MTDC1000晶闸管智能模块批发

    软启动器可分为有级和无极两类，前者的调节是分档的；后者的调节是连续的。传统的软起动器均是有级的。下面我们就是主要介绍下无级类，它们是液阻软起动、磁控软起动和晶闸管软起动。在电动机定子回路，通过串入有限流作用的电力电子器件实现软起动，叫做降压或者限流软起动，它是软起动中的一个重要类别。按限流器件不同可分为：以电解液限流的液阻软起动，以磁饱和电抗器为限流启动的磁控软启动，以晶闸管为限流器件的晶闸管软起动。变频调速器也是一种软起动装置，它是比较理想的一种，它可以在限流同时保持高的起动转矩。价格贵是制约其作为软起动应用的重要因素，它主要用在变频调速系统中。一、液阻软起动器液阻是一种由电解液形成的电阻，它导电的本质是离子导电。它的阻值正比相对的二块电极板的距离，反比于电解液的电导率，极板距离和电导率都便于控制；液阻的热容量大。液阻的这两大特点（阻值可以无级控制和热容量大），恰恰是软起动所需要的。液阻软起动也有缺点：一是液阻箱容积大，其根源在于阻性限流，减小容积引起温升加大。一次软起动后电解液通常会有10-30摄氏度的温升，使软启动的重复性差。二是移动极板需要有一套伺服机构，它的移动速度较慢。正高电气具备雄厚的实力和丰富的实践经验。MTDC1000晶闸管智能模块批发

    如雷电闪光、车辆灯光等）干扰被控灯的正常工作。节能灯每晚点燃的时间由公式t≈（R3R4）C5计算，N为定时系数。当开关K断开时，定时时间约为6h，适合于冬季夜晚；当K闭合时，定时约4h，适合夏季夜晚。节能灯驱动电路由VT2、VT3等组成的逆变电路构成。节能灯电路接通时，通过VT2、VT3、变压器T1实现反馈、振荡、升压等过程，使得节能日光灯两端有160V～180V电压而点亮。点亮时消耗蓄电池电流，使用30A时蓄电池可在无太阳时连续工作一个星期。RL选择MG44-04光敏电阻。其他元器件如电路图所示。光敏电阻光控灯电路图（六）一种精密光亮光控电路图如图所示的电路为一种精密光亮光控电路，其工作不受电源电压及环境温度的影响。电阻R1、R2、R6及光敏电阻R5共同构成惠斯顿电桥的两个桥臂。光敏电阻光控灯电路图（七）此开关白天控制灯不亮，晚上有声音自动点亮，延时一段时间自动关断。将它安装在过道、厕所走廊等需要自动照明的地方，不仅方便实用，又有的节能效果。工作原理：电路如下图，220V市电通过灯丝、D3-D7、降压整流后，经过R7限流、D2、C3稳压滤波为电路提供稳定的工作电压。R4、RG组成分压电路，白天由于光照RG阻值变小，YFA1脚电位被拉低。MTDC1000晶闸管智能模块批发正高电气提供周到的解决方案，满足客户不同的服务需要。

晶闸管模块常用的保护措施

① 过电流保护

过流保护一般都推荐外接快速熔断器的方法，可将快速熔断器串联于模块的交流输入端即可，三相模块三只，单相模块一只。熔断器额定电压要大于电路工作电压，额定电流一般取负载电流的百分之七十到八十。但快速熔断器对于短路引起的过流保护效果很好，对于一般性的过流并不能起到很好的保护效果，因为两倍于快速熔断器额定值的电流在几秒内才能熔断。如果要取得较好的保护效果，除采用快速熔断器外可采用带过流保护功能的模块或具有过流保护功能的控制板。

②过电压保护

模块的过压保护，推荐使用阻容吸收和压敏电阻两种方式。

阻容吸收回路能有效晶闸管由导通到截止时产生的过电压，有效避免晶闸管被击穿。阻容吸收并联在模块每一只晶闸管芯片上即可，反并联芯片可共用一组。

晶闸管智能控制模块均采用本公司**开发的全数字移相触发集成电路,实现了控制电路与晶闸管主电路集成一体化，使模块具备了弱电控制强电的电力调控功能。 晶闸管智能模块采用进口方形芯片、高级芯片支撑板，模块压降小、功耗低，效率高,节电效果好。晶闸管智能模块采用进口贴片元件,保证了触发控制电路的可靠性。 晶闸管智能模块采用(DBC)陶瓷覆铜板，经独特处理方法和特殊焊接工艺，保证焊接层无空洞，导热性能好。热循环负载次数高于国家标准近10倍。 5 (5)晶闸管智能模块采用高级导热绝缘封装材料，绝缘、防潮性能优良。 晶闸管模块采用触发控制电路、主电路与导热底板相互隔离，导热底板不带电．绝缘强度≥2500V (RMS)，保证人身安全。晶闸管智能调压器又称之为可控硅整流元件，它是由三个P内结构组合而成的一种大功率半导体器件。从性能上来说，晶闸管智能调压器具有单向导电性和可控性两种优势，但它只有导通和关断两种状态。正高电气累积点滴改进，迈向优良品质！

    以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管（GTR），只是工作频纺比GTR低。目前，GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件，其结构及等效电路和普通晶闸管相同，因此图1*绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。尽管GTO与SCR的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和，所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益，βoff，它等于阳极比较大可关断电流IATM与门极比较大负向电流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大，说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然，βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。1．判定GTO的电极将万用表拨至R×1档，测量任意两脚间的电阻，*当黑表笔接G极，红表笔接K极时，电阻呈低阻值。正高电气重信誉、守合同，严把产品质量关，热诚欢迎广大用户前来咨询考察，洽谈业务！MTDC1000晶闸管智能模块批发

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    [1]单结管即单结晶体管，又称为双基极二极管，是一种具有一个PN结和两个欧姆电极的负阻半导体器件。常见的有陶瓷封装和金属壳封装的单结晶体管。[2]单结晶体管可分为N型基极单结管和P型基极单结管两大类。单结晶体管的文字符号为“VT”，图形符号如图所示。[3]单结晶体管的主要参数有：①分压比η，指单结晶体管发射极E至基极B1间的电压（不包括PN结管压降）在两基极间电压中所占的比例。②峰点电压UP，是指单结晶体管刚开始导通时的发射极E与基极B1的电压，其所对应的发射极电流叫做峰点电流IP。③谷点电压UV，是指单结晶体管由负阻区开始进入饱和区时的发射极E与基极B1间的电压，其所对应的发射极电流叫做谷点电流IV。[4]单结晶体管共有三个管脚，分别是：发射极E、基极B1和第二基极B2。图示为两种典型单结晶体管的管脚电极。[5]单结晶体管**重要的特性是具有负阻性，其基本工作原理如图示（以N基极单结管为例）。当发射极电压UE大于峰点电压UP时，PN结处于正向偏置，单结管导通。随着发射极电流IE的增加，大量空穴从发射极注入硅晶体，导致发射极与基极间的电阻急剧减小，其间的电位也就减小，呈现出负阻特性。[6]检测单结晶体管时，万用表置于“R×1k”挡。MTDC1000晶闸管智能模块批发

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