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***工业CMOS图像传感器，主要产品DYNAMAX-11。这颗新的传感器含有的全局电子曝光快门技术，极大地改善了工业成像在室内和室外的应用。这颗新发布的DYNAMAX-11图像传感器适合用于机器视觉、安防监控、智能交通、生命科学、生物医疗、科学影像、高清录像、电视广播等工业成像领域。这颗新发布的DYNAMAX-11图像传感器含有320万像素，像素大小为5.0μm × 5.0μm。其它公司相当有特色的是Sanyo，该公司致力于改善CCD 传感器的功耗，以相机电话为主要应用目标，之前J-Phone率先推出的Sharp J-SHxx系列便是采用Sanyo的CIF级CCD传感器，Sharp、Toshiba等手机厂家也计划在02年4季度~03年1季度之间陆续引入 Sanyo的VGA产品。Matsushita、Sharp的产品规划与Sony相差不多，主要差异在于Matsushita准备推出更小的400万象素 （1/2.7英寸）与130万象素（1/4英寸）产品。CIS芯片通过将光信号转换为电信号来捕捉图像，然后通过信号处理电路进行图像处理和编码。宜兴质量CIS芯片收费

3.3象素的饱和与溢出模糊类似于放大器由于线性区的范围有限而存在一个输入上限，对于CMOS图像传感芯片来说，它也有一个输入的上限。输入光信号若超过此上限，像素单元将饱和而不能进行光电转换。对于含有积分功能的像素单元来说，此上限由光电子积分单元的容量大小决定：对于不含积分功能的像素单元，该上限由流过光电二极管或三极管的最大电流决定。在输入光信号饱和时，溢出模糊就发生了。溢出模糊是由于像素单元的光电子饱和进而流出到邻近的像素单元上。新吴区智能CIS芯片结构设计当光线照射到感光单元阵列上时，光敏元件会产生电荷，电荷的大小与光线的强度成正比。

主动式主动式像素结构（Active Pixel Sensor.简称APS），又叫有源式. 几乎在CMOS PPS像素结构发明的同时，人们很快认识到在像素内引入缓冲器或放大器可以改善像素的性能，在CMOS APS中每一像素内都有自己的放大器。集成在表面的放大晶体管减少了像素元件的有效表面积，降低了“封装密度”，使40%～50%的入射光被反射。这种传感器的另一个问题是，如何使传感器的多通道放大器之间有较好的匹配，这可以通过降低残余水平的固定图形噪声较好地实现。由于CMOS APS像素内的每个放大器*在此读出期间被激发，所以CMOS APS的功耗比CCD图像传感器的还小。

具有VGA分辨率的IM-001系列CMOS图像传感器在此基础上更进一步；它们是专为汽车应用而设计的。其像素由光电二极管组成，可提供高达120dB的自适应动态范围。面向汽车应用的ACM 100相机模块就采用了这些传感器，这种相机模块据称是同类产品中率先面市的全集成化相机解决方案：该视觉解决方案被看作是面向驾驶者保护、防撞、夜视支持和轮胎跟踪导向的未来汽车安全系统的关键元件。此外，对于**于电网的便携式应用而言，以低功耗特性而著称的CMOS技术还具有一个明显的优势：CMOS图像传感器是针对5V和3.3V电源电压而设计的。而CCD芯片则需要大约12V的电源电压，因此不得不采用一个电压转换器，从而导致功耗增加。在总功耗方面，把控制和系统功能集成到CMOS传感器中将带来另一个好处：它去除了与其他半导体元件的所有外部连接线。其高功耗的驱动器如今已遭弃用，这是因为在芯片内部进行通信所消耗的能量要比通过PCB或衬底的外部实现方式低得多。随着科技的不断进步，CIS芯片的性能不断提升，将为我们带来更高质量的图像和更多的应用场景。

1963年Morrison发表了可计算传感器，这是一种可以利用光导效应测定光斑位置的结构，成为CMOS图像传感器发展的开端。1995年低噪声的CMOS有源像素传感器单片数字相机获得成功。CMOS图像传感器具有以下几个优点：（1）随机窗口读取能力。随机窗口读取操作是CMOS图像传感器在功能上优于CCD的一个方面，也称之为感兴趣区域选取。此外，CMOS图像传感器的高集成特性使其很容易实现同时开多个跟踪窗口的功能。（2）抗辐射能力。总的来说，CMOS图像传感器潜在的抗辐射性能相对于CCD性能有重要增强。它是一种用于数字图像捕捉的集成电路，常用于数码相机、手机摄像头、监控摄像头等设备中。新吴区使用CIS芯片厂家现货

CIS芯片的制造过程包括光刻、沉积、蚀刻、离子注入等步骤。宜兴质量CIS芯片收费

所以，当今CMOS传感器的一个重要的开发目标就是扩大填充因子。赛普拉斯（FillFactory）通过其获得专利授权的一项技术，可以大幅度地提高填充因子，这种技术可以把一颗标准CMOS硅芯片比较大的一部分面积变为一块感光区域。随着像素尺寸的变小，提高填充因子所来越困难，目前当下流行的技术是从传统的前感光式（FSI，Front Side Illumination）变为背部感光式（BSI，Back Side Illumination） [3]，放大器等晶体管以及互联电路置于背部，前部全部留给光电二极管，这样就实现了100%的填充因子（如图1所示）。宜兴质量CIS芯片收费

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