光明区如何APV电感量大从优

目前常用的多层陶瓷电容器介质有三个类型：COG或NPO是超稳定材料，K值为10～100；X7R是较稳定的材料，K值为2 000～4 000；Y5V或Z5U为一般用途的材料，K值为5 000～25 000。在我国的标准里则分为I类陶瓷(C C 4和CC41)及Ⅱ类陶瓷(CT4和CT41)两种。上述材料中，COG和NPO为超稳定材料，在-55℃～+125℃范围内电容器的容量变化不超过± 30ppm/℃。其余材料是按其工作温度的范围和电容量的变化率来命名的。详见表1。几种常用的片式电容器的介质材料中：X7R使用温度范围为-50℃至+125℃；在此范围内的电容量变化可达到±15%。电感是储能元件，而磁珠是能量转换（消耗）器件。光明区如何APV电感量大从优

表面贴装元件的好处在于小的封装尺寸和能够满足实际空间的要求。除了阻抗值，载流能力以及其他类似物理特性不同外，通孔接插件和表面贴装器件的其他性能特点基本相同。在需要使用片式电感的场合，要求电感实现以下两个基本功能：电路谐振和扼流电抗。谐振电路包括谐振发生电路，振荡电路，时钟电路，脉冲电路，波形发生电路等等。谐振电路还包括高Q带通滤波器电路。要使电路产生谐振，必须有电容和电感同时存在于电路中。在电感的两端存在寄生电容，这是由于器件两个电极之间的铁氧体本体相当于电容介质而产生的。光明区如何APV电感量大从优片式磁珠的功能主要是消除存在于传输线结构（PCB电路）中的RF噪声。

④Y5V电容器Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到+85℃范围内其容量变化可以达到+22%至-82%，另外介质损耗可以达到5%。但是Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4．7μF的电容器。下面是用以说明片式电容器性能的主要技术指标：①容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的偏差范围。常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：D级：±0．5%；F级：±1%；G级：±2%；J级：±5%；K级：±10%；M级：±20%。

X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。③Z5U电容器Z5U电容器称为“通用”陶瓷片式电容器。它主要优点的是小尺寸和低成本。对于已经讲过的三种片式电容来说，在同样的体积下，Z5U电容器具有的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，另外介质损耗可以达到3%。尽管它的容量不稳定，但是这种电容器所特有的体积小、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、以及良好的频率响应等优点，使得这种电容器还是获得了广泛的应用，尤其是在退耦电路的应用中。选择在希望衰减噪声的频率范围内具有阻抗而在低频和直流下信号衰减尽量小的磁珠型号。

⑥频率特性：电容器的电参数随电场频率而变化的性质。在高频条件下工作的电容器，由于介电常数在高频时比低频时小，电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而增加。另外，在高频工作时，电容器的分布参数，如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等，都会影响电容器的性能。所有这些，使得电容器的使用频率受到限制。在实际使用中，除了要注意环境温度变化对电容器电容量变化的影响外，还要注意工作电压和储存时间对电容器电容量变化的影响。表面贴装元件的好处在于小的封装尺寸和能够满足实际空间的要求。福田区特制APV电感量大从优

大电流滤波应采用结构上专门设计的磁珠，还要注意其散热措施。光明区如何APV电感量大从优

铁氧体磁珠还广泛应用于信号电缆的噪声滤除。HH是其一个系列，主要用于电源滤波，用于信号线是HB系列；1表示一个元件封装了一个磁珠，若为4则是并排封装四个的；H表示组成物质，H、C、M为中频应用（50－200MHz），T低频应用（<50MHz），S高频应用（>200MHz）；3216封装尺寸，长3.2mm，宽1.6mm，即1206封装；500阻抗（一般为100MHz时），50ohm。其产品参数主要有三项：阻抗[Z]@100MHz(ohm)：Typical50Minimum37；直流电阻DCResistance(mohm)：Maximum20；额定电流RatedCurrent(mA)：2500他等效于电阻和电感串联，但电阻值和电感值都随频率变化。他比普通的电感有更好的高频滤波特性，在高频时呈现阻性，所以能在相当宽的频率范围内保持较高的阻抗，从而提高调频滤波效果。光明区如何APV电感量大从优

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