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在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第四种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。 [3] 从1879年到1947年是奠基阶段，20世纪初的物理学(相对论和量子力学)使得人们认识了微观世界(原子和分子)的性质，随后这些新的理论被成功地应用到新的领域(包括半导体)，固体能带理论为半导体科技奠定了坚实的理论基础，而材料生长技术的进步为半导体科技奠定了物质基础(半导体材料要求非常纯净的基质材料，非常的掺杂水平)。有些检测项目和方法也非半导体工艺所特有。黄浦区品牌半导体项目安装工程电话

凡具有上述两种特征的材料都可归入半导体材料的范围。反映半导体内在基本性质的却是各种外界因素如光、热、磁、电等作用于半导体而引起的物理效应和现象，这些可统称为半导体材料的半导体性质。构成固态电子器件的基体材料绝大多数是半导体，正是这些半导体材料的各种半导体性质赋予各种不同类型半导体器件以不同的功能和特性。半导体的基本化学特征在于原子间存在饱和的共价键。作为共价键特征的典型是在晶格结构上表现为四面体结构,所以典型的半导体材料具有金刚石或闪锌矿(ZnS)的结构。长宁区特制半导体项目安装工程分类半导体冰箱就是使用了半导体制冷技术。

半导体技术的演进，除了改善性能如速度、能量的消耗与可靠性外，另一重点就是降作成本。降低成本的方式，除了改良制作方法，包括制作流程与采用的设备外，如果能在硅芯片的单位面积内产出更多的 IC，成本也会下降。所以半导体技术的一个非常重要的发展趋势，就是把晶体管微小化。当然组件的微小化会伴随着性能的改变，但很幸运的，这种演进会使 IC 大部分的特性变好，只有少数变差，而这些就需要利用其它技术来弥补了。半导体制程有点像是盖房子，分成很多层，由下而上逐层依蓝图布局迭积而成，每一层各有不同的材料与功能。

由于地球的矿藏多半是化合物，所以早得到利用的半导体材料都是化合物,例如方铅矿(PbS)很早就用于无线电检波，氧化亚铜(Cu2O)用作固体整流器，闪锌矿(ZnS)是熟知的固体发光材料，碳化硅(SiC)的整流检波作用也较早被利用。硒(Se)是早发现并被利用的元素半导体，曾是固体整流器和光电池的重要材料。元素半导体锗（Ge）放大作用的发现开辟了半导体历史新的一页，从此电子设备开始实现晶体管化。中国的半导体研究和生产是从1957年制备出高纯度(99.999999%～99.9999999%) 的锗开始的。采用元素半导体硅（Si）以后，不仅使晶体管的类型和品种增加、性能提高，而且迎来了大规模和超大规模集成电路的时代。以砷化镓(GaAs)为的Ⅲ－Ⅴ族化合物的发现促进了微波器件和光电器件的迅速发展。元素半导体是指单一元素构成的半导体，其中对硅、硒的研究比较早。

相互关系各类和各个检测项目，有许多是密切相关的。例如，掺杂浓度和分布，除了通过成分结构的分析直接检测外，还可以通过测量电阻率与薄层电阻等方法进行推算。同样，二极管和晶体管的许多特性也与其刻蚀图形和几何结构有密切关系。同一检测项目根据不同产品和工艺的要求，如检测灵敏度、特定的杂质成分等，从经济和使用方便考虑，有时又可选用不同的检测方法和检测手段。对工艺过程存在的问题，有时根据一项检测结果就可作出判断，有时却要对几项测试结果进行综合分析进行判断。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中有影响力的一种。黄浦区品牌半导体项目安装工程电话

其检测方法更加紧密结合半导体工艺的要求。黄浦区品牌半导体项目安装工程电话

在工艺管理中，根据这些具体情况把那些能够直接而又简便地反映工艺控制情况的检测项目，列为经常进行的常规检测。对于那些有助于深入分析和判断工艺中存在的问题，但操作比较繁杂或费用高的检测项目，一般列入非常规的工艺测试，只进行定期或不定期的抽测。破坏性检测方法在常规检测中，有时还采用破坏性的方法（如测PN结深度、键合强度等），较多的则属非破坏性测试。但是即使采用非破坏性的检测方法，一般也不在半导体器件和集成电路的半成品或在制品上进行直接测量。其原因是:①避免由于工艺检测引进损伤和沾污;②从半导体器件和集成电路的现成结构上一般难以直接进行所需的工艺检测项目。特别是当集成电路的集成密度增大、图形更加精细时，更难从测量集成电路芯片直接判断工艺中存在的问题。黄浦区品牌半导体项目安装工程电话

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