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对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏 [4]。正向特性外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。二极管具有单向导电性能，导通时电流方向是由阳极通过管子流向阴极。崇明区标准二极管均价

二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生**早的半导体器件之一，其应用也非常***。二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色，具体压降参考值如下：红色发光二极管的压降为2.0--2.2V，黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V，绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V，正常发光时的额定电流约为20mA。静安区优势二极管现货由P区引出的电极称为阳极，N区引出的电极称为阴极。

在二极管阵列的前端加上Eltech 闪烁晶体，将射线转为可见光，再使用PCB1024 AD 和USB 模块转为电子信号，也可以用于在射线的检测中。光电二极管阵列检测器的开发是近10多年内高效液相色谱技术**重要的进步。1975 年Talmi***报道了二极管阵列系统的使用，后来Yates、Kuwanan和Milano)(35等人对该项技术做了进一步发展。1982 年惠普公司推出世界上***台商品化二极管阵列检测器HP 1040A（图4-3-14），是根据该公司开发的***台光电二极管阵列分光光度计技术设计而成的。从此液相色谱分析获得许多重大发展，一次进样可得到更多的信息，数据处理更快，不仅可以克服普通紫外可见吸收检测器的缺点，而且还能获得色谱分离组分的三维光谱色谱图，为分析工作者提供十分丰富的定性定量信息。

此后该种检测器又有一些新的改进，获得了更好的波长分辨率和更高的灵敏度。光学多通道检测技术不仅*可以采用光电二极管阵列做为光电检测元件。硅光导摄像管是首先被应用到液相色谱阵列检测器的光电检测元件，但由于紫外响应弱，成本比光电二极管阵列高，响应慢等缺点而较少应用。电荷耦合阵列检测器（charge-coupied device array detector，CCD检测器）具有很多优异的性能：光谱范围宽、量子效率高、暗电流小、噪声低、线性范围宽等。但CCD检测器的紫外响应弱，信号收率低，有碍它的进一步发展。其它的光电检测元件同样具有以上这些缺点，因此光电二极管成为**主要、**常用的光学多通道检测技术的光电检测元件。稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管，具有稳定电压的作用。

一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。 [4]击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被长久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。此时它不需要外加电源，能够直接把光能变成电能。静安区优势二极管现货

发光二极管是一种将电能直接转换成光能的半导体固体显示器件，简称LED(Light Emitting Diode)。崇明区标准二极管均价

2、反向性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。3、击穿外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被长久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。崇明区标准二极管均价

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