什么是高纯度金属材料发展现状

除杂反应，**终冷凝成纯度较高金属锭的一种真空熔炼方法。电子束熔炼能有效地去除难熔金属中的低沸点、高饱和蒸汽压 杂质，以及C，N，O等气体杂质。同时，铸锭按自下而上顺序凝固也能有效地促使非金属间隙杂质的上浮，而且电子束可控性好，可以保证熔池温度均匀， 精确控制熔体化学成分，得到表面质量和结晶组织优良的金属锭。另外，电子束熔炼对原材料的形状没有限制不仅能熔化棒料还可以熔化块状屑状或粉末状的原料。然而，当金属中杂质含量较高时，其除杂效果受限，且存在耗电量大，成本高的问题。化合物种类繁多，达一千多万种，有的化合物由阴阳离子构成。什么是高纯度金属材料发展现状

中子活化分析法中子活化分析（NAA）的灵敏度高，准确度好，污染少，适用于高纯金属、地质样品、宇宙物质液体、固体等各类样品中超痕量金属的测定。特别是NAA的无损分析特性消除了多数其它痕量分析方法中可能破坏溯源链的**危险的环节一样品制备和溶解过程中可能带来的待测元素的污染或丢失。由于活化之后的放化操作可以加入载体和反载体以克服“**浓”行为和无需定量分离，因此由样品处理引起的污染和丢失危险远远低于其它方法。在约10n·cm·s的通量下，NAA从可测定周期表中的绝大多数元素，测定范围为1010g/g。NAA是目前***能够同时测定Cl、Br、I的***方法。为克服基体效应，进行预富集与方法分离对于NAA法也是非常必要的。北京标准高纯度金属材料总之，ICP-MS法是目前高纯金属痕量杂质分析检测中应用多的分析检测方法。

纯度很高、 所含杂质常以百万分之几计算的金属。由于它们的性能与一般工业纯金属***不同，因而获得了特殊用途。例如制备半导体材料用的锗、铟、镓等金属要 求达到99.999%以上的纯度。高纯金属还大量用于科研领域。纯度要求更高的金属 (其中杂质含量甚至降至十亿分之一以下) 称为 “超纯金属”。高纯金属(iHhgPuriytMetals)是现代多种高新技术的综合产物。随着半导体技术、宇航、无线电科技等的发展，对金属纯度要求越来越高，也**促进了高纯金属生产的发展。因为在金属未能达到一定纯度的情况下，金属特性往往会被杂质所掩盖，所以痕量杂质甚至超痕量杂质的存在都会影响金属的性能。例如过去钨曾被用作灯泡的灯丝，由于脆性而使处理上有困难，但在适当提纯之后，这种缺点即可以克服(钨丝也有掺杂及加工问题)。

金属的纯度是相对于杂质而言的，广义上杂质包括化学杂质(元素)和物理杂质(晶体缺陷)。物理杂质主要是指位错及空位等，而化学杂质是指基体以外的原子以代位或填隙等形式掺入。但只有当金属纯度达到很高的标准时(如纯度9N以上的金属)，物理杂质的概念才是有意义的，所以生产上一般以化学杂质的含量作为评价金属纯度的标准，即以主金属减去杂质总含量的百分数表示，常用N(nine的***个字母)**，如99.9999%写为6N，99.99999%写为7N。目前高纯金属纯度的表示方式主要有两种：一种是以材料的用途来表示，如“光谱纯”、“电子级纯”等；另一种是以某种特征来表示，例如半导体材料用载流子浓度，即1立方厘米的基体元素中起导电作用的杂质个数来表示，而金属主要用剩余电阻率RRR和纯度级R表示纯度。还有薄膜材料、光电材料等材料。

随着材料加工技术水平的提高，金属的纯度在不断提高，但要制备***纯的金属是不可能的。所谓的“高纯”和“超纯”具有相对的含义，是指技术上达到的标准。由于科学技术的发展，也使得“高纯”和“超纯”的标准在不断升级。例如过去高纯金属的杂质为ppm级(即百万分之几)，超纯半导体材料的杂质为ppb级(十亿分之几)，而现在己经逐步发展到以ppb级(十亿分之几)和ppt级(一万亿分之几)来表示。同时各个金属的提纯难度不尽相同，如半导体材料中称9N以上为高纯,而难熔金属达6N己属超高纯无机化合物：无机化合物为不含碳氢化合物。秦淮区高科技高纯度金属材料

每年都会参加相关的论坛讲座。什么是高纯度金属材料发展现状

电感耦合等离子体质谱法电感耦合等离子质谱法(InductivelyCoupledplasmaMassspcetromeytr，ICP-MS)是以ICP为离子源，结合质谱仪进行分析检测的无机质谱分析技术。ICP-MS综合了等离子体高离子化能力和质谱高分辨、高灵敏度及连续测定多元素的优点，检出限可低至0.001-0.1ng/mL，测定范围广，能达到5-6个数量级，是高纯金属中ng/g量级杂质元素痕量分析的重要方法。ICP-MS测定高纯金属中痕量杂质元素时，选择恰当的待测元素同位素是很重要的。一般而言，同量异位干扰比多原子干扰严重,氧化物干扰比其他多原子干扰严重。因此，选择同位素总的原则是：若无干扰，选择丰度比较高的同位素进行测定；如果干扰小，可用干扰元素进行校正；如果干扰严重，则选择丰度较低的没有干扰的同位素进行测定。目前在高纯金属分析测试中常用的方法有：外标法、内标法、标准加入法和同位素稀释法等。什么是高纯度金属材料发展现状

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