MTAC300晶闸管智能模块组件

    ：触发脉峰值电压：≥22V触发脉峰值电流：≥3A触发脉冲前沿陡度：≥2A/μS（逆变的触发脉冲变压器是外接的）比较大外型尺寸：238×175×40mm。：控制板在检测到故障信号时，输出一组接点信号，该接点容量为AC：5A/220V：DC：10A/28V。6、电路原理整个控制电路除逆变末级触发单元外，做成一块印刷电路板结构。功能上包括电源、整流触发、调节器、逆变、启动演算等，除调节器为模拟运算电路外，其余均为数字电路。组成该控制板的集成电路为IC6，型号为MPU-2，它是一块**超大规模数字集成电路，有3路时钟输入口，31路输入/输出口，内部功能包括整流移相触发、相序自适应、逆变触发、逆变引前角锁定、逆变重复起动、过流保护、过压保护、缺相保护、水压低保护、控制板欠压保护，另外还有三个。这部分电路包括三相同步、相序自适应、压控时钟、数字触发、末级驱动等电路。三相同步信号直接由晶闸管的门极引线K4、K6、K2从主回路的三相进线上取得，由R3、C1、R7、C2、R11、C3进行滤波，再经6只光电耦合器进行电位隔离，获得6个相位互差60度的矩形波同步信号（低电平有效），输入到IC6的5P-10P。在IC6的内部有相序自适应电路，确保了中频电源的三相交流输入可以不分相序。正高电气交通便利，地理位置优越。MTAC300晶闸管智能模块组件

    这里的电压差定义为：晶闸管调功器的另外一种接法是三角形连接：晶闸管电阻丝串联角接两种方法的控制方式没有区别，不再赘述。电阻星形接法与三角形接法有什么不同假设有三个电阻丝R1，R2，R3，电阻丝的阻值相等，供电电源为220V对称三相电源，把三个电阻丝分别接成星形和三角形两种接法，如果供电电源发出的电流相等，那么，电阻丝的阻值如何选择？电阻丝星接上图中，三个阻值相同的阻抗连接成星形结构，它们构成了对称三相负载，对于A相电路来说，电阻R流过的电流为：而对于采用三角形连接的电阻，如下图所示：电阻丝角接线电流Ia等于流经电阻R的电流Iab与流经电阻R的Iac的和，当三相对称电源分别接星形接法的对称电阻网络与三角形接法的对称电阻网络，产生相同的相电流，对应的星形网络和三角形网络的电阻值之间的关系：可见，对于三相对称电源，获得相同的相电流情况下，如果定义星接网络电阻值为R，则角接网络电阻值为3R。而如果把电阻值为R的星接网络改成三角形连接网络，则三角形网络的等效星形网络电阻为R/3。注意，这里把同样的电阻，由星接改成角接，得到的结果是把角接等效为星接后，电阻值缩小了三分之一。电阻结构变化对功率的影响在三相电路中。滨州MTAC40晶闸管智能模块正高电气设备的引进更加丰富了公司的设备品种，为用户提供了更多的选择空间。

晶闸管智能模块的保护

在实际应用中，除合理选择智能可控硅调压模块的额定电压及电流外，还必须采取有效的保护措施来保证晶闸管智能模块能可靠工作。

过热保护：晶闸管智能模块与其他功率器件一样，在实际工作中由于自身功耗，都会引起芯片温度上升，温度过高后，会使漏电流增加，芯片特性变软，直至过热击穿，在实际应用中，通常采用强迫风冷的方法来及时散除晶闸管工作时产生的热量，控制散热器比较高温度不超过75°，使晶闸管智能模块在安全温度下工作。

    而称之为主电极T1、T2。[15]检测单向晶闸管：万用表置于“R×10Ω”挡，黑表笔接控制极G，红表笔接阴极K，测量其正向电阻，应有较小的阻值。对调两表笔测其反向电阻，应比正向电阻明显大一些。测量控制极G与阳极A之间的正、反向电阻，均应为无穷大。这是因为G、A间为两个PN结反向串联，不论正、反向均不应导通，否则晶闸管已坏。[16]检测双向晶闸管：万用表置于“R×1Ω”挡，两表笔测量控制极G与主电极T1间的正、反向电阻，均应为较小阻值。测量控制极G与主电极T2间的正、反向电阻，均应为无穷大。[17]检测单向晶闸管导通特性：万用表置于“R×1Ω”挡，黑表笔接阳极A，红表笔接阴极K，表针指示应为无穷大。用螺丝刀等金属物将控制极G与阳极A短接一下（短接后即断开），表针应向右偏转并保持在十几欧姆处。检测双向晶闸管导通特性：黑表笔接主电极T1，红表笔接主电极T2，表针指示应为无穷大。将控制极G与主电极T2短接一下，表针应向右偏转并保持在十几欧姆处。如不符合上述情况则说明晶闸管已损坏。[18]晶闸管具有以小电流（电压）控制大电流（电压）的作用，并具有体积小、重量轻、功耗低、效率高、开关速度快等优点。正高电气累积点滴改进，迈向优良品质！

晶闸管智能模块工作原理

晶闸管智能模块用于电加热控制柜内，通过温控仪表的温度传感器来采集炉内温度，然后由恒温仪表来控制智能可控硅调压模块的输出电压，形成一个温度闭环系统，来保持炉内温度恒定。

晶闸管智能模块过压保护：

晶闸管智能模块工作时由导通到截止时或因雷击及其他原因都会产生能量较大，持续时间较长的过电压，此电压直接作用与晶闸管上会使晶闸管超过额定电压而击穿，为了保护晶闸管，常采用压敏电阻吸收与阻容吸收的方法来吸收过电压，有效避免晶闸管被击穿。 正高电气以顾客为本，诚信服务为经营理念。滨州MTAC40晶闸管智能模块

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    晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的比较低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络。MTAC300晶闸管智能模块组件

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