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深圳标准APV电感设计

来源: 发布时间:2024年05月24日

⑥频率特性:电容器的电参数随电场频率而变化的性质。在高频条件下工作的电容器,由于介电常数在高频时比低频时小,电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而增加。另外,在高频工作时,电容器的分布参数,如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等,都会影响电容器的性能。所有这些,使得电容器的使用频率受到限制。在实际使用中,除了要注意环境温度变化对电容器电容量变化的影响外,还要注意工作电压和储存时间对电容器电容量变化的影响。磁珠的单位是欧姆,而不是亨利,这一点要特别注意。深圳标准APV电感设计

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在谐振电路中,电感必须具有高Q,窄的电感偏差,稳定的温度系数,才能达到谐振电路窄带,低的频率温度漂移的要求。高Q电路具有尖锐的谐振峰值。窄的电感偏置保证谐振频率偏差尽量小。稳定的温度系数保证谐振频率具有稳定的温度变化特性。标准的径向引出电感和轴向引出电感以及片式电感的差异在于封装不一样。电感结构包括介质材料(通常为氧化铝陶瓷材料)上绕制线圈,或者空心线圈以及铁磁性材料上绕制线圈。在功率应用场合,作为扼流圈使用时,电感的主要参数是直流电阻(DCR),额定电流,和低Q值。当作为滤波器使用时,希望宽的带宽特性,因此,并不需要电感的高Q特性。低的DCR可以保证小的电压降,DCR定义为元件在没有交流信号下的直流电阻。光明区标准APV电感品牌而需要消除不需要的EMI噪声时,使用片式磁珠是的选择。

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有效的工作在几个MHz到几百MHz的频率范围内。要正确的选择磁珠,必须注意以下几点: 不需要的信号的频率范围为多少。 噪声源是谁。需要多大的噪声衰减。 环境条件是什么(温度,直流电压,结构强度)。 电路和负载阻抗是多少。是否有空间在PCB板上放置磁珠。总阻抗通过ZR22πfL()2+:=fL来描述。典型的阻抗曲线可参见磁珠的DATASHEET。通过这一曲线,选择在希望衰减噪声的频率范围内具有阻抗而在低频和直流下信号衰减尽量小的磁珠型号。 片式磁珠在过大的直流电压下,阻抗特性会受到影响,另外,如果工作温升过高,或者外部磁场过大,磁珠的阻抗都会受到不利的影响。

测算结果与磁导率100的规格接近,确定该磁环的u0是100,注意一般u0标称误差有+-10%。对于没有参数的磁珠可以首先根据外观特征初步判断是哪种材料,再测算磁导率,就可以确定该磁珠的主要规格了 [1]  。磁珠的主要原料为铁氧体。铁氧体是一种立方晶格结构的亚铁磁性材料。铁氧体材料为铁镁合金或铁镍合金,它的制造工艺和机械性能与陶瓷相似,颜色为灰黑色。电磁干扰滤波器中经常使用的一类磁芯就是铁氧体材料,许多厂商都提供专门用于电磁干扰抑制的铁氧体材料。这种材料的特点是高频损耗非常大,具有很高的导磁率,他可以使电感的线圈绕组之间在高频高阻的情况下产生的电容小。对于抑制电磁干扰用的铁氧体,重要的性能参数为磁导率μ和饱和磁通密度Bs。磁导率μ可以表示为复数,实数部分构成电感,虚数部分损耗,随着频率的增加而增加。因此,它的等效电路为由电感L和电阻R组成的串联电路,L和R都是频率的函数。在谐振电路中需要使用片式电感。

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式中,C为电容量;N为电极层数;K为介电常数(俗称K值);A为相对电极覆盖面积;t为电极间距(介质厚度)。由此式可见,为了实现片式叠层陶瓷电容器大容量和小体积的要求。只要增大N(增加层数)便可增大电容量。当然采用高K值材料(降低稳定性能)、增加A(增大体积)和减小t(降低电压耐受能力)也是可以采取的办法。这里特别说一说介电常数K值,它取决于电容器中填充介质的陶瓷材料。电容器使用的环境温度、工作电压和频率、以及工作的时间(长期工作的稳定性)等对不同的介质会有不同的影响。通常介电常数(K值)越大,稳定性、可靠性和耐用性能越差。有效的工作在几个MHz到几百MHz的频率范围内。坪山区标准APV电感销售

因为磁珠的单位是按照它在某一频率产生的阻抗来标称的,阻抗的单位也是欧姆。深圳标准APV电感设计

目前常用的多层陶瓷电容器介质有三个类型:COG或NPO是超稳定材料,K值为10~100;X7R是较稳定的材料,K值为2 000~4 000;Y5V或Z5U为一般用途的材料,K值为5 000~25 000。在我国的标准里则分为I类陶瓷(C C 4和CC41)及Ⅱ类陶瓷(CT4和CT41)两种。上述材料中,COG和NPO为超稳定材料,在-55℃~+125℃范围内电容器的容量变化不超过± 30ppm/℃。其余材料是按其工作温度的范围和电容量的变化率来命名的。详见表1。几种常用的片式电容器的介质材料中:X7R使用温度范围为-50℃至+125℃;在此范围内的电容量变化可达到±15%。深圳标准APV电感设计

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