EMC设计应是任何电子器件和系统综合设计的一部分。它远比试图使产品达到EMC的其他方法更节约成本。EMC的主要设计技术包括：电磁屏蔽方法、电路的滤波技术，以及包括应特别注意的接地元件搭接的接地设计。1、良好的电气和机械设计原则的应用首先，良好的EMC设计的基础是良好的电气和机械设计原则的应用。这其中包括可靠性考虑，比如在可接受的容限内设计规范的满足，好的组装方法以及各种正在开发的测试技术。一般来说，驱动当今电子设备的装置要安装在PCB上。这些装置由具有潜在干扰源以及对电磁能量敏感的元件和电路构成。因此，PCB EMC设计是EMC设计中的下一个重要的问题。有源元件的位置、印制线的走线、阻抗的匹配、接地的设计以及电路的滤波均应在EMC设计时加以考虑。一些PCB元件还需要进行屏蔽。温州冠杰磁业有限公司为您提供 磁环，有需求可以来电咨询！佛山强力磁环
960居里温度Tc410°C密度d晶化温度Tx550°C电阻率r130Wm-cm饱和磁致伸缩系数ls27′10-6热膨胀系数Dl/l**大导磁率>2x104>20′104>25′104饱和磁感应强度TTT剩余磁感应强度<TTT矫顽力<4A/m<A/m<4A/m损耗(50Hz,)<<<损耗(400Hz,)<<<2W/kg损耗(8kHz,)<80W/kg<60W/kg<100W/kg铁损变化率(-55°C-125°C)<15%<15%<15%铁损变化率(120°C′200小时)<15%<15%<15%注：上述数据为非晶带材经过**佳热处理后的磁性能，但并不**铁芯的**终性能。当带材制造成铁芯时，由于具体情况发生某些性能变化属正常现象。饱和磁感(T)矫顽力(A/m)<4<30**大磁导率(Gs/Os)45×1044×104铁损(W/kg)50Hz,50Hz,激磁功率(VA/kg)50Hz,50Hz,叠片系数>磁致伸缩(>′10-6)27-电阻率(>mW-cm)13045比重(g/cm3)晶化温度(℃)550-居里温度(℃)415746抗拉强度(Mpa)1500343维氏硬度(HV)900181厚度(μm)30300产品举例铁基纳米晶合金铁基纳米晶合金是由铁元素为主，加入少量的Nb、Cu、Si、B等元素所构成的合金经快速凝固工艺所形成的一种非晶态材料，这种非晶态材料经热处理后可获得直径为10?20nm的微晶，弥散分布在非晶态的基体上。瑞安铁氧体磁环批发温州冠杰磁业有限公司为您提供磁环，有想法的可以来电咨询！
铁氧体磁环主要包括镍锌铁氧体磁环和锰锌铁氧体磁环，这2类磁环对使用不同频率有着严格区分。镍锌铁氧体磁环适合抑制高频段的电磁干扰；锰锌铁氧体磁环适合抑制低频段的电磁干扰。铁氧体的磁导率越高，低频的阻抗越大，高频的阻抗越小。可以根据不同的要求，选择不同的工艺制造磁环。磁环在不同的频率下有不同的阻抗特性，一般在低频时阻抗很小，当信号频率升高磁环表现的阻抗急剧升高。铁氧体磁环的选择：根据要抑制干扰的频率不同，选择不同磁导率的铁氧体材料。环磁的磁导率越高，低频的阻抗越大，高频的阻抗越小。
数码设备传输线带有一根圆柱形的东西。这个是什么呢？是磁环，抗干扰磁环，或者说吸收磁环、铁氧体磁环。为什么要设置抗干扰磁环？电脑机箱内的主板、CPU、电源、及IDE数据线都工作于很高的频率状态下，所以导致机箱里存在着大量的空间杂散电磁干扰信号，而信号强度也是机箱外的数倍至数十倍！没有磁环的USB线在这个空间内没有采取屏蔽措施，那么这些USB线就成了很好的天线，接收周围环境中各种杂乱的高频信号，而这些信号叠加在本来传输的信号上，甚至会改变原来传输的有用信号，容易出现问题。温州冠杰磁业有限公司致力于提供磁环，竭诚为您。
EMI吸收环/珠是一种用铁氧体制成的元件，是一种吸收损耗型的元件。其特性表现为：吸收高频信号并将吸收的能量转化成热能耗散掉，从而达到抑制高频干扰信号沿导线传输的目的，其等效阻抗中电阻值分量是频率的函数，随着频率而变化。EMI吸收环/珠有效频段为21000MHz，性能比较好频段则为5200MHz，在此频段吸收阻抗维持为一个常数。数码设备传输线带有一根圆柱形的东西。这个是什么呢？是磁环，抗干扰磁环，或者说吸收磁环、铁氧体磁环。磁环，就选温州冠杰磁业有限公司，用户的信赖之选，有想法的不要错过哦！永嘉橡胶磁环厂家
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电感器磁芯材料性能比较表IronPowder（纯）铁粉芯Hi-Flux高磁通磁粉芯Super-MSS铁硅铝磁粉芯MPP铁镍钼磁粉芯Ferrite铁氧体磁芯磁芯材料基本成分组成100%铁粉50%镍和50%铁合金粉85%铁9%硅和6%铝合金粉81%镍17%铁2%钼合金粉锰锌氧化物与铁氧化物的陶瓷状结合体气隙形式分布在磁芯内部分布在磁芯内部分布在磁芯内部分布在磁芯内部离散，单独的气隙开口气隙自身构成有机和无机粘合剂无机粘合剂无机粘合剂无机粘合剂空气直流偏磁场下，磁导率降低到50%时的直流偏磁场数值5600A/m(安/米)70Oe（奥斯特）9500A/m(安/米)120Oe（奥斯特）7200A/m(安/米)9Oe（奥斯特）8000A/m(安/米)10Oe（奥斯特）5600A/m(安/米)70Oe（奥斯特）典型磁芯损-在100kHz,（500高斯）测试条件800(mW/cm)260(mW/cm)200(mW/cm)120(mW/cm)230(mW/cm)典型磁导率变化百分比-在交流AC磁场从（0-4000高斯）+260%7%-20%-6%-磁导率范围3到10014到16026到12514到350由气隙开口尺寸决定典型磁芯损耗，在50kHz,(mW/cm)330(磁导率-75.)170(磁导率-125)80(磁导率-125)55(磁导率-125)由气隙开口尺寸决定居里温度(℃)750℃500℃600℃400℃200℃比较大工作温度。佛山强力磁环
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