光明区标准APV电感设计

随封装形式不同，其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的NPO电容器要比小封装尺寸的频率特性好。NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。②X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，但是要比Z5U和Y5V电容器好得多。磁珠的单位是欧姆，而不是亨利，这一点要特别注意。光明区标准APV电感设计

与两端电容相比，这个电容的上引线化成了两根(所以三端电容有三根引线)。三端电容器的这两根上引线化成了信号传输线的一部分，于是引线电感与电容器变成了一个“LC”滤波器。正是三端电容器巧妙地利用了引线电感，使得三端电容器对干扰的抑制作用更好。三端电容器也有自谐振问题，为了限度地限制这个问题，使用时三端电容器接地的这根引脚的长度应该受到限制。应该说片式二端电容器的出现对于改进普通引线式电容器的自谐振问题是很有好处的，因为片式二端电容器的引线长度得到了限度缩减。南山区特制APV电感供应商使用片式磁珠和片式电感的原因：是使用片式磁珠还是片式电感主要还在于应用。

②额定工作电压：电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作，所承受的直流电压，又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件，耐压越高，体积越大。③温度系数：在一定温度范围内，温度每变化1℃，电容量的相对变化值。温度系数越小越好。④绝缘电阻：用来表明漏电大小的。一般小容量的电容，绝缘电阻很大，在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻一般较小。相对而言，绝缘电阻越大越好，漏电也小。⑤损耗：在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。

④GRM15/18/21/31系列片式电容器可用在一般用途的电子设备中。村田制作所还生产一种排容，在一个器件中有2至4个电容，尤其适合在单片机的总线上使用，见图5。2)片式三端电容器我们平常使用的陶瓷圆片电容器作为旁路电容，可以将高频干扰短路到地，达到抗干扰的目的。但是电容器的引线电感及电容内部的剩余电感却限制了它的高频特性发挥。图6是普通电容器做高频旁路时的引线电感影响例。从图6中可见，电容器的插入损耗一开始随频率增加而增加，直至达到自谐振频率(等效电感与电容的串联谐振)，插入损耗也达到最大值。此后，由于等效电感的感抗增大，使插入损耗开始下降。大电流滤波应采用结构上专门设计的磁珠，还要注意其散热措施。

注意：磁珠的单位是欧姆，而不是亨利，这一点要特别注意。因为磁珠的单位是按照它在某一频率产生的阻抗来标称的，阻抗的单位也是欧姆。铁氧体磁珠 (Ferrite Bead) 是应用发展很快的一种抗干扰组件，廉价、易用，滤除高频噪声效果。铁氧体磁珠还广泛应用于信号电缆的噪声滤除。磁珠参数主要包括：初始磁通量(U值) 居里温度 工作频率磁通量高U的磁饱合度低，即磁珠在低频能够承受的电流越大，感抗随电流变化而呈容抗。磁珠发热也就是讲磁芯损耗太大，把功率转化为热能，而没有转化为磁能，把能量消耗掉了。降低直流电阻，以免对有用信号产生过大的衰减。光明区标准APV电感设计

电感多用于电源滤波回路，侧重于抑止传导性干扰；光明区标准APV电感设计

磁珠对高频信号才有较大阻碍作用，一般规格有100欧/100mMHZ它在低频时电阻比电感小得多。电感的等效电阻可有Z=2X3.14xf来求得。铁氧体磁珠(FerriteBead)是应用发展很快的一种抗干扰元件，廉价、易用，滤除高频噪声效果。在电路中只要导线穿过它即可（我用的都是象普通电阻模的，导线已穿过并胶合，也有表面贴装的形式，但很少见到卖的）。当导线中电流穿过时，铁氧体对低频电流几乎没有什么阻抗，而对较高频率的电流会产生较大衰减作用。光明区标准APV电感设计

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