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同样在 1965 年，加拿大国家研究委员会的 Wolfgang Helfrich 和 W. G. Schneider 使用空穴和电子注入电极在蒽单晶中产生了双注入复合电致发光，这是现代双注入器件的先驱。 同年，陶氏化学的研究人员获得了一种制备电致发光电池的方法的，该方法使用高压 (500–1500 V) 交流驱动 (100–3000 Hz) 电绝缘一毫米薄的由研磨蒽粉组成的熔融磷光体层， 并四苯和石墨粉。二极管逻辑（DL），或二极管-电阻逻辑（DRL），是用二极管构建布尔逻辑门。在逻辑门中，逻辑功能由平行或串联的开关（如继电器触点或CMOS等绝缘门场效应管）执行，由逻辑输入或平行电阻或二极管控制，这些都是无源元件。PN结是二极管的部件。秦皇岛哪些企业二极管好

因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。 另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。天津哪个公司二极管比较好正向导通电压是指在正向偏置下，二极管开始导通的电压。

二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。整流电流是指二极管长期连续工作时，允许通过的正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141℃左右，锗管为90℃左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管整流电流值。加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了反向工作电压值。

发光二极管显示器采用薄膜有机发光二极管 (OLED) 的小尺寸屏幕已经足够成熟，可以部分取代迄今为止在智能手机、数码相机和平板电脑中普遍使用的液晶显示器 (LCD)。自 2010 年代以来，还使用了 O 型发光二极管显示器，其中使用有源矩阵 (AM) 形式的薄膜晶体管控制各个像素。这些通常被称为 AMO 发光二极管显示器（有源矩阵有机发光二极管）。PIN 型二极管是一种二极管，在 p 型半导体和 n 型半导体区域之间有一个宽的、未掺杂的本征半导体区域。 p 型和 n 型区域通常是重掺杂的，因为它们用于欧姆接触。当二极管反向偏置时，即P型半导体连接负极，N型半导体连接正极时，电流无法流过二极管。

当无光照时，光电二极管的伏安特性与普通二极管一样。光电二极管作为光控元件可用于各种物体检测、光电控制、自动报警等方面。当制成大面积的光电二极管时，可当作一种能源而称为光电池。此时它不需要外加电源，能够直接把光能变成电能。 [4]发光二极管是一种将电能直接转换成光能的半导体固体显示器件，简称LED(Light Emitting Diode)。和普通二极管相似，发光二极管也是由一个PN结构成。发光二极管的PN结封装在透明塑料壳内，外形有方形、矩形和圆形等。在电源、放大器、计算机等电子设备中都有广泛应用。天津哪个公司二极管比较好

这种阻挡作用被称为二极管的单向导电性。秦皇岛哪些企业二极管好

PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。 [5]P型半导体是在本征半导体（一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体）掺入少量三价元素杂质，如硼等。因硼原子只有三个价电子，它与周围的硅原子形成共价键，因缺少一个电子，在晶体中便产生一个空位，当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位，使硼原子成了不能移动的负离子，而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子，形成了空穴，但整个半导体仍呈中性。这种P型半导体中以空穴导电为主，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。 [6]秦皇岛哪些企业二极管好

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