中文资料BEILING贝岭BL1063 发布时间：2024.04.10

BL1532MSOP是一种低功耗、双端口、高速、USB2.0（480Mbps）双极双掷（DPDT）模拟开关。这种开关在VCC=3V时的电阻为4.5欧姆，低电容为3.7pf。它的封装形式是MSO...

代理分销商BEILING贝岭BL9362 发布时间：2024.04.09

BL0940是一款由上海贝岭（Belling）生产的电能计量芯片。 BL0940是一款内置时钟免校准电能计量芯片，适用于单相多功能电能表、智能插座、智能家电等领域。它集成了两路高精度...

代理分销商WILLSEMI韦尔WL28661D 发布时间：2024.04.08

WNM2021：单N沟道、20V、0.6A功率MOSFET 产品描述 WNM2021是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS(ON)和...

代理分销商BEILING贝岭BLPO3N10-BA/T 发布时间：2024.04.08

BL1117-33CX是一款3.3V输出的低压差线性稳压器（LDO），属于BL1117系列。 该系列稳压器提供多种固定输出电压版本，包括1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3...

规格书BEILING贝岭BL8033 发布时间：2024.04.08

BL3085(I47)是一款半双工的RS-485收发器，由上海贝岭生产。这款芯片内部包含一路驱动器和一路接收器，使用限摆率驱动器，能减小EMI和由于不恰当的终端匹配电缆所引起的反射，并实现高达...

中文资料WILLSEMI韦尔WH2503D 发布时间：2024.04.08

WAS3157B是一款高性能的单刀双掷（SPDT）CMOS模拟开关，专为总线切换或音频切换应用设计。它具备高达400MHz的-3dB带宽和低导通电阻（典型值为5.5Ω）。此外，其SEL引脚...

中文资料I-CORE中微爱芯CD4017SA.TB 发布时间：2024.04.07

74HC4051是一款高速的CMOS器件，具有多个重要特性和应用。 首先，它内置了8通道模拟输入/输出引脚（Y0~Y7）和3个数字输入引脚（A0~A2），这些引脚用于选择特定的通道。...

I-CORE中微爱芯AIP74HC148SA.TR 发布时间：2024.04.07

AIP31623是一款48列8行LCD驱动控制电路，专为MCU（微控制器）设计，用于扩展显示功能。它支持显示的笔段数为384段（48×8），并且具有多种功能特点。 首先，AIP316...

代理分销商BEILING贝岭BL2556ACB5TR 发布时间：2024.04.07

BL3085(I47)是一款半双工的RS-485收发器，由上海贝岭生产。这款芯片内部包含一路驱动器和一路接收器，使用限摆率驱动器，能减小EMI和由于不恰当的终端匹配电缆所引起的反射，并实现高达...

代理分销商WILLSEMI韦尔ESD63091CN 发布时间：2024.04.06

WL2801E系列是一款高精度、低噪声、高速、低压差CMOS线性稳压器，具有优异的纹波抑制能力。该系列为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了经济高效的新一代性能。其电流限制器的折回电路不...

代理分销商BEILING贝岭BL8063 发布时间：2024.04.06

BLM3400是一款n通道增强模式电源MOSFET管，采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。它适用于电池保护和其他开关应用程序。 BL...

代理分销商BEILING贝岭BLPO22N08-T 发布时间：2024.04.06

BL24C16F-RRRC是一款由上海贝岭（Belling）生产的EEPROM（ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory，电可擦写可编程只...

I-CORE中微爱芯AiP32L1032 发布时间：2024.04.06

AiP74LVC2G08TA8.TR可能是一款由中微爱芯推出的2输入与门集成电路。这种集成电路属于74系列逻辑电路，具有基本的数字逻辑门电路功能。它有两个输入端（A、B）和一个输出端。只有当两...

代理分销商WILLSEMI韦尔WCR1K2N65TG 发布时间：2024.04.06

WSB5546N-肖特基势垒二极管 特性： · 低反向电流 · 0.2A平均整流正向电流 · 无铅和无卤素：WSB5546N是一款环保产品，不含铅和卤素。 · 快速开...

中文资料I-CORE中微爱芯AiP1968 发布时间：2024.04.05

AiP8002SA8.TR是一款音频功率放大器，具体来自中微爱芯品牌。这款放大器具有一些的特点和优势，使其成为音频应用中的理想选择。 首先，AiP8002SA8.TR是一款带关断模式...

