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2、反向性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。3、击穿外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被长久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。因此它的反向电流随光照强度的增加而线性增加。徐汇区应用二极管按需定制

在二极管阵列的前端加上Eltech 闪烁晶体，将射线转为可见光，再使用PCB1024 AD 和USB 模块转为电子信号，也可以用于在射线的检测中。光电二极管阵列检测器的开发是近10多年内高效液相色谱技术**重要的进步。1975 年Talmi***报道了二极管阵列系统的使用，后来Yates、Kuwanan和Milano)(35等人对该项技术做了进一步发展。1982 年惠普公司推出世界上***台商品化二极管阵列检测器HP 1040A（图4-3-14），是根据该公司开发的***台光电二极管阵列分光光度计技术设计而成的。从此液相色谱分析获得许多重大发展，一次进样可得到更多的信息，数据处理更快，不仅可以克服普通紫外可见吸收检测器的缺点，而且还能获得色谱分离组分的三维光谱色谱图，为分析工作者提供十分丰富的定性定量信息。松江区标准二极管定做价格当制成大面积的光电二极管时，可当作一种能源而称为光电池。

二极管阵列检测器 即光电二级阵列管检测器又称光电二极管列阵检测器或光电二极管矩阵检测器，表示为PDA（photo-diode array）、PDAD（photo-diode array detector）或（Diode array detector，DAD）是20世纪80年代出现的一种光学多通道检测器。在晶体硅上紧密排列一系列光电二极管，每一个二极管相当于一个单色器的出口狭缝，二极管越多分辨率越高，一般是一个二极管对应接受光谱上一个纳米谱带宽的单色光。此外，还有的商家称之为多通道快速紫外-可见光检测器（multichannel rapid scanning UV-VIS detector），三维检测器（three dimensional detector）等。光电二极管阵列检测器已在高效液相色谱分析中大量使用，一般认为是液相色谱**有发展、比较好的检测器。

（2）限幅电路在电子电路中，常用限幅电路对各种信号进行处理。它是用来让信号在预置的电平范围内，有选择地传输一部分信号。大多数二极管都可作为限幅使用，但有些时候需要用到**限幅二极管，如保护仪表时。 [6]（3）稳压电路在稳压电路中通常需要使用齐纳二极管，它是一种利用特殊工艺制造的面结型硅把半导体二极管，这种特殊二极管杂质浓度比较高，空间电荷区内的电荷密度大，容易形成强电场。当齐纳二极管两端反向电压加到某一值，反向电流急增，产生反向击穿。 [6]PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

此后该种检测器又有一些新的改进，获得了更好的波长分辨率和更高的灵敏度。光学多通道检测技术不仅*可以采用光电二极管阵列做为光电检测元件。硅光导摄像管是首先被应用到液相色谱阵列检测器的光电检测元件，但由于紫外响应弱，成本比光电二极管阵列高，响应慢等缺点而较少应用。电荷耦合阵列检测器（charge-coupied device array detector，CCD检测器）具有很多优异的性能：光谱范围宽、量子效率高、暗电流小、噪声低、线性范围宽等。但CCD检测器的紫外响应弱，信号收率低，有碍它的进一步发展。其它的光电检测元件同样具有以上这些缺点，因此光电二极管成为**主要、**常用的光学多通道检测技术的光电检测元件。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。松江区选择二极管现货

光电二极管作为光控元件可用于各种物体检测、光电控制、自动报警等方面。徐汇区应用二极管按需定制

二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生**早的半导体器件之一，其应用也非常***。二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色，具体压降参考值如下：红色发光二极管的压降为2.0--2.2V，黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V，绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V，正常发光时的额定电流约为20mA。徐汇区应用二极管按需定制

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