锡山区定制CIS芯片工厂直销

2009年8月28日，索尼秋季数码影像新品发布会在北京隆重举行，索尼宣布在三条产品线推出共十款数码影像新品。其中 DSC-TX1和DSC-WX1***应用了新型影像传感器Exmor R CMOS影像传感器，它采用先进的背照射技术，其对光线的灵敏度比传统的CMOS影像传感器提高了约2倍，大幅提升了拍摄画质，得到明亮画面的同时更好地降噪，使得在低照度条件下仍然可以获得细节丰富的照片，造就***的夜间拍摄性能。该传感器具备1020万有效像素，支持从ISO100~ISO3200的感光度范围，并支持720p的高画质动态影像视频拍摄。性能强大的Exmor R MOS配合BIONZ影像处理器，可以快速准确地处理海量信息，使DSC TX1和WX1具备了手持夜景模式、全景拍摄、动作防抖和每秒比较高约10张。CIS芯片采用CMOS技术，具有低功耗、高集成度和成本效益等优势。锡山区定制CIS芯片工厂直销

2. 暗电流物理器件不可能是理想的，如同亚阈值效应一样，由于杂质、受热等其他原因的影响，即使没有光照射到象素，象素单元也会产生电荷，这些电荷产生了暗电流。暗电流与光照产生的电荷很难进行区分。暗电流在像素阵列各处也不完全相同，它会导致固定图形噪声。对于含有积分功能的像素单元来说，暗电流所造成的固定图形噪声与积分时间成正比。暗电流的产生也是一个随机过程，它是散弹噪声的一个来源。因此，热噪声元件所产生的暗电流大小等于像素单元中的暗电流电子数的平方根。江阴推广CIS芯片制定感光单元阵列是CIS芯片的部分，它由大量的光敏元件组成，每个光敏元件对应图像中的一个像素点。

溢出模糊反映到图像上就是一片特别亮的区域。这有些类似于照片上的曝光过度。溢出模糊可通过在像素单元内加入自动泄放管来克服，泄放管可以有效地将过剩电荷排出。但是，这只是限制了溢出，却不能使像素能真实还原出图像了。据市场调研公司Cahners In-stat Group预测，未来几年内，基于CMOS图像传感器的影像产品将达到50%以上，也就是说，到时CMOS图像传感器将取代CCD而成为市场的主流。可见，CMOS摄像机的市场前景非常广阔.今后几年，全球CMOS图像传感器销售量将迅速增加，并将在许多数字图像应用领域向传统的CCD发起冲击。

主动式主动式像素结构（Active Pixel Sensor.简称APS），又叫有源式. 几乎在CMOS PPS像素结构发明的同时，人们很快认识到在像素内引入缓冲器或放大器可以改善像素的性能，在CMOS APS中每一像素内都有自己的放大器。集成在表面的放大晶体管减少了像素元件的有效表面积，降低了“封装密度”，使40%～50%的入射光被反射。这种传感器的另一个问题是，如何使传感器的多通道放大器之间有较好的匹配，这可以通过降低残余水平的固定图形噪声较好地实现。由于CMOS APS像素内的每个放大器*在此读出期间被激发，所以CMOS APS的功耗比CCD图像传感器的还小。控制电路则负责控制整个芯片的工作状态和数据传输。

CMOS传感器按像素结构分为被动式与主动式两种。被动式被动式像素结构（Passive Pixel Sensor.简称PPS），又叫无源式。它由一个反向偏置的光敏二极管和一个开关管构成。光敏二极管本质上是一个由P型半导体和N型半导体组成的PN结，它可等效为一个反向偏置的二极管和一个MOS电容并联。当开关管开启时，光敏二极管与垂直的列线（Column bus）连通。位于列线末端的电荷积分放大器读出电路（Charge integrating amplifier）保持列线电压为一常数，当光敏二极管存贮的信号电荷被读出时，其电压被复位到列线电压水平，与此同时，与光信号成正比的电荷由电荷积分放大器转换为电荷输出。当光线照射到光敏单元上时，光敏单元会产生电荷，并将电荷转换为电压信号。滨湖区常见CIS芯片结构设计

这些电压信号经过放大和处理后，形成数字图像。锡山区定制CIS芯片工厂直销

CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)，中文学名为互补金属氧化物半导体，它本是计算机系统内一种重要的芯片，保存了系统引导**基本的资料。CMOS的制造技术和一般计算机芯片没什么差别，主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体，使其在CMOS上共存着带N（带-电）和 P（带+电）级的半导体，这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片记录和解读成影像。后来发现CMOS经过加工也可以作为数码摄影中的图像传感器，CMOS传感器也可细分为被动式像素传感器(Passive Pixel Sensor CMOS)与主动式像素传感器(Active Pixel Sensor CMOS)。锡山区定制CIS芯片工厂直销

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