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在现代CMOS图像传感器中，一个重要的发展趋势是其光谱灵敏度扩展到了近红外区NIR（至约1,100nm的波长）。配备了IM-001 CMOS图像传感器的汽车应用将改善雾穿透力和夜视能力。由于工业图像捕获技术开始运用更多波长位于NIR之中的光源，而且生物技术也在利用该光谱区域中的有趣现象，因此，新开发的IBIS 5-AE-1300传感器具有700～900nm的NIR灵敏度。在面向消费应用的图像捕获技术中，另一个发展趋势是继续提高分辨率。到2005年年中，70%左右的手机相机已具有VGA格式分辨率（640×480像素）；但随后的2006年，几百万像素的传感器就将占领50%的市场份额，而到2008年，其市场占有率预计将进一步攀升至90%以上。CIS芯片工作原理是利用光敏元件将光信号转换为电信号，并通过信号处理电路进行处理和转换，生成数字图像。无锡质量CIS芯片直销价

对于含有积分功能的像素单元来说，暗电流所造成的固定图形噪声与积分时间成正比。暗电流的产生也是一个随机过程，它是散弹噪声的一个来源。因此，热噪声元件所产生的暗电流大小等于像素单元中的暗电流电子数的平方根。当长时间的积分单元被采用时，这种类型的噪声就变成了影响图像信号质量的主要因素，对于昏暗物体，长时间的积分是必要的，并且像素单元电容容量是有限的，于是暗电流电子的积累限制了积分的**长时间。为减少暗电流对图像信号的影响，首先可以采取降温手段。但是，*对芯片降温是远远不够的，由暗电流产生的固定图形噪声不能完全通过双采样克服。采用的有效的方法是从已获得的图像信号中减去参考暗电流信号。无锡质量CIS芯片直销价它是一种用于数字图像捕捉的集成电路芯片，应用于数码相机、手机摄像头、监控摄像头等设备中。

根据FLASH ROM的容量和图像数据的压缩水平，可以决定能存照片的张数。如果将ROM换成PCMCIA卡，就可以通过换卡，扩大数码相机的容量，这就像更换胶卷一样，将数码相机的数字图像信息转存至PC机的硬盘中存贮，这就**方便了照片的存贮、检索、处理、编辑和传送。2.CMOS数字摄像机美国Omni Vison公司推出的由OV7610型CMOS彩色数字图像芯片和OV511型高级摄像机以及USB接口芯片所组成的USB摄像机，其分辨率高达640 x 480,适用于通过通用串行总线传输的视频系统。OV511型高级摄像机的推出，可使得PC机能以更加实时的方法获取大量视频信息，其压缩芯片的压缩比可以达到7:1,从而保证了图像传感器到PC机的快速图像传输

市场调研公司In-Stat/MDR亦指出，单就图像传感器的次级市场而言，其年成长率将高达30%以上，而且这种情况将持续到2008年。**为重要的是：CMOS传感器的成长速度将达到CCD传感器的七倍，照相手机和数码相机的迅速普及是这种需求的主要推动因素。显然，人们如此看好CMOS图像转换器的成长前景是基于这样一个事实，即：与垄断该领域长达30多年的CCD技术相比，它能够更好地满足用户对各种应用中新型图像传感器不断提升的品质要求，如更加灵活的图像捕获、更高的灵敏度、更宽的动态范围、更高的分辨率、更低的功耗以及更加优良的系统集成等。随着技术的不断进步，CIS芯片的性能将进一步提升，为数字图像的捕捉和处理带来更多的可能性。

在低功耗产品方面，OV也在2002年12峦瞥隽薕V7640，可以在2.5V的环境下运行，为VGA产品**耗比较低的芯片。而在2003 年新规划的产品方面，OV计划在下半年推出130万象素、1/4英寸，以及VGA、1/7英寸的产品，希望在CCD厂家推出低功耗的130万素产品之前，先行抢占市场先机。Agilent主要的产品为第二代的CIF(352*288)HDCS-1020和第二代的VGA(640*480)HDCS-2020，主要应用在数码相机 、行动电话、PDA、PC Camera等新兴的资讯家电产品之中，此外Agilent在2000年另一成功策略是和Logitech与Microsoft这两家公司策略联盟，打入了光学鼠标产品领域，但是这是非常低阶的CMOS产品，而且不是为了捕捉影像 ，所以在做影像感测器的全球统计时并未将此数量一并加入，但是此举可看出Agilent以CMOS技术为基础进军光学元件的规划意图。CIS芯片是一种用于数字图像捕捉的集成电路，具有低功耗、高集成度和低成本的特点，于各种数码影像设备中。锡山区定制CIS芯片销售价格

CIS芯片是指CMOS图像传感器芯片，也被称为CMOS图像传感器芯片。无锡质量CIS芯片直销价

所以，当今CMOS传感器的一个重要的开发目标就是扩大填充因子。赛普拉斯（FillFactory）通过其获得专利授权的一项技术，可以大幅度地提高填充因子，这种技术可以把一颗标准CMOS硅芯片比较大的一部分面积变为一块感光区域。随着像素尺寸的变小，提高填充因子所来越困难，目前当下流行的技术是从传统的前感光式（FSI，Front Side Illumination）变为背部感光式（BSI，Back Side Illumination） [3]，放大器等晶体管以及互联电路置于背部，前部全部留给光电二极管，这样就实现了100%的填充因子（如图1所示）。无锡质量CIS芯片直销价

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