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引起了电子雪崩，粒界层迅速变成低阻抗，电流迅速增加，泄漏了能量，抑制了过电压，从而使晶闸管得到保护。浪涌过后，粒界层又恢复为高阻态。压敏电阻的特性主要由下面几个参数来表示。标称电压：当参考压敏电阻直流1mA电流流动，它两端的电压值。通流数据容量：是用前沿8微秒、波宽20微秒的波形进行冲击以及电流，每隔5分钟冲击1次，共冲击10次，标称工作电压发生变化在-10［%］以内的大经济冲击产生电流值来表示。因为企业正常的压敏电阻粒界层只有通过一定程度大小的放电容量和放电次数，标称电压值不会随着研究放电次数不断增多而下降，而且也随着不同放电产生电流幅值的增大而下降，当大到某一部分电流时，标称电压下降到0，压敏电阻可以出现穿孔，甚至炸裂；因此我们必须进行限定通流数据容量。漏电流：将标称直流电压的一半加到压敏电阻上测量的电流。由于压敏电阻的通流容量大，残压低，抑制过电压能力强；平时漏电流小，放电后不会有续流，元件的标称电压等级多，便于用户选择；伏安特性是对称的，可用于交、直流或正负浪涌；因此用途较广。过电流保护由于半导体器件体积小、热容量小，特别像晶闸管这类高电压大电流的功率器件，结温必须受到严格的控制。大功率高频可控硅通常用作工业中；高频熔炼炉等。宁夏igbt驱动开关可控硅（晶闸管）日本富士

定义/晶闸管编辑晶闸管导通条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。晶闸管（Thyristor）是一种开关元件，能在高电压、大电流条件下工作，并且其工作过程可以控制、被应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中，是典型的小电流控制大电流的设备。1957年，美国通用电器公司开发出世界上***个晶闸管产品，并于1958年使其商业化。结构/晶闸管编辑晶闸管它是由一个P-N-P-N四层(4layers)半导体构成的，中间形成了三个PN结。分类/晶闸管编辑晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管（SCR）、双向晶闸管（TRIAC）、逆导晶闸管（RCT）、门极关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管（TT国外，TTS国内）和光控晶闸管（LTT）等多种。晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种。辽宁IGBT单管可控硅（晶闸管）FUJI全新原装原装晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。

1)断态重复峰值电压UDRM在控制极断路和晶闸管正向阻断的条件下，可以重复加在晶闸管两端的正向峰值电压，其数值比正向转折电压小100V。(2)反向重复峰值电压URRM在控制极断路时，可以重复加在晶闸管元件上的反向峰值电压，此电压数值规定比反向击穿电压小100V。通常把UDRM与URRM中较小的一个数值标作器件型号上的额定电压。由于瞬时过电压也会使晶闸管遭到破坏，因而在选用的时候，额定电压一个应该为正常工作峰值电压的2～3倍，作为安全系数。(3)额定通态平均电流(额定正向平均电流)IT在环境温度不大于40oC和标准散热即全导通的条件下，晶闸管元件可以连续通过的工频正弦半波电流(在一个周期内)的平均值，称为额定通态平均电流IT，简称额定电流。(4)维持电流IH在规定的环境温度和控制极断路的条件下，维持元件继续导通的**小电流称为维持电流IH。一般为几十毫安～一百多毫安，其数值与元件的温度成反比，在120摄氏度时维持电流约为25摄氏度时的一半。当晶闸管的正向电流小于这个电流时，晶闸管将自动关断。晶闸管的选用/晶闸管编辑(1)选择晶闸管的类型：晶闸管有多种类型，应根据应用电路的具体要求合理选用。

晶闸管阳极与阴极间表现出很大的电阻，处于截止状态(称为正向阻断状态)，简称断态。当阳极电压上升到某一数值时，晶闸管突然由阻断状态转化为导通状态，简称通态。阳极这时的电压称为断态不重复峰值电压(UDSM)，或称正向转折电压(UBO)。导通后，元件中流过较大的电流，其值主要由限流电阻(使用时由负载)决定。在减小阳极电源电压或增加负载电阻时，阳极电流随之减小，当阳极电流小于维持电流IH时，晶闸管便从导通状态转化为阻断状态。由图可看出，当晶闸管控制极流过正向电流Ig时，晶闸管的正向转折电压降低，Ig越大，转折电压越小，当Ig足够大时，晶闸管正向转折电压很小，一加上正向阳极电压，晶闸管就导通。实际规定，当晶闸管元件阳极与阴极之间加上6V直流电压时，能使元件导通的控制极**小电流(电压)称为触发电流(电压)。在晶闸管阳极与阴极间加上反向电压时，开始晶闸管处于反向阻断状态，只有很小的反向漏电流流过。当反向电压增大到某一数值时，反向漏电流急剧增大，这时，所对应的电压称为反向不重复峰值电压(URSM)，或称反向转折(击穿)电压(UBR)。可见，晶闸管的反向伏安特性与二极管反向特性类似。晶闸管晶闸管的开通和关断的动态过程的物理过程较为复杂。可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。

断态电压临界上升率du/dt：是指在额定结温、门极开路的情况下，不能使晶闸管从断态到通态转换的外加电压**大上升率。通态电流临界上升率di/dt：指在规定条件下，晶闸管能承受的**大通态电流上升率。如果di/dt过大，在晶闸管刚开通时会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部过热而使晶闸管损坏。[1]触发技术晶闸管触发电路的作用是产生符合要求的门极触发脉冲，使得晶闸管在需要时正常开通。晶闸管触发电路必须满足以下几点要求：①触发脉冲的宽度应足够宽使得晶闸管可靠导通；②触发脉冲应有足够的幅度，对一些温度较低的场合，脉冲电流的幅度应增大为器件**大触发电流的3～5倍，脉冲的陡度也需要增加，一般需达1～2A/μs；③所提供的触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额。晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于关断状态。天津高压igbt驱动模块可控硅（晶闸管）宏微全新原装

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晶闸管模块基本的用途是可控整流。二极管整流电路中用晶闸管代替二极管，就可以形成可控整流电路。在正弦交流电压U2的正半周内，如果vs的控制极不输入触发脉冲UG，vs仍不能接通。只有当U2处于正半周时，当触发脉冲UG施加到控制极时，晶闸管才接通。现在，绘制其波形(图4(c)和(d))，可以看到只有当触发脉冲UG到达时，负载RL具有电压UL输出(波形上的阴影)。当UG到达较早时，晶闸管导通时间较早；UG到达较晚时，晶闸管导通时间较晚。通过改变触发脉冲Ug在控制极上的到达时间，可以调节负载上输出电压的平均UL(阴影部分的面积)。在电工技术中，交流电的半周常被设定为180度，称为电角。因此，在U2的每一个正半周期中，从零值到触发脉冲到达时刻的电角称为控制角α，每个正半周期中晶闸管导电的电角称为导通角θ。显然，α和θ都用来表示晶闸管在正向电压半周内的通断范围。通过改变控制角度0或导通角theta，可通过改变负载上的脉冲直流电压的平均ul来实现可控整流器。宁夏igbt驱动开关可控硅（晶闸管）日本富士