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  • 山东高压igbt驱动模块可控硅(晶闸管)ABB配套

    [1]维持电流I:是指晶闸管维持导通所必需的**小电流,一般为几十到几百毫安。IH与结温有关,结温越高,则I越小。擎住电流I:是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后,能维持导通所需的**小电流。对同一晶闸管来说,通常I约为I的2~4倍。[1]浪涌电流I:浪涌电流是指由于电路异常情况引起的使结温超过额定结温的不重复性**大正向过载电流。断态电压临界上升率du/dt:是指在额定结温、门极开路的情况下,不能使晶闸管从断态到通态转换的外加电压**大上升率。通态电流临界上升率di/dt:指在规定条件下,晶闸管能承受的**大通态电流上升率。如果di/dt过大,在晶闸管刚开通时会有很大的电流集中在门极附近...

  • 青海IGBT逆变器模块可控硅(晶闸管)semikron西门康全新原装现货

    此外,单个沟槽可以被提供有例如至少在一侧上的晶体管。此外,在所描述的实施例中,晶体管的n和p传导类型、n和p沟道类型以及二极管的阴极和阳极可以同时反转。上文已描述了具有各种变型的各种实施例。应当注意,本领域技术人员可以将这些各种实施例和变型的各种元件进行组合。后,基于上文给出的功能指示,所描述的实施例的实际实现在本领域技术人员的能力范围内。根据以上详细描述,可以对实施例进行这些和其他改变。通常,在所附权利要求中,所使用的术语不应被解释为将权利要求限制于说明书和权利要求中公开的特定实施例,而是应被解释为包括权利要求所要求保护的所有可能的实施例以及这样的等同物的全部范围。因此,权利要求不受本公开的...

  • 云南IGBT驱动电路可控硅(晶闸管)semikron西门康全新原装现货

    晶闸管和可控硅,有什么区别? 1、概念不一样:可控硅(SiliconControlledRectifier)简称SCR,是一种大功率电孝改器元件,也称晶闸管。三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三颤慎猜极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。 2、用处不一样:可控硅(1)小功率塑封双向可控硅通常用作声光控灯光系统。(2)功率塑封和铁封可控硅通常用作功率型可控调压电路。像可调压输出直流电源等等。(3)大功率高频可控硅通常用作工业中高频熔炼炉等。三极管,晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的...

  • 西藏IGBT逆变器模块可控硅(晶闸管)semikron西门康全新原装现货

    晶闸管的种类晶闸管有多种方式分类管理方法。(1)按关闭、传导和控制方式分类晶闸