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烟台快恢复可控硅模块组件

来源: 发布时间:2023年04月30日

选择可控硅模块时不能只看表面,应参考实际工作条件来选择,选用可控硅模块的额定电流时,除了考虑通过元件的平均电流外,还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。


1.可控硅模块的冷却及环境条件:

(1)强迫风冷:风速≥6m/s,风温≤40℃;

(2)水冷:流量≥4L/mm,压强0.2±0.03Mpa。水温≤35℃. 水电阻率≥20KΩ.cm,HP值6—8;

(3)自冷和负冷环境温度—40℃—40℃.水冷以环境温度5℃—40℃;

(4)空气相对湿度≤85%;

(5)空气中无腐蚀性气体和破坏绝缘的尘埃;

(6)气压86—106Kpa;

(7)无剧烈震动或冲击;

(8)若有特殊场合,应进行相应的试验,证明工作可靠方可使用。 淄博正高电气有限公司与广大客户携手共创碧水蓝天。烟台快恢复可控硅模块组件

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实际上,可控硅模块元件的结温不容易直接测量,因此不能用它作为是否超温的判据。通过控制模块底板的温度(即壳温Tc)来控制结温是一种有效的方法。由于PN结的结温Tj和壳温Tc存在着一定的温度梯度,知道了壳温也就知道了结温,而相当高壳温Tc是限定的,由产品数据表给出。借助温控开关可以很容易地测量到与散热器接触处的模块底板温度(温度传感元件应置于模块底板温度相当高的位置)。从温控天关测量到的壳温可以判断模块的工作是否正常。若在线路中增加一个或两个温度控制电路,分别控制风机的开启或主回路的通断(停机),就可以有效地保证晶闸管模块在额定结温下正常工作。

  需要指出的是,温控开关测量到的温度是模块底板表面的温度,易受环境、空气对流的影响,与模块和散热器的接触面上的温度Tc,还有一定的差别(大约低几度到十几度),因此其实际控制温度应低于规定的Tc值。用户可以根据实际情况和经验决定控制的温度。 枣庄反并联可控硅模块供应商淄博正高电气有限公司重信誉、守合同,严把产品质量关,热诚欢迎广大用户前来咨询考察,洽谈业务!

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您知道可控硅模块的导通条件是什么吗?

可控硅模块导通的条件是阳极承受正电压,只有当正向触发电压时,可控硅才能导通。由门级施加的正向触发脉冲的较小宽度应使阳极电流达到维持直通状态所需的较小的阳极电流,即高于电流IL。可控硅导通后的电压降很小。

接通可控硅模块的条件是将流过可控硅模块的电流减小到较小的值,即保持电流IH。有两种方法:

1.将正极电压降低至数值,或添加反向阳极电压。

2.增加负载电路中的电阻。

以上是可控硅模块的导通状态,希望能帮助您

断一个可控硅元件是否完好,工程师需要从四个方面进行检查,首先是判断该元件的三个PN结应完好,其次是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断不导通,第三是当控制极开路时,阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通,第四是给控制极加上正向电流,给阴极与阳极加正向电压时,可控硅应当导通,把控制极电流去掉后仍处于导通状态。满足以上四个条件的可控硅元件,才是符合设计使用要求的。

  想要看一个可控硅元件是否符合以上要求,其实非常简单,只需要用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻,就可对**个方面的好坏进行判断。具体的操作方法是:用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻(控制极不接电压),此两个阻值均应很大。电阻值越大,表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低,或近于无穷大,说明可控硅已经击穿短路或已经开路,此可控硅不能使用了。 淄博正高电气有限公司敢于承担、克难攻坚。

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可控整流:如同二极管整流一样,将交流整流为直流,并且在交流电压不变的情况下,有效地控制直流输出电压的大小即可控整流,实现交流→可变直流之转变;

无触点功率静态开关(固态开关):作为功率开关元件,可控硅可以代替接触器、继电器用于开关频率很高的场合。

因此可控硅元件被广泛应用于各种电子设备和电子产品的电路中,多作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等用途。家用电器中的调光灯、调速风扇、冷暖空调器、热水器、电视、冰箱、洗衣机、照相机、音响组合、声控电路、定时控制器、感应灯、圣诞灯控制器、自动门电路、以及玩具装置、电动工具产品、无线电遥控电路、摄像机等工业控制领域等都大量使用了可控硅器件。 淄博正高电气有限公司具备雄厚的实力和丰富的实践经验。广东大功率可控硅模块厂家

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相信大家对于可控硅模块并不陌生了,现代在电气行业的不断发展,可控硅模块的使用范围越来越广,但是你对可控硅模块的了解有多少呢,它的主要参数有哪些你知道吗?下面为大家讲解。


可控硅模块的主要参数有:


(1) 额定通态平均电流IT在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。


(2) 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅模块两端的正向峰值电压。可控硅模块承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。


(3) 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅模块两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。 烟台快恢复可控硅模块组件

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