光明区制作共模电感检测

上述三点只是主板设计中除电路设计之外的几个主要防EMI设计，由此可见，主板的防EMI设计是一个整体的概念，如果整体的设计不合格，就会带来较大的电磁辐射，而这些也不是一个小小的共模电感所能弥补的。共模电感缺失=防EMI性能低下？这样的说法显然是颇为片面的。诚然，由于国家的EMI相关规范并不健全，部分厂商为了省料就钻了这个空子，在整体防EMI性能上都大肆省料压缩成本(其中就包括共模电感的省略)，这样做的直接后果就是主板防EMI性能极其低下；但是对于那些整体设计，用料不缩水的主板，即使没有共模电感，其整体防EMI性能仍能达到相关要求，这样的产品仍然是合格的。因此，单纯就是否有共模电感这一点来判断主板的优劣并不恰当.发热比较严重，也是根据我实测的：90V输入满载室温下，可以到快90度；光明区制作共模电感检测

（2）线圈在安装前，要进行外观检查使用前，应检查线圈的结构是否牢固，线匝是否有松动和松脱现象，引线接点有无松动，磁芯旋转是否灵活，有无滑扣等。这些方面都检查合格后，再进行安装。（3）线圈在使用过程需要微调的，应考虑微调方法有些线圈在使用过程中，需要进行微调，依靠改变线圈圈数又很不方便，因此，选用时应考虑到微调的方法。例如单层线圈可采用移开靠端点的数困线圈的方法，即预先在线圈的一端绕上3圈～4圈，在微调时，移动其位置就可以改变电感量。实践证明，这种调节方法可以实现微调±2%－±3%的电感量。光明区制作共模电感检测峰值发射与小发射的比率，即降级因子，用来衡量线电流偏移量对滤波器实际效果的影响。

为获得截止频点（Wc）恰当的响应，二阶滤波器的设计要求比一阶滤波器更为严格。但是，其对更高的频率上的关注度有所降低。对于高阶滤波器而言，其设计过程所需要关注的关键因素之一是拐角频率的衰减特性。在二阶滤波器的设计中，阻尼因子通常用希腊字母ζ表示）既描述了拐角频率处的增益也描述了滤波器的时域响应，是表达上述关键因素特性的重要表征特征。三阶滤波器设计三阶滤波器理想地在截止频率处产生每倍频程18dB 的衰减（如果三个拐角频率并不是同步则会有多个截止频率点），这是这种高阶滤波器明显的特征。

如果设计的共模滤波器要同时使差模噪声不超过允许范围，那么就应测量共模与差模的混合噪声。因为已知共模成分在噪声容限以下，因此超标的是差模成分，可用共模滤波器的差模漏感来衰减。对于低功率电源系统，共模扼流圈的差模电感足以解决差模辐射问题，因为差模辐射的源阻抗较小，因此只有极少量的电感是有效的。尽管少量的差模电感非常有用，但太大的差模电感可以使扼流圈发生磁饱和。4.用LISN原理测量共模扼流圈饱和特性的方法测量共模线圈磁芯（整体或部分）的饱和特性通常是很困难的。通过简单的试验可以看出共模滤波器的衰减在多大程度上受由60Hz编置电流引起的电感减小量的影响。不知大家是否注意到，主板都会附送一块开口的薄铁挡片，其实这也是用来防EMI的。

为什么共模电感能防EMI？要弄清楚这点，我们需要从共模电感的结构开始分析。图2 图3共模电感的滤波电路，La和Lb就是共模电感线圈。这两个线圈绕在同一铁芯上，匝数和相位都相同(绕制反向)。这样，当电路中的正常电流流经共模电感时，电流在同相位绕制的电感线圈中产生反向的磁场而相互抵消，此时正常信号电流主要受线圈电阻的影响(和少量因漏感造成的阻尼)；当有共模电流流经线圈时，由于共模电流的同向性，会在线圈内产生同向的磁场而增大线圈的感抗，使线圈表现为高阻抗，产生较强的阻尼效果，以此衰减共模电流，达到滤波的目的。应该测量共模噪声并将其滤除掉。龙华区常规共模电感按需定制

这些实验数据可用其他方法来解释。发射值是滤波器无偏置电流时表现出来的效果。光明区制作共模电感检测

进行此项测试需要一台示波器和一个差模抑制网络（DMRN）。首先，用示波器来监测线电压。按如下方法从示波器的A通道输入信号，将示波器的时间基准置为2ms/div，然后将触发信号加在A通道上，在交流电压达到峰值时会有线电流产生，此时滤波器效能的降级是意料中的事情。差模抑制网络（DMRN）的输入端连接到LISN，输出端用50的阻抗进行匹配且与示波器的B通道相连。当共模扼流圈工作在线性区时，在输入电流波动期间，B通道监测到的发射增加值不超过6—10dB。在线电压峰值期间，桥式整流器正向导通且传送充电电流。如果共模扼流圈达到饱和，那么在输入浪涌增加时，发射将会增加。如果共模扼流圈达到强饱和，发射强度与不加滤波器时的情况是一样的，也就是说很容易达到40dB以上。光明区制作共模电感检测

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