建邺区本地高纯度金属材料

对贵金属而言，用中子活化分析灵敏度比较高的是Ir、Au和Rh。该方法的检出限很低，可以和CIP-MS法媲美。用试金一中子活化和ICP-MS分析地质样品中铂族元素，发现用中子活化分析Ir的检出限高十倍，其余的比IC-MS低，两种方法可以互补。但是核辐射对人体有害，且需要小型反应堆，设备受到地域限制，使用难以普及。原子发射光谱法原子发射光谱法(AES)是测定高纯金属或半导体材料中痕量杂质的主要分析方法之一，常采用预富集与AES测定联用技术。这种联用技术既保持了AES同时检测多元素的特点，又克服了基体效应和复杂组分的干扰，也便于引进行利于痕量元素激发的缓冲剂，从而提高了检测灵敏度。总之，ICP-MS法是目前高纯金属痕量杂质分析检测中应用多的分析检测方法。建邺区本地高纯度金属材料

随着材料加工技术水平的提高，金属的纯度在不断提高，但要制备***纯的金属是不可能的。所谓的“高纯”和“超纯”具有相对的含义，是指技术上达到的标准。由于科学技术的发展，也使得“高纯”和“超纯”的标准在不断升级。例如过去高纯金属的杂质为ppm级(即百万分之几)，超纯半导体材料的杂质为ppb级(十亿分之几)，而现在己经逐步发展到以ppb级(十亿分之几)和ppt级(一万亿分之几)来表示。同时各个金属的提纯难度不尽相同，如半导体材料中称9N以上为高纯,而难熔金属达6N己属超高纯建邺区本地高纯度金属材料又假如一纯质可以分解为二种或二种以上之质，则原来之质必为化合物。

除杂反应，**终冷凝成纯度较高金属锭的一种真空熔炼方法。电子束熔炼能有效地去除难熔金属中的低沸点、高饱和蒸汽压 杂质，以及C，N，O等气体杂质。同时，铸锭按自下而上顺序凝固也能有效地促使非金属间隙杂质的上浮，而且电子束可控性好，可以保证熔池温度均匀， 精确控制熔体化学成分，得到表面质量和结晶组织优良的金属锭。另外，电子束熔炼对原材料的形状没有限制不仅能熔化棒料还可以熔化块状屑状或粉末状的原料。然而，当金属中杂质含量较高时，其除杂效果受限，且存在耗电量大，成本高的问题。

高纯金属铬的特点是：主成分高（≥99.7%），杂质含量少，特别是气体氧、硫、氮含量低（C 0.025%、O 0.04%、N 0.003%、S 0.002%）。高纯金属铬主要用于电气的触头，其使用周期长，不发生打弧粘连现象；可用超级合金作添加剂生产飞机涡轮机的叶片，耐高温、抗氧化、抗振动、抗蠕变性能强；也用于做各种等离子和电子束溅喷的铬靶及电子行业的半导体、芯片等，在特色玻璃加工行业也得到广泛应用。国内高纯金属铬的生产厂家主要为沈宏公司，由于其采用的生产工艺不同，因此，其生产的金属铬中杂质硅含量较低，在0.1%以下，可以满足国内外市场对低硅金属铬的需求请问什么叫做高纯度金属材料。

电感耦合等离子体质谱法电感耦合等离子质谱法(InductivelyCoupledplasmaMassspcetromeytr，ICP-MS)是以ICP为离子源，结合质谱仪进行分析检测的无机质谱分析技术。ICP-MS综合了等离子体高离子化能力和质谱高分辨、高灵敏度及连续测定多元素的优点，检出限可低至0.001-0.1ng/mL，测定范围广，能达到5-6个数量级，是高纯金属中ng/g量级杂质元素痕量分析的重要方法。ICP-MS测定高纯金属中痕量杂质元素时，选择恰当的待测元素同位素是很重要的。一般而言，同量异位干扰比多原子干扰严重,氧化物干扰比其他多原子干扰严重。因此，选择同位素总的原则是：若无干扰，选择丰度比较高的同位素进行测定；如果干扰小，可用干扰元素进行校正；如果干扰严重，则选择丰度较低的没有干扰的同位素进行测定。目前在高纯金属分析测试中常用的方法有：外标法、内标法、标准加入法和同位素稀释法等。化合物组成元素必须用化学方法才可分离。建邺区高科技高纯度金属材料

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但是由于ICP-MS主要采用溶液进样，容易引入外界污染，液体进样带来的基体干扰也比较严重，空白值较高，前处理时间较长，样品的整个分析速度难以完全令人满意。采用一些分离富集手段和一些前处理方式，能够更好地使其满足高纯金属样品的分析测试需求。如激光烧蚀样品技术(LA)与ICP-MS的联用能够**减少了样品前处理的时间。然而，由于缺少相应的固样标准样品，该法的精密度和准确度还有待于进一步的提高，目前多用于快速分析或成分简单、分布均一的样品。通过与离子色谱(IC)联用分离高纯金属基体，并采用膜去溶装置吹扫溶剂蒸汽，能够有效降低相关杂质元素的检出限。此外，使用流动注射进样(FI)能够克服ICP-MS要求可溶性固体(TDS)含量低的缺点，还能克服基体效应，是一种非常好的分析测试手段。建邺区本地高纯度金属材料

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