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由于地球的矿藏多半是化合物，所以早得到利用的半导体材料都是化合物,例如方铅矿(PbS)很早就用于无线电检波，氧化亚铜(Cu2O)用作固体整流器，闪锌矿(ZnS)是熟知的固体发光材料，碳化硅(SiC)的整流检波作用也较早被利用。硒(Se)是早发现并被利用的元素半导体，曾是固体整流器和光电池的重要材料。元素半导体锗（Ge）放大作用的发现开辟了半导体历史新的一页，从此电子设备开始实现晶体管化。中国的半导体研究和生产是从1957年制备出高纯度(99.999999%～99.9999999%) 的锗开始的。采用元素半导体硅（Si）以后，不仅使晶体管的类型和品种增加、性能提高，而且迎来了大规模和超大规模集成电路的时代。以砷化镓(GaAs)为的Ⅲ－Ⅴ族化合物的发现促进了微波器件和光电器件的迅速发展。它是由相同元素组成的具有半导体特性的固体材料，容易受到微量杂质和外界条件的影响而发生变化。闵行区新型节能半导体项目安装工程厂家电话

的工艺检测项目。特别是当集成电路的集成密度增大、图形更加精细时，更难从测量集成电路芯片直接判断工艺中存在的问题。因此，需要采用专门的测试样片进行测试。例如，要测量薄层电阻、PN结的击穿电压或双极型晶体管的电流增益等在整个晶片上的分布情况，就要有专门的测试样片，并按照与正式产品的晶片相同的工艺条件在它的上面加工成薄层电阻、二极管或是双极型晶体管的测试结构阵列。这些测试样片有的用于检验单项工艺步骤，有的则要经受几步连续工艺甚至完成全部工序之后才能进行测试检验。嘉定区建设项目半导体项目安装工程哪里买元素半导体是指单一元素构成的半导体，其中对硅、硒的研究比较早。

目的主要是对工艺过程中半导体体内、表面和附加其上的介质膜、金属膜、多晶硅等结构的特性进行物理、化学和电学等性质的测定。其中许多检测方法是半导体工艺所特有的。分类按照所测定的特性，这一类检测可分为四个方面。①几何尺寸与表面形貌的检测：如半导体晶片、外延层、介质膜、金属膜,以及多晶硅膜等的厚度,杂质扩散层和离子注入层以及腐蚀沟槽等的深度，双极型晶体管的基区宽度，半导体晶片的直径、平整度、光洁度、表面污染、伤痕等，刻蚀图形的线条长、宽、直径间距、套刻精度、分辨率以及陡直、平滑等。

三元系包括：族:这是由一个Ⅱ族和一个Ⅳ族原子去替代Ⅲ－Ⅴ族中两个Ⅲ族原子所构成的。例如ZnSiP2、ZnGeP2、ZnGeAs2、CdGeAs2、CdSnSe2等。族：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅲ族原子去替代Ⅱ-Ⅵ族中两个Ⅱ族原子所构成的, 如 CuGaSe2、AgInTe2、 AgTlTe2、CuInSe2、CuAlS2等。：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅴ族原子去替代族中两个Ⅲ族原子所组成,如Cu3AsSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe4等。此外，还有它的结构基本为闪锌矿的四元系（例如Cu2FeSnS4）和更复杂的无机化合物。半导体（semiconductor）指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。

半导体制冷技术的应用原理是建立在帕尔帖原理的基础上的。1834年，法国科学家帕尔帖发现了半导体制冷作用。帕尔贴原理又被称为是”帕尔贴效益“，就是将两种不同的导体充分运用起来，使用A和B组成的电路，通入直流电，在电路的接头处可以产生焦耳热，同时还会释放出一些其它的热量，此时就会发现，另一个接头处不是在释放热量，而是在吸收热量。这种现象是可逆的，只要对电流的方向进行改变，放热和吸热的运行就可以进行调节，电流的强度与吸收的热量和放出的热量之间存在正比例关系，与半导体自身所具备的性质也存在关系。我们通常把导电性差的材料，如煤、人工晶体、琥珀、陶瓷等称为绝缘体。虹口区质量半导体项目安装工程厂家电话

物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。闵行区新型节能半导体项目安装工程厂家电话

相互关系各类和各个检测项目，有许多是密切相关的。例如，掺杂浓度和分布，除了通过成分结构的分析直接检测外，还可以通过测量电阻率与薄层电阻等方法进行推算。同样，二极管和晶体管的许多特性也与其刻蚀图形和几何结构有密切关系。同一检测项目根据不同产品和工艺的要求，如检测灵敏度、特定的杂质成分等，从经济和使用方便考虑，有时又可选用不同的检测方法和检测手段。对工艺过程存在的问题，有时根据一项检测结果就可作出判断，有时却要对几项测试结果进行综合分析进行判断。闵行区新型节能半导体项目安装工程厂家电话

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