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EVG®510晶圆键合机系统：用于研发或小批量生产的晶圆键合系统-与大批量生产设备完全兼容。特色：EVG510是一种高度灵活的晶圆键合系统，可以处理从碎片到200mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，例如阳极，玻璃粉，焊料，共晶，瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化，转换时间不到5分钟。这种多功能性非常适合大学、研发机构或小批量生产应用。EVG大批量制造工具（例如EVGGEMINI）上的键合室设计相同，键合程序易于转移，可轻松扩大生产规模。EVG键合机顶部和底部晶片的独li温度控制补偿了不同的热膨胀系数，实现无应力键合和出色的温度均匀性。美元价键合机可以免税吗

EVG®850LT特征利用EVG的LowTemp™等离子基活技术进行SOI和直接晶圆键合适用于各种熔融/分子晶圆键合应用生产系统可在高通量，高产量环境中运行盒到盒的自动操作（错误加载，SMIF或FOUP）无污染的背面处理超音速和/或刷子清洁机械平整或缺口对准的预键合先进的远程诊断技术数据：晶圆直径（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自动盒带到盒带操作预键合室对准类型：平面到平面或凹口到凹口对准精度：X和Y：±50µm，θ：±0.1°结合力：ZUI高5N键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活真空系统：9x10-2mbar（标准）和9x10-3mbar（涡轮泵选件） 广东SUSS键合机EVG的各种键合对准（对位）系统配置为各种MEMS和IC研发生产应用提供了多种优势。

针对表面带有微结构硅晶圆的封装展开研究，以采用 Ti / Au 作为金属过渡层的硅—硅共晶键合为对象，提出一种表面带有微结构的硅—硅共晶键合工艺，以亲水湿法表面活化处理降低硅片表面杂质含量，以微装配平台与键合机控制键合环境及温度来保证键合精度与键合强度，使用恒温炉进行低温退火，解决键合对硅晶圆表面平整度和洁净度要求极高，环境要求苛刻等问题。高低温循环测试试验与既定拉力破坏性试验结果表明: 提出的工艺在保证了封装组件封装强度的同时，具有工艺温度低、容易实现图形化、应力匹配度高等优点。

EVG®820层压系统 将任何类型的干胶膜（胶带）自动无应力层压到晶圆上 特色 技术数据 EVG820层压站用于将任何类型的干胶膜自动，无应力地层压到载体晶片上。这项独特的层压技术可对卷筒上的胶带进行打孔，然后将其对齐并层压到晶圆上。该材料通常是双面胶带。利用冲压技术，可以自由选择胶带的尺寸和尺寸，并且与基材无关。 特征 将任何类型的干胶膜自动，无应力和无空隙地层压到载体晶片上在载体晶片上精确对准的层压 保护套剥离 干膜层压站可被集成到一个EVG®850TB临时键合系统 技术数据 晶圆直径（基板尺寸） 高达300毫米 组态 1个打孔单元 底侧保护衬套剥离 层压 选件 顶侧保护膜剥离 光学对准 加热层压EVG键合机可使用适合每个通用键合室的砖用卡盘来处理各种尺寸晶圆和键合工艺。

晶圆级封装是指在将要制造集成电路的晶圆分离成单独的电路之前，通过在每个电路周围施加封装来制造集成电路。由于在部件尺寸以及生产时间和成本方面的优势，该技术在集成电路行业中迅速流行起来。以此方式制造的组件被认为是芯片级封装的一种。这意味着其尺寸几乎与内部电子电路所位于的裸片的尺寸相同。集成电路的常规制造通常开始于将在其上制造电路的硅晶片的生产。通常将纯硅锭切成薄片，称为晶圆，这是建立微电子电路的基础。这些电路通过称为晶圆切割的工艺来分离。分离后，将它们封装成单独的组件，然后将焊料引线施加到封装上。 EVG下的GEMINI系列是自动化生产晶圆键合系统。青海SUSS键合机

EVG键合机可配置为黏合剂、阳极、直接/熔融、玻璃料、焊料（包括共晶和瞬态液相）和金属扩散、热压缩工艺。美元价键合机可以免税吗

共晶键合［8，9］是利用某些共晶合金熔融温度较低的特点，以其作为中间键合介质层，通过加热熔融产生金属—半导体共晶相来实现。因此，中间介质层的选取可以很大程度影响共晶键合的工艺以及键合质量。中间金属键合介质层种类很多，通常有铝、金、钛、铬、铅—锡等。虽然金—硅共熔温度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶体的一种成分即为预键合材料硅本身，可以降低键合工艺难度，且其液相粘结性好，故本文采用金—硅合金共晶相作为中间键合介质层进 行表面有微结构的硅—硅共晶键合技术的研究。而金层与 硅衬底的结合力较弱，故还要加入钛金属作为黏结层增强金层与硅衬底的结合力，同时钛也具有阻挡扩散层的作用， 可以阻止金向硅中扩散［10，11］。 美元价键合机可以免税吗