龙华区特制APV电感设计

但在有直流或交流偏流的情况下，还存在铁氧体饱和的问题，抑制元件横截面越大，越不易饱和，可承受的偏流越大。EMI吸收磁环/磁珠抑制差模干扰时，通过它的电流值正比于其体积，两者失调造成饱和，降低了元件性能；抑制共模干扰时，将电源的两根线（正负）同时穿过一个磁环，有效信号为差模信号，EMI吸收磁环/磁珠对其没有任何影响，而对于共模信号则会表现出较大的电感量。磁环的使用中还有一个较好的方法是让穿过的磁环的导线反复绕几下，以增加电感量。噪声源是谁。需要多大的噪声衰减。龙华区特制APV电感设计

总上所述，要选对磁环，并不是看外型或体积就可以的，必须要了解它的实际参数，否则在出现问题时，如驻波高、频宽太窄、磁环严重发热或烧坏等，都不知道原因出自何处。铁氧体磁珠磁导率的测算：1、测量磁珠的外径D，内径d，环的高度H，单位mm。2、用漆包线穿绕10~20圈，绕紧点，不要太松，测量其电感量L，单位为uH，电感量大点测算误差小，电感量小测算误差就会大，请根据实际需要确定穿绕的圈数N。3、将以上数据代入下式计算出大约的磁导率u0福田区品牌APV电感特点铁氧体磁珠还广泛应用于信号电缆的噪声滤除。

片式磁珠片式磁珠的功能主要是消除存在于传输线结构（PCB电路）中的RF噪声。片式磁珠由软磁铁氧体材料组成，构成高体积电阻率的独石结构。涡流损耗同铁氧体材料的电阻率成反比。涡流损耗随信号频率的平方成正比。 使用片式磁珠的好处：小型化和轻量化。在射频噪声频率范围内具有高阻抗，消除传输线中的电磁干扰。 闭合磁路结构，更好地消除信号的串扰。 极好的磁屏蔽结构。降低直流电阻，以免对有用信号产生过大的衰减。的高频特性和阻抗特性（更好的消除RF能量）。在高频放大电路中消除寄生振荡。

在谐振电路中，电感必须具有高Q，窄的电感偏差，稳定的温度系数，才能达到谐振电路窄带，低的频率温度漂移的要求。高Q电路具有尖锐的谐振峰值。窄的电感偏置保证谐振频率偏差尽量小。稳定的温度系数保证谐振频率具有稳定的温度变化特性。标准的径向引出电感和轴向引出电感以及片式电感的差异在于封装不一样。电感结构包括介质材料（通常为氧化铝陶瓷材料）上绕制线圈，或者空心线圈以及铁磁性材料上绕制线圈。在功率应用场合，作为扼流圈使用时，电感的主要参数是直流电阻（DCR）,额定电流，和低Q值。当作为滤波器使用时，希望宽的带宽特性，因此，并不需要电感的高Q特性。低的DCR可以保证小的电压降，DCR定义为元件在没有交流信号下的直流电阻。环境条件是什么（温度，直流电压，结构强度）。 电路和负载阻抗是多少。

通常高频信号为30MHz以上，然而，低频信号也会受到片式磁珠的影响。磁珠有很高的电阻率和磁导率，等效于电阻和电感串联。在电路中只要导线穿过它即可。高频电流在其中以热量形式散发，其等效电路为一个电感和一个电阻串联，两个组件的值都与磁珠的长度成比例。有的磁珠上有多个孔洞，用导线穿过可增加组件阻抗（穿过磁珠次数的平方）。铁氧体磁珠不仅可用于电源电路中滤除高频噪声（可用于直流和交流输出），还可广泛应用于其它电路 [1]  。电感的等效电阻可有Z=2X3.14xf来求得。龙华区特制APV电感设计

片式磁珠由软磁铁氧体材料组成，构成高体积电阻率的独石结构。龙华区特制APV电感设计

与两端电容相比，这个电容的上引线化成了两根(所以三端电容有三根引线)。三端电容器的这两根上引线化成了信号传输线的一部分，于是引线电感与电容器变成了一个“LC”滤波器。正是三端电容器巧妙地利用了引线电感，使得三端电容器对干扰的抑制作用更好。三端电容器也有自谐振问题，为了限度地限制这个问题，使用时三端电容器接地的这根引脚的长度应该受到限制。应该说片式二端电容器的出现对于改进普通引线式电容器的自谐振问题是很有好处的，因为片式二端电容器的引线长度得到了限度缩减。龙华区特制APV电感设计

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