西安光电电流放大器

向pn结施加反向偏置电压会导致耗尽区变宽。这在光电二极管应用的背景下有两个有益的影响。首先，如上一篇文章所述，较宽的耗尽区会使光电二极管更敏感。因此，当您想要产生与照度相关的更多输出信号时，光电导模式是一个不错的选择。其次，较宽的耗尽区会降低光电二极管的结电容。在上面所示的电路中，反馈电阻和结电容（以及其他电容源）的存在限制了系统的闭环带宽。与基本的RC低通滤波器一样，减小电容会增加截止频率。因此，光电导模式允许更宽的带宽，并且当您需要化检测器响应照度快速变化的能力时更可取。反向偏压还扩展了光电二极管的线性工作范围。如果您担心在高照度下保持测量，您可以使用光电导模式，然后根据您的系统要求选择反向偏置电压。但请记住，更多的反向偏压也会增加暗电流。纳安光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。西安光电电流放大器

性能良好的雪崩光电二极管的光电流平均增益嚔可以达到几十、几百倍甚至更大。半导体中两种载流子的碰撞离化能力可能不同，因而使具有较高离化能力的载流子注入到耗尽区有利于在相同的电场条件下获得较高的雪崩倍增。但是，光电流的这种雪崩倍增并不是理想的。一方面，由于嚔随注入光强的增加而下降，使雪崩光电二极管的线性范围受到一定的限制，另一方面更重要的是，由于载流子的碰撞电离是一种随机的过程，亦即每一个别的载流子在耗尽层内所获得的雪崩增益可以有很泛的几率分布，因而倍增后的光电流I比倍增前的光电流I0有更大的随机起伏，即光电流中的噪声有附加的增加。与真空光电倍增管相比，由于半导体中两种载流子都具有离化能力，使得这种起伏更为严重。西安光电电流放大器成都纳秒光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

雪崩光电二极管操作可以完全在耗尽模式下完成。但是，除了线性雪崩模式之外，它们还可以在盖革模式下工作。在这种工作模式下，光电二极管可以在上述击穿电压下工作。目前正在推出另一种模式，即“亚盖革模式”。在光纤通信(OFC)系统中，雪崩光电二极管通常用于弱信号的识别，但电路需要进行足够的优化以实现高信噪比(S/N)。这里，SNR是为了获得完美的信噪比，量子效率应该很高，因为这个值几乎是最大值，所以大部分信号都被注意到了。雪崩光电二极管是高度灵敏、基于高速的二极管，它通过施加反向电压来工作的内部增益方法。与PIN型光电二极管相比，这些二极管测量低范围光，因此用于需要高灵敏度不同的应用中，如光距离测量和远距离光通信。

通过加载一个大约50欧姆左右的阻值的光电二极管，你就可以从光敏模式中得到很多益处。如果二极管电压没超过20mV，就没必要对二极管进行正向偏置，同时响应也是是合理的并且快速的。然而灵敏度会很低。雪崩式光电二极管是特殊的模式，需要对其提供接近于击穿电压的反向偏置电压。这就使得在低光强的情况下，输出电流可以被放大。选择光电二极管的时候会存在很多权衡，包括光电二极管的尺寸，电容，噪声，暗电流以及封装类型。一般来说，是选用较小的同时带有反射器或者透镜可以聚集光源的光电二极管。德州仪器没有生产单独的光电二极管，然而对于很多基本的应用，将光电二极管和跨阻放大器集成在一块芯片上微安光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

雪崩二极管与PIN光电二极管有何区别PIN:光敏面接收对应波长的光照时，产生光生电流；雪崩光电二极管（APD）：除了和PIN相同部分外，多了一个雪崩增益区，光生电流会被放大，放大的倍数称为雪崩增益系数。当然同时也会产生噪声电流。PIN光电二极管、雪崩光电二极管均属于半导体光电探测器，所使用的材料一样，光谱响应范围也一样。PIN光电二极管优点在于响应度高响应速度快，频带也较宽工作电压低，偏置电路简单在反偏压下可承受较高的反向电压，所以线性输出范围宽不足之处在于I层电阻很大管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。所以PIN光电二极管通常接有前置放大器。成都在线光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。广州激光光电科技

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光电耦合器的主要用途1、光电耦合器可用于通信电缆的信号传输，其传输距离比普通电缆而言更长，而且无需拆开电缆就可以实现信号传输，极大地减轻了安装的负担。2、光电耦合器可用于数据处理。它能够将数据以光信号的形式传输，使得数据传输更快，更安全，而且不受周围环境的影响，可以提高数据处理的效率。3、光电耦合器可用于电脑网络。因为它能够将数据以光信号的形式传输，可以提高网络的速度和安全性。4、光电耦合器还可以用于电源线的信号传输。它可以将电源线的信号以光的形式传输，从而提高信号传输的效率，而且无需拆开电缆就可以实现信号传输，极大地减轻了安装的负担。5、光电耦合器还可以用于安防监控系统。它可以将安防监控系统的信号以光的形式传输，从而提高信号传输的效率，而且无需拆开电缆就可以实现信号传输，极大地提高了安防监控系统的安全性。西安光电电流放大器