江西进口西门康SEMIKRON整流桥模块代理商

    折叠摘要应用整流桥到电路中，主要考虑它的大工作电流和大反向电压。针对整流桥不同冷却方式的选择和对其散热过程的详细分析，来阐述元器件厂家提供的元器件热阻(Rja和Rjc)的具体含义，并在此基础上提出一种在技术上可行、使用上操作性强的测量整流桥壳温的方法，为电源产品合理应用整流桥提供借鉴。关键词:整流桥壳温测量方法折叠前言整流桥作为一种功率元器件，非常广。应用于各种电源设备。其内部主要是由四个二极管组成的桥路来实现把输入的交流电压转化为输出的直流电压。在整流桥的每个工作周期内，同一时间只有两个二极管进行工作，通过二极管的单向导通功能，把交流电转换成单向的直流脉动电压。对一般常用的小功率整流桥(如:RECTRONSEMICONDUCTOR的RS2501M)进行解剖会发现，其内部的结构如图2所示，该全波整流桥采用塑料封装结构(大多数的小功率整流桥都是采用该封装形式)。桥内的四个主要发热元器件--二极管被分成两组分别放置在直流输出的引脚铜板上。在直流输出引脚铜板间有两块连接铜板，他们分别与输入引流输入导线)相连，形成我们在外观上看见的有四个对外连接引脚的全波整流桥。由于该系列整流桥都是采用塑料封装结构。 整流桥就是将整流管封在一个壳内了。江西进口西门康SEMIKRON整流桥模块代理商

    所述负载连接于所述第三电容c3的两端。具体地，在本实施例中，所述负载为led灯串，所述led灯串的正极连接所述高压供电管脚hv，负极连接所述第三电容c3与所述一电感l1的连接节点。如图4所示，所述第二采样电阻rcs2的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的采样管脚cs，另一端接地。本实施例的电源模组为非隔离场合的小功率led驱动电源应用，适用于高压buck(5w～25w)。实施例三如图5所示，本实施例提供一种合封整流桥的封装结构，与实施例一及实施例二的不同之处在于，所述整流桥的设置方式不同，且还包括瞬态二极管dtvs。如图5所示，在本实施例中，所述瞬态二极管dtvs与所述高压续流二极管df叠置于所述高压供电基岛13上。具体地，所述高压续流二极管df采用p型二极管，所述瞬态二极管dtvs采用n型二极管。所述高压续流二极管df的正极通过导电胶或锡膏粘接于所述漏极基岛15上，负极朝上。所述瞬态二极管dtvs的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述高压续流二极管df的负极上，正极(朝上)通过金属引线连接所述高压供电管脚hv。需要说明的是，在实际使用中，所述高压续流二极管df及所述瞬态二极管dtvs可采用不同类型的二极管根据需要设置在同一基岛。 安徽西门康SEMIKRON整流桥模块联系方式整流桥通常是由两只或四只整流硅芯片作桥式连接，两只的为半桥，四只的则称全桥。

    所述第六电容c6的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv，另一端连接所述合封整流桥的封装结构1的电源地管脚bgnd。具体地，所述第二电感l2连接于所述合封整流桥的封装结构1的电源地管脚bgnd与信号地管脚gnd之间。需要说明的是，本实施例增加所述电源地管脚bgnd实现整流桥的接地端与所述逻辑电路122的接地端分开，通过外置电感实现emi滤波，减小电磁干扰。同样适用于实施例一及实施例三的电源模组，不限于本实施例。需要说明的是，所述整流桥的设置方式、所述功率开关管与所述逻辑电路的设置方式，以及各种器件的组合可根据需要进行设置，不以本实用新型列举的几种实施例为限。另外，由于应用的多样性，本实用新型主要针对led驱动领域的三种使用整流桥的拓扑进行了示例，类似的结构同样适用于充电器/适配器等ac-dc电源领域等，尤其是功率小于25w的中小功率段应用，本领域的技术人员很容易将其推广到其他使用了整流桥的应用领域。本实用新型的拓扑涵盖led驱动的高压线性、高压buck、flyback三个应用，并可以推广到ac-dc充电器/适配器领域；同时，涵盖了分立高压mos与控制器合封、高压mos与控制器一体单晶的两种常规应用。

