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1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临1979年：Intel推出5MHz8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球***台PC1981年：256kbDRAM和64kbCMOSSRAM问世1984年：日本宣布推出1MbDRAM和256kbSRAM1985年：80386微处理器问世，20MHz1988年：16MDRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（VLSI）阶段1989年：1MbDRAM进入市场1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用0.8μm工艺1992年：64M位随机存储器问世1993年：66MHz奔腾处理器推出，采用0.6μm工艺该公司是坐落于美丽的无锡。杨浦区集成电路零售价格

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有的LSI厂家把引脚中心距为0.5mm的QFP专门称为收缩型QFP或SQFP、VQFP。但有的厂家把引脚中心距为0.65mm及0.4mm的QFP也称为SQFP，至使名称稍有一些混乱。QFP的缺点是，当引脚中心距小于0.65mm时，引脚容易弯曲。为了防止引脚变形，现已出现了几种改进的QFP品种。如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP(见BQFP)；带树脂保护环覆盖引脚前端的GQFP(见GQFP)；在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的**夹具里就可进行测试的TPQFP(见TPQFP)。在逻辑LSI方面，不少开发品和高可靠品都封装在多层陶瓷QFP里。引脚中心距**小为0.4mm、引脚数**多为348的产品也已问世。

四侧I形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈I字。也称为MSP(见MSP)。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分，贴装占有面积小于QFP。日立制作所为视频模拟IC开发并使用了这种封装。此外，日本的Motorola公司的PLL IC也采用了此种封装。引脚中心距1.27mm，引脚数从18于68。四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。90年代后期多称为LCC。QFN是日本电子机械工业会规定的名称。封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比QFP小，高度比QFP低。但是，当印刷基板与封装之间产生应力时，在电极接触处就不能得到缓解。因此电极触点难于作到QFP的引脚那样多，一般从14到100左右。材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC标记时基本上都是陶瓷QFN。电极触点中心距1.27mm。再生产过程中应该注意什么呢？

双侧引脚扁平封装。是SOP的别称(见SOP)。以前曾有此称法，80年代后期已基本上不用。8、DIC(dualin-lineceramicpackage)陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).9、DIL(dualin-line)DIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。10、DIP(dualin-linepackage)双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是**普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinnyDIP和slimDIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip在江阴当地他们的口碑很不错的。锡山区集成电路技术指导

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1960年：HHLoor和ECastellani发明了光刻工艺1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah***提出CMOS技术，***，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出***块门阵列（50门），为现如今的大规模集成电路发展奠定了坚实基础，具有里程碑意义1967年：应用材料公司（AppliedMaterials）成立，现已成为全球比较大的半导体设备制造公司1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现1971年：全球***个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明1974年：RCA公司推出***个CMOS微处理器18021976年：16kbDRAM和4kbSRAM问世杨浦区集成电路零售价格

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