福田区特制APV电感设计

特性1、表面贴装高功率电感。2、具有小型化高能量储存和低电阻之特性。3、主要应用在电脑显示板卡，笔记本电脑，脉冲记忆程序设计，以及DC-DC转换器上。4、可提供卷轴包装适用于表面自动贴装。特点1、平底表面适合表面贴装。2、优异的端面强度良好之焊锡性。3、具有较高Q值，低阻抗之特点。4、 低漏磁，低直电阻，耐大电流之特点。5、可提供编带包装，便于自动化装配 [1]。功率电感、模压电感、一体成型电感、磁胶电感、叠层电感、贴片电感、功率电感、电感器、可调电感、片式电感、大功率电感、大电流电感等系列产品。产品广泛应用于数码产品、PDA、笔记本电脑、移动电话、网络通信、显卡、液晶背光源、电源模块、汽车电子、安防产品、办公自动化、家庭电器、对讲机、电子玩具、运动器材及医疗仪器等。当反射滤波器与信号源阻抗不匹配时，就会有一部分能量被反射回信号源，造成干扰电平的增强。福田区特制APV电感设计

电感是储能元件，而磁珠是能量转换（消耗）器件。电感多用于电源滤波回路，侧重于抑止传导性干扰；磁珠多用于信号回路，主要用于EMI方面。磁珠用来吸收超高频信号，像一些RF电路，PLL，振荡电路，含超高频存储器电路（DDR,SDRAM,RAMBUS等）都需要在电源输入部分加磁珠，而电感是一种储能元件，用在LC振荡电路、中低频的滤波电路等，其应用频率范围很少超过50MHz。片式电感磁珠在电子设备的PCB板电路中会大量使用感性元件和EMI滤波器元件。这些元件包括片式电感和片式磁珠，以下就这两种器件的特点进行描述并分析他们的普通应用场合以及特殊应用场合。盐田区什么是APV电感检测电感的等效电阻可有Z=2X3.14xf来求得。

Z5U使用温度范围为+10℃至+85℃；在此范围内的电容量变化从-56%至+22%。Y5V使用温度范围为-30℃至+85℃；在此范围内的电容量变化从-82%至+22%。这些关系表明，在实际使用时，对片式电容器选择不能一味只考虑体积和价格，如果有使用的环境温度问题，还应当注意电容器的介质带来的电容量变化问题。图2画出了不同材质电容器电容量以及介质损耗随温度变化的曲线。①NPO电容器NPO电容器是电容量和介质损耗稳定的电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率及相对使用寿命的变化都非常小。

常用的陶瓷介质的主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。其特点是介质系数较大、介质损耗低、温度系数小、环境温度适用范围广和高频特性好，用在要求较高的场合(I类瓷介电容器)中。另一类是低频高介材料称为强介铁电陶瓷，常用作Ⅱ类瓷介电容器的介质，一般以BaTiO3为主体的铁电陶瓷，其特点是介电系数特别高，达到数千，甚至上万；但是介电系数随温度呈非线性变化，介电常数随施加的外电场也有非线性关系。从过往的实验结果看，55度时，那些EMI磁环还没有出现输出功率下降的情况。

目前常用的多层陶瓷电容器介质有三个类型：COG或NPO是超稳定材料，K值为10～100；X7R是较稳定的材料，K值为2 000～4 000；Y5V或Z5U为一般用途的材料，K值为5 000～25 000。在我国的标准里则分为I类陶瓷(C C 4和CC41)及Ⅱ类陶瓷(CT4和CT41)两种。上述材料中，COG和NPO为超稳定材料，在-55℃～+125℃范围内电容器的容量变化不超过± 30ppm/℃。其余材料是按其工作温度的范围和电容量的变化率来命名的。详见表1。几种常用的片式电容器的介质材料中：X7R使用温度范围为-50℃至+125℃；在此范围内的电容量变化可达到±15%。铁氧体磁珠还广泛应用于信号电缆的噪声滤除。福田区特制APV电感设计

片式磁珠的功能主要是消除存在于传输线结构（PCB电路）中的RF噪声。福田区特制APV电感设计

磁珠于抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰，还具有吸收静电脉冲的能力。磁珠是用来吸收超高频信号，像一些RF电路，PLL，振荡电路，含超高频存储器电路（DDR SDRAM，RAMBUS等）都需要在电源输入部分加磁珠，而电感是一种蓄能元件，用在LC振荡电路，中低频的滤波电路等，其应用频率范围很少超过50MHZ。 磁珠有很高的电阻率和磁导率，等效于电阻和电感串联，但电阻值和电感值都随频率变化。磁珠的功能主要是消除存在于传输线结构（电路）中的RF噪声，RF能量是叠加在直流传输电平上的交流正弦波成分，直流成分是需要的有用信号。要消除这些不需要的信号能量，使用片式磁珠扮演高频电阻的角色（衰减器）。福田区特制APV电感设计

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