龙华区特制APV电感设计

目前常用的多层陶瓷电容器介质有三个类型：COG或NPO是超稳定材料，K值为10～100；X7R是较稳定的材料，K值为2 000～4 000；Y5V或Z5U为一般用途的材料，K值为5 000～25 000。在我国的标准里则分为I类陶瓷(C C 4和CC41)及Ⅱ类陶瓷(CT4和CT41)两种。上述材料中，COG和NPO为超稳定材料，在-55℃～+125℃范围内电容器的容量变化不超过± 30ppm/℃。其余材料是按其工作温度的范围和电容量的变化率来命名的。详见表1。几种常用的片式电容器的介质材料中：X7R使用温度范围为-50℃至+125℃；在此范围内的电容量变化可达到±15%。可以根据它对电磁干扰的抑制原理，合理使用它的抑制作用。龙华区特制APV电感设计

磁珠种类很多，制造商应提供技术指标说明，特别是磁珠的阻抗与频率关系的曲线。有的磁珠上有多个孔洞，用导线穿过可增加元件阻抗（穿过磁珠次数的平方），不过在高频时所增加的抑制噪声能力不可能如预期的多，而用多串联几个磁珠的办法会好些。铁氧体是磁性材料，会因通过电流过大而产生磁饱和，导磁率急剧下降。大电流滤波应采用结构上专门设计的磁珠，还要注意其散热措施。特别是在数字电路中，由于脉冲信号含有频率很高的高次谐波，也是电路高频辐射的主要根源，所以可在这种场合发挥磁珠的作用。深圳如何APV电感供应商闭合磁路结构，更好地消除信号的串扰。 极好的磁屏蔽结构。

片式磁珠片式磁珠的功能主要是消除存在于传输线结构（PCB电路）中的RF噪声。片式磁珠由软磁铁氧体材料组成，构成高体积电阻率的独石结构。涡流损耗同铁氧体材料的电阻率成反比。涡流损耗随信号频率的平方成正比。 使用片式磁珠的好处：小型化和轻量化。在射频噪声频率范围内具有高阻抗，消除传输线中的电磁干扰。 闭合磁路结构，更好地消除信号的串扰。 极好的磁屏蔽结构。降低直流电阻，以免对有用信号产生过大的衰减。的高频特性和阻抗特性（更好的消除RF能量）。在高频放大电路中消除寄生振荡。

②额定工作电压：电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作，所承受的直流电压，又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件，耐压越高，体积越大。③温度系数：在一定温度范围内，温度每变化1℃，电容量的相对变化值。温度系数越小越好。④绝缘电阻：用来表明漏电大小的。一般小容量的电容，绝缘电阻很大，在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻一般较小。相对而言，绝缘电阻越大越好，漏电也小。⑤损耗：在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。选择在希望衰减噪声的频率范围内具有阻抗而在低频和直流下信号衰减尽量小的磁珠型号。

①电容器的使用电压对电容器的电容量有影响，稳定性低的介质，在施加额定工作电压后容量会大幅度下降(见图3)，以至达不到使用效果，这一点在选择电容器时必须给以充分注意(不能一味追求大容量和小体积，必须在容量和使用电压上留有充分余地)。②储存时间对电容器的容量也有影响，对超稳定的电容器，如COG和X7R，随时间增长电容器容量的变化不大。可是Z5U/Y5V这类电容，随时间增长，存放1 000小时的电容量变化可以高达5%～10%，或更大。但是这类电容器容量的老化是可逆的。每次将电容温度升到125℃，老化过程便重新开始。大电流滤波应采用结构上专门设计的磁珠，还要注意其散热措施。南山区国产APV电感施工

表面贴装元件的好处在于小的封装尺寸和能够满足实际空间的要求。龙华区特制APV电感设计

在谐振电路中，电感必须具有高Q，窄的电感偏差，稳定的温度系数，才能达到谐振电路窄带，低的频率温度漂移的要求。高Q电路具有尖锐的谐振峰值。窄的电感偏置保证谐振频率偏差尽量小。稳定的温度系数保证谐振频率具有稳定的温度变化特性。标准的径向引出电感和轴向引出电感以及片式电感的差异在于封装不一样。电感结构包括介质材料（通常为氧化铝陶瓷材料）上绕制线圈，或者空心线圈以及铁磁性材料上绕制线圈。在功率应用场合，作为扼流圈使用时，电感的主要参数是直流电阻（DCR）,额定电流，和低Q值。当作为滤波器使用时，希望宽的带宽特性，因此，并不需要电感的高Q特性。低的DCR可以保证小的电压降，DCR定义为元件在没有交流信号下的直流电阻。龙华区特制APV电感设计

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