规格书I-CORE中微爱芯AiP650 发布时间：2024.04.05

M62429L是一款串行数据控制的双声道电子音量控制器芯片。这款芯片允许每个声道进行控制，音量范围从0dB到-83dB，每级可控1dB。它采用内置参考源电路组成电子音量控制器，使用时需要较少的...

中文资料I-CORE中微爱芯CS16312 发布时间：2024.04.05

AIP3368是一款由中微爱芯生产的数码管驱动芯片，它集成了数码管、按钮和LED指示灯的驱动功能。作为一款内建双锁存的16路恒流LED驱动控制电路，AIP3368具有按键扫描和LED灯光控制功...

代理分销商WILLSEMI韦尔WPT2E33 发布时间：2024.04.05

WNM6002是一种N型增强型MOS场效应晶体管，利用先进的沟槽和电荷控制设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于电源开关、负载开关和充电电路。标准产品WNM6002为...

规格书BEILING贝岭BLL2620 发布时间：2024.04.05

BL24C512A-PARC是一款高性能、低功耗、可靠性强的存储器芯片，采用了先进的EEPROM技术。它提供524288位串行电可擦除和可编程只读存储器（EEPROM），组织为65536字，每...

代理分销商BEILING贝岭BLP026N08-P/B 发布时间：2024.04.05

BL8039CB5TR是一款由上海贝岭（Belling）生产的电源芯片/转换器IC。 这款芯片采用了SOT-23-5封装形式，属于DC-DC电源芯片类别。它主要用于电源管理，具有高效率、低压...

中文资料WILLSEMI韦尔WNM3018 发布时间：2024.04.05

ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器 产品描述： ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器（TVS）阵列，专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用...

规格书WILLSEMI韦尔SPD83152C 发布时间：2024.04.05

ESD9B5VL：单线双向瞬态电压抑制器 产品描述 ESD9B5VL是一个双向瞬态电压抑制器（TVS）。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件，免受由静电放...

规格书WILLSEMI韦尔WCR250N65TH 发布时间：2024.04.05

WL2803E系列是一种采用CMOS工艺制造的低压差线性稳压器，具有极低的压降、低静态电流和高电源抑制比（PSRR）等特点。在500mA的负载电流下，其压降只有130mV（典型值）。这使得...

代理分销商BEILING贝岭BL7121BH 发布时间：2024.04.05

BL13232ESO是一款由上海贝岭生产的RS232接口芯片。这款芯片是专为RS232通信接口设计的，能够实现与RS232设备的通信。 以下是BL13232ESO的主要特点和规格： ...

中文资料WILLSEMI韦尔WSB5503W 发布时间：2024.04.04

ESD5451X是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬态（EFT）和雷电引起的过应力影响。根据IE...

中文资料WILLSEMI韦尔SPD9241A 发布时间：2024.04.04

WNM2020是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计，以在低栅极电荷下提供出色的RDS（ON）。这款器件非常适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品...

中文资料I-CORE中微爱芯AiP31032 发布时间：2024.04.04

M62429L是一款串行数据控制的双声道电子音量控制器芯片。这款芯片允许每个声道进行控制，音量范围从0dB到-83dB，每级可控1dB。它采用内置参考源电路组成电子音量控制器，使用时需要较少的...

代理分销商BEILING贝岭BLP20N10L-Q 发布时间：2024.04.04

BL8071CLATR33是一款由上海贝岭（Belling）生产的线性稳压器/LDO（LowDropoutRegulator）。 以下是BL8071CLATR33的主要特点和规格： ...

代理分销商BEILING贝岭BL6208 发布时间：2024.04.04

BL1117-33CX是一款3.3V输出的低压差线性稳压器（LDO），属于BL1117系列。 该系列稳压器提供多种固定输出电压版本，包括1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3...

代理分销商BEILING贝岭BL24CS32 发布时间：2024.04.04

ULN2803是一款高电压大电流达林顿晶体管阵列，特别适用于低逻辑电平数字电路（诸如TTL,CMOS或PMOS/NMOS）和较高的电流/电压要求之间的接口。该器件由八个NPN达林顿管组成，每个...