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    或使流过晶闸管的正向电流小于维持电流。可关断晶闸管克服了上述缺陷，当控制极G加上正脉冲电压时晶闸管导通，当控制极G加上负脉冲电压时晶闸管关断。可关断晶闸管是理想的高电压、大电流开关器件。例如，DG系列大功率叮关断晶闸管高电压可达4500v、大电流可达3000A。怎样检测晶闸管晶闸管可用万用表电阻挡进行检测，下面分别介绍不同类型晶闸管的检测方法。(1)检测单向晶闸管首先将万用表置于“RX10Ω”挡，黑表笔（表内电池正极，接控制极G，红表笔接阴极K，如图4-57所示，这时测量的是PN结的正向电阻，应有较小的阻值。对调两表笔后测其反向电阻，应比正向电阻明显大一些。黑表笔仍接控制极G，红表笔改接至阳极A，阻值应为无穷大，如图4-58所示。对凋两表笔后冉测，阻值仍应为无穷大。这是因为G、A间为两个PN结反向串联，正常情况下正、反向电阻均为无穷大。接着检测导通特性，将万用表置于“RX1Ω”挡，黑表笔接阳极A，红表笔接阴极K，表针指示应为无穷大。用螺钉旋具等金属物将控制极G与阳极A短接一下（短接后即断开），表针应向右偏转并保持在十几欧姆处，如图4-59所示。否则说明该品闸管已损坏。(2)检测双向晶闸管检测时，万用表置于“RX1Ω”挡。 金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种。安徽Infineon英飞凌晶闸管货源充足

    在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。2、使用可控硅之前，应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时，应立即更换。3、严禁用兆欧表（即摇表）检查元件的绝缘情况。4、电流为5A以上的可控硅要装散热器，并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅管心接触良好，它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂，以帮于良好的散热。5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。6、要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿。损坏原因判别/晶闸管编辑当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时，可把管芯从冷却套中取出，打开芯盒再取出芯片，观察其损坏后的痕迹，以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，其位置在远离控制极上。3、电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同，而其位置在控制极附近或就在控制极上。4、边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。 海南代理Infineon英飞凌晶闸管工厂直销在使用过程中，晶闸管对过电压是很敏感的。

    晶闸管模块-晶闸管在电路中的主要用途来源：浏览量：载入中...发布时间：晶闸管模块基本的用途是可控整流。二极管整流电路中用晶闸管代替二极管，就可以形成可控整流电路。在正弦交流电压U2的正半周内，如果vs的控制极不输入触发脉冲UG，vs仍不能接通。只有当U2处于正半周时，当触发脉冲UG施加到控制极时，晶闸管才接通。现在，绘制其波形(图4(c)和(d))，可以看到只有当触发脉冲UG到达时，负载RL具有电压UL输出(波形上的阴影)。当UG到达较早时，晶闸管导通时间较早；UG到达较晚时，晶闸管导通时间较晚。通过改变触发脉冲Ug在控制极上的到达时间，可以调节负载上输出电压的平均UL(阴影部分的面积)。在电工技术中，交流电的半周常被设定为180度，称为电角。因此，在U2的每一个正半周期中，从零值到触发脉冲到达时刻的电角称为控制角α，每个正半周期中晶闸管导电的电角称为导通角θ。显然，α和θ都用来表示晶闸管在正向电压半周内的通断范围。通过改变控制角度0或导通角theta，可通过改变负载上的脉冲直流电压的平均ul来实现可控整流器。

    高可承受电流上升率di/dt为20kA/us。门极可承受触发电流大值为2000A，触发电流上升率di/dt大为1000A/us。但是此种开关所能承受的反向电压较低，因此还只能在特定的脉冲电源中使用。[1]但晶闸管本身存在两个制约其继续发展的重要因素。一是控制功能上的欠缺，普通的晶闸管属于半控型器件，通过门极（控制极）只能控制其开通而不能控制其关断，导通后控制极即不再起作用，要关断必须切断电源，即令流过晶闸管的正向电流小于维持电流。由于晶闸管的关断不可控的特性，必须另外配以由电感、电容及辅助开关器件等组成的强迫换流电路，从而使装置体积增大，成本增加，而且系统更为复杂、可靠性降低。二是因为此类器件立足于分立元件结构，开通损耗大，工作频率难以提高，限制了其应用范围。1970年代末，随着可关断晶闸管（GTO）日趋成熟，成功克服了普通晶闸管的缺陷，标志着电力电子器件已经从半控型器件发展到全控型器件。 晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。

    晶闸管晶体闸流管简称为品闸管，也叫做可控硅，是一种具有三个PN结的功率型半导体器件。因为它可以像闸门一样控制电流，所以称之为“晶体闸流管”。晶体闸流管是常用的功率型半导体控制器件之一，具有的用途。如图4-42所尔为部分常见晶体闸流管。晶体闸流管种类和规格很多，适用于各种不同的场合。根据控制特性的不同，晶体闸流管可分为单向晶闸管、双向晶闸管、可关断晶闸管、正向阻断晶闸管、反向阻断晶闸管、光控晶闸管等。根据电流容量的不同，晶体闸流管可分为小功率管、功率管和大功率管。根据关断速度的不同，晶体闸流管可分为普通晶闸管和高频晶闸管（工作频率>lOkHz）。根据封装和外观形式的不同，晶体闸流管可分为塑封式、陶瓷封装式、金属壳封装式、大功率螺栓式和平板式等。双向晶闸管是在单向晶闸管的基础之上开发出来的，是一种交流型功率控制器件。双向品闸管不仅能够取代两个反向并联的单向晶闸管，而且只需要一个触发电路，使用很方便。可关断晶闸管也称为门控晶闸管，是在普通晶闸管基础上发展起来的功率型控制器件。怎样识别晶闸管晶体闸流管的文字符号为“VS”，图形符号如图4-43所示。国产晶体闸流管的型号见表4-3。 逆导晶闸管的关断时间几微秒，工作频率达几十千赫，优于快速晶闸管（FSCR）。安徽Infineon英飞凌晶闸管货源充足

普通晶闸管是一种半可控大功率半导体器件，出现于70年代。安徽Infineon英飞凌晶闸管货源充足

    1]维持电流I：是指晶闸管维持导通所必需的小电流，一般为几十到几百毫安。IH与结温有关，结温越高，则I越小。擎住电流I：是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的小电流。对同一晶闸管来说，通常I约为I的2～4倍。[1]浪涌电流I：浪涌电流是指由于电路异常情况引起的使结温超过额定结温的不重复性大正向过载电流。断态电压临界上升率du/dt：是指在额定结温、门极开路的情况下，不能使晶闸管从断态到通态转换的外加电压大上升率。通态电流临界上升率di/dt：指在规定条件下，晶闸管能承受的大通态电流上升率。如果di/dt过大，在晶闸管刚开通时会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部过热而使晶闸管损坏。[1]触发技术晶闸管触发电路的作用是产生符合要求的门极触发脉冲，使得晶闸管在需要时正常开通。晶闸管触发电路必须满足以下几点要求：①触发脉冲的宽度应足够宽使得晶闸管可靠导通；②触发脉冲应有足够的幅度，对一些温度较低的场合，脉冲电流的幅度应增大为器件大触发电流的3～5倍，脉冲的陡度也需要增加，一般需达1～2A/μs；③所提供的触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额，且在门极伏安特性的可靠触发区域之内。 安徽Infineon英飞凌晶闸管货源充足