代理分销商I-CORE中微爱芯AiP31520 发布时间：2024.04.04

AIP1948是一款功能强大的LED驱动控制电路，主要用于多笔段的LED显示面板场合，如电动车、空调、热水器等设备的显示面板。它内部集成了MCU数字接口、数据锁存器、RC振荡器等电路，使得它在各种...

规格书I-CORE中微爱芯AiP31107E 发布时间：2024.04.03

AIP1721是一种带键盘扫描接口的LCD驱动控制电路，内部集成了MCU数字接口、数据锁存器、LCD驱动、键盘扫描、幻彩背光驱动等电路。它主要用于驱动32列4行的LCD屏幕，并具备带按键和背光...

中文资料I-CORE中微爱芯AiP2003LSA.TR 发布时间：2024.04.03

AIP74HC123是一款高速硅栅CMOS器件，它是2路的单稳态触发器。这款触发器具有多种功能和应用，是数字电路中常见的关键元件。 在AIP74HC123中，基本脉冲的宽度可以通过选...

I-CORE中微爱芯AiP8563 发布时间：2024.04.03

AiP74LVC2G04GB236.TR是一款由中微爱芯（I-CORE）推出的2路反相器逻辑芯片。这款芯片在逻辑电路中扮演着重要的角色，能够实现输入信号的反相处理，即将高电平信号转换为低电平信...

规格书I-CORE中微爱芯AiP8P00SA 发布时间：2024.04.02

AIP74LVC2G74YA8.TR是一款来自中微爱芯品牌的逻辑芯片，它可能属于74系列逻辑电路的一部分。这款芯片可能具备以下一些特性和功能： 逻辑功能实现：AIP74LVC2G74...

代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5485E 发布时间：2024.04.02

WS4665是一个单通道负载开关，提供可配置的上升时间以极小化涌流。该设备包含一个N型MOSFET，可以在0.8V至5.5V的输入电压范围内工作，并支持连续电流上线为6A。开关由开/关输入...

规格书WILLSEMI韦尔ESD5681N24 发布时间：2024.04.02

ESD5311X是一款极低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，免受由静电放电（ESD）引起的过应力影响。ESD531...

I-CORE中微爱芯AiP8P006A 发布时间：2024.04.02

CD4069是一款包含六个COS/MOS反相器电路的芯片。这款芯片主要被用作通用反相器，在不需要率TTL驱动和逻辑电平转换的电路中特别有用。它的每个反相器都是一个非门，即具有一个输入端和一个输...

I-CORE中微爱芯AiP3368H 发布时间：2024.04.01

AiP74LVC2G04GB236.TR是一款由中微爱芯（I-CORE）推出的2路反相器逻辑芯片。这款芯片在逻辑电路中扮演着重要的角色，能够实现输入信号的反相处理，即将高电平信号转换为低电平信...

规格书BEILING贝岭BL25CM1A 发布时间：2024.04.01

BL1555MM是一种模拟开关芯片，由上海贝岭（Belling）公司生产。这款芯片是表面贴装型（SurfaceMountDevice，SMD），采用MSOP10_3X3MM封装规格，具有小型化...

中文资料WILLSEMI韦尔WNM2077 发布时间：2024.04.01

WPM3401：单P沟道、-30V、-4.6A功率MOSFET WPM3401是一种P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别定制于...

规格书BEILING贝岭BL1117 发布时间：2024.03.31

BL0937是一款电能计量芯片，专为单相电能测量而设计。它结合了高精度ADC（模数转换器）和其他相关电路，能够提供准确的电能计量功能。 BL0937具有一些的特点和优势： 高精...

规格书BEILING贝岭BLP12N10GL-Q 发布时间：2024.03.31

BLM3400是一款n通道增强模式电源MOSFET管，采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。它适用于电池保护和其他开关应用程序。 BL...

规格书WILLSEMI韦尔WCN770N15DN 发布时间：2024.03.31

SD5302F是一款专为保护高速数据接口设计的极低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列。它特别设计用于保护连接到数据线和传输线的敏感电子组件免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD53...

中文资料WILLSEMI韦尔WD1072D 发布时间：2024.03.31

ESD9X5VL是一款单向瞬态电压抑制器（TVS），为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供极高水平的保护。它被设计用于替代消费设备中的多层变阻器（MLV），适用于手机、笔记本电脑...

中文资料I-CORE中微爱芯AIP74LVC2G14GB236.TR 发布时间：2024.03.31

AiP74LVC2G08TA8.TR可能是一款由中微爱芯推出的2输入与门集成电路。这种集成电路属于74系列逻辑电路，具有基本的数字逻辑门电路功能。它有两个输入端（A、B）和一个输出端。只有当两...

代理分销商BEILING贝岭BL8503-33PSM 发布时间：2024.03.31

BL9193-ADBAPRN是一款由上海贝岭（Belling）公司生产的稳压器（恒压变压器）。该设备采用了SOT-23-5封装形式，具有多种特性和优势，适用于广泛的应用场景。 BL9...

规格书WILLSEMI韦尔WNMD2166 发布时间：2024.03.31

ESD5304D是一个专为保护连接到数据和传输线的敏感电子组件免受静电放电（ESD）引起的过应力而设计的极低电容瞬态电压抑制器（TVS）阵列。它结合了四对极低电容转向二极管和一个TVS二极...

规格书WILLSEMI韦尔WSB5558N 发布时间：2024.03.31

BL1551B是一款模拟开关，具体地说：它是一个单通道、高带宽的单刀双掷（SPDT）模拟开关。这种开关特别适用于数据和音频信号的切换。 以下是BL1551B的主要特性和优势： ...

中文资料WILLSEMI韦尔ESD56161D04 发布时间：2024.03.31

RB521C30：肖特基势垒二极管 · 重复峰值反向电压 VRM 30 V · 直流反向电压 VR 30 V · 平均整流正向电流 IO 100 mA 产品特性： ...

中文资料BEILING贝岭BL8074 发布时间：2024.03.30

BL9366是一款由上海贝岭（Belling）生产的单片降压开关模式转换器功率场效应管。 BL9366内部集成了功率MOSFET管，采用电流模式控制方式，具有快速环路响应和高环路稳定...

规格书WILLSEMI韦尔WNM6012 发布时间：2024.03.30

RB521C30：肖特基势垒二极管 · 重复峰值反向电压 VRM 30 V · 直流反向电压 VR 30 V · 平均整流正向电流 IO 100 mA 产品特性： ...

代理分销商I-CORE中微爱芯AiP9M252L 发布时间：2024.03.30

AIP9792是一款由中微爱芯电子有限公司生产的通用单芯片LCD驱动电路。这款驱动电路具有与大多数微处理器/微控制器兼容的特点，并能通过双线总线进行通讯。其主要应用于电动车仪表盘、电表等低功耗...

中文资料WILLSEMI韦尔WNMD02127C 发布时间：2024.03.30

ESD56151Wxx：电源保护新选择 ESD56151Wxx双向瞬态电压抑制器，是为现代电子设备中的电源接口设计。它的反向截止电压范围是4.5V至5V，有效保护电路免受过高电压的...

I-CORE中微爱芯AiP8P601A 发布时间：2024.03.30

CS1622是一款存储映射多功能LCD控制电路，专为MCU（微控制器）设计，用于扩展显示功能。这款芯片最大支持256（32×8）点阵显示，适用于多种LCD应用场合，如LCD模块和显示子系统等。...

规格书BEILING贝岭BL1511 发布时间：2024.03.30

ULN2803是一款高电压大电流达林顿晶体管阵列，特别适用于低逻辑电平数字电路（诸如TTL,CMOS或PMOS/NMOS）和较高的电流/电压要求之间的接口。该器件由八个NPN达林顿管组成，每个...

中文资料BEILING贝岭BL93C66A 发布时间：2024.03.30

BL24C512A-SFRC是一款EEPROM（ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory，电可擦写可编程只读存储器）芯片，由上海贝岭（Be...

规格书BEILING贝岭BL8033CB6TR 发布时间：2024.03.30

BL1532MSOP是一种低功耗、双端口、高速、USB2.0（480Mbps）双极双掷（DPDT）模拟开关。这种开关在VCC=3V时的电阻为4.5欧姆，低电容为3.7pf。它的封装形式是MSO...

规格书I-CORE中微爱芯AiP74HCT245TA20.TR 发布时间：2024.03.30

AIP1621A是一种128点阵式存储映射多功能LCD驱动电路。它具有一些的特点和功能： 1.S/W结构特点使其特别适合点阵式LCD显示，包括LCD模块和显示子系统。 2....

中文资料WILLSEMI韦尔WCR190N65TF 发布时间：2024.03.30

ESD5451X是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬态（EFT）和雷电引起的过应力影响。根据IE...