    所述逻辑电路的采样端口作为所述控制芯片12的采样端口cs，高压端口作为所述控制芯片12的高压端口hv，接地端口作为所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12设置于所述采样基岛18上，接地端口gnd连接所述信号地管脚gnd，漏极端口d经由所述漏极基岛15连接所述漏极管脚drain，采样端口cs经由所述采样基岛18连接所述采样管脚cs，高压端口hv连接所述高压供电管脚hv。本实施例的合封整流桥的封装结构采用四基岛架构，将整流桥、功率开关管、逻辑电路、高压续流二极管及瞬态二极管集成在一个引线框架内，由此降低封装成本。如图6所示，本实施例还提供一种电源模组，所述电源模组包括：本实施例的合封整流桥的封装结构1，第四电容c4，变压器，二极管d，第五电容c5，负载及第三采样电阻rcs3。如图6所示，所述合封整流桥的封装结构1的火线管脚l连接火线，零线管脚n连接零线，信号地管脚gnd接地。如图6所示，所述第四电容c4的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv，另一端接地。如图6所示，所述变压器的圈一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv，另一端连接所述合封整流桥的封装结构1的漏极管脚drain。 MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

    包括但不限于高压供电基岛13或漏极基岛15)或不同基岛(包括但不限于高压供电基岛13及漏极基岛15)，在此不一一赘述。作为本实施例的一种实现方式，如图5所示，所述整流桥设置于火线基岛16及零线基岛17上。具体地，所述整流桥采用两个n型二极管及两个p型二极管实现，其中，第五整流二极管dz5及第六整流二极管dz6为n型二极管，所述第七整流二极管dz7及第八整流二极管dz8为p型二极管。所述第五整流二极管dz5的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述火线基岛16上，正极通过金属引线连接所述信号地管脚gnd。所述第六整流二极管dz6的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述零线基岛17上，正极通过金属引线连接所述信号地管脚gnd。所述第七整流二极管dz7的正极通过导电胶或锡膏粘接于所述火线基岛16上，负极通过金属引线连接所述高压供电管脚hv。所述第八整流二极管dz8的正极通过导电胶或锡膏粘接于所述零线基岛17上，负极通过金属引线连接所述高压供电管脚hv。作为本实施例的一种实现方式，如图5所示，所述控制芯片12包括功率开关管及逻辑电路。所述功率开关管的漏极作为所述控制芯片12的漏极端口d，源极连接所述逻辑电路的采样端口，栅极连接所述逻辑电路的控制信号输出端(输出逻辑控制信号)。 常用的国产全桥有佑风YF系列，进口全桥有ST、IR等。天津进口西门康SEMIKRON整流桥模块厂家供应

应用整流桥到电路中，主要考虑它的最大工作电流和比较大反向电压。江西进口西门康SEMIKRON整流桥模块代理商

    生产厂家都会提供该器件在自然冷却情况下的结—环境的热阻（Rja）和当元器件自带一散热器，通过散热器进行器件冷却的结--壳热阻（Rjc）。2整流桥模块的结构特点1、铝基导热底板：其功能为陶瓷覆铝板(DBC基板)提供联结支撑和导热通道，并作为整个模块的结构基础。因此，它必须具有高导热性和易焊性。由于它要与DBC基板进行高温焊接，又因它们之间热线性膨胀系数铝为16．7×10-6／℃，DBC约不5．6×10-6／℃)相差较大，为此，除需采用掺磷、镁的铜银合金外，并在焊接前对铜底板要进行一定弧度的预弯，这种存在s一定弧度的焊成品，能在模块装置到散热器上时，使它们之间有充分的接触，从而降低模块的接触热阻，保证模块的出力。2、DBC基板：它是在高温下将氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)基片与铜箔直接双面键合而成，它具有优良的导热性、绝缘性和易焊性，并有与硅材料较接近的热线性膨胀系数(硅为4．2×10-6／℃，DBC为5．6×10-6／℃)，因而可以与硅芯片直接焊接，从而简化模块焊接工艺和降低热阻。同时，DBC基板可按功率电路单元要求刻蚀出各式各样的图形，以用作主电路端子和控制端子的焊接支架，并将铜底板和电力半导体芯片相互电气绝缘。 江西进口西门康SEMIKRON整流桥模块代理商