属 (其中杂质含量甚至降至十亿分之一以下) 称为 “超纯金属”。高纯金属(iHhgPuriytMetals)是现代多种高新技术的综合产物。随着半导体技术、宇航、无线电科技等的发展，对金属纯度要求越来越高，也**促进了高纯金属生产的发展。因为在金属未能达到一定纯度的情况下，金属特性往往会被杂质所掩盖，所以痕量杂质甚至超痕量杂质的存在都会影响金属的性能。例如过去钨曾被用作灯泡的灯丝，由于脆性而使处理上有困难，但在适当提纯之后，这种缺点即可以克服(钨丝也有掺杂及加工问题)。高纯金属铬的特点是：主成分高（≥99.7%），杂质含量少。崇明区什么是高纯度金属材料

电感耦合等离子体原子发射光谱法(InduetivelyCoupledplasmaAtomieEmissionSepcotrmetyr，ICP-AES)是根据不同元素的原子或离子在热激发或电激发下发射特征电磁辐射进行元素定性或定量检测的方法。随着ICP(电感祸合等离子体)光源技术的发展，ICP-AES己成为痕量元素分析检测***的手段之一，目前己广泛应用于半导体工业、新材料、高纯试剂、医学检测等众多行业中，在高纯金属分析检测领域也有着广泛的应用。ICP-AES法具有以下优点：(1) ICP-AES法可同时测定多个元素；(2) ICP-AES法测量的线性范围可达5-6个数量级，可以同时完成样品中常量、微量以及痕量杂质的测定；(3) ICP-AES法稳定性和测量精度良好，其分析精度可与湿式化学法媲美，且检出限较低，大多数元素的检出限可低于1mg/L；(4) ICP-AES法分析测试成本较低。进口高纯度金属材料牌子对贵金属而言，用中子活化分析灵敏度高的是Ir、Au和Rh。

电感耦合等离子体质谱法电感耦合等离子质谱法(InductivelyCoupledplasmaMassspcetromeytr，ICP-MS)是以ICP为离子源，结合质谱仪进行分析检测的无机质谱分析技术。ICP-MS综合了等离子体高离子化能力和质谱高分辨、高灵敏度及连续测定多元素的优点，检出限可低至0.001-0.1ng/mL，测定范围广，能达到5-6个数量级，是高纯金属中ng/g量级杂质元素痕量分析的重要方法。ICP-MS测定高纯金属中痕量杂质元素时，选择恰当的待测元素同位素是很重要的。一般而言，同量异位干扰比多原子干扰严重,氧化物干扰比其他多原子干扰严重。因此，选择同位素总的原则是：若无干扰，选择丰度比较高的同位素进行测定；如果干扰小，可用干扰元素进行校正；如果干扰严重，则选择丰度较低的没有干扰的同位素进行测定。目前在高纯金属分析测试中常用的方法有：外标法、内标法、标准加入法和同位素稀释法等。

金属的纯度是相对于杂质而言的，广义上杂质包括化学杂质(元素)和物理杂质(晶体缺陷)。物理杂质主要是指位错及空位等，而化学杂质是指基体以外的原子以代位或填隙等形式掺入。但只有当金属纯度达到很高的标准时(如纯度9N以上的金属)，物理杂质的概念才是有意义的，所以生产上一般以化学杂质的含量作为评价金属纯度的标准，即以主金属减去杂质总含量的百分数表示，常用N(nine的***个字母)**，如99.9999%写为6N，99.99999%写为7N。目前高纯金属纯度的表示方式主要有两种：一种是以材料的用途来表示，如“光谱纯”、“电子级纯”等；另一种是以某种特征来表示，例如半导体材料用载流子浓度，即1立方厘米的基体元素中起导电作用的杂质个数来表示，而金属主要用剩余电阻率RRR和纯度级R表示纯度。随着材料加工技术水平的提高，金属的纯度在不断提高。

铪具有熔点高、热中子截面高、高温耐腐蚀和抗氧化性好等优点，可应用于核反应堆控制棒材料、喷气式发动机和导弹上的结构材料，也可用来制造阀门、 喷管和其它耐高温零件；铪粉还可用作火箭推进剂，因此，金属铪，特别是高纯铪目前已引起国内外科技工作者的***关注，并进行了大量的研究。国内外高纯金属铪的制备方法主要有熔盐电解、碘化精炼、电子束熔炼和电子束悬浮区熔炼等。熔盐电解精炼法熔盐电解提纯金属铪，通常将海绵铪、镁还原或钙还原得到的金属铪烧结压块作为阳极，以不锈钢、钼或铂等为阴极，电解质通常为氯化物体系或氯化物一氟化物体系。熔盐电解精炼铪的原理是，在直流电作用下使电性正于铪的元素留在阳极中(如 铁、镍、钼、当金属纯度提高以后，也能进一步明确杂质对金属性能的影响。进口高纯度金属材料牌子

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但是由于ICP-MS主要采用溶液进样，容易引入外界污染，液体进样带来的基体干扰也比较严重，空白值较高，前处理时间较长，样品的整个分析速度难以完全令人满意。采用一些分离富集手段和一些前处理方式，能够更好地使其满足高纯金属样品的分析测试需求。如激光烧蚀样品技术(LA)与ICP-MS的联用能够**减少了样品前处理的时间。然而，由于缺少相应的固样标准样品，该法的精密度和准确度还有待于进一步的提高，目前多用于快速分析或成分简单、分布均一的样品。通过与离子色谱(IC)联用分离高纯金属基体，并采用膜去溶装置吹扫溶剂蒸汽，能够有效降低相关杂质元素的检出限。此外，使用流动注射进样(FI)能够克服ICP-MS要求可溶性固体(TDS)含量低的缺点，还能克服基体效应，是一种非常好的分析测试手段。崇明区什么是高纯度金属材料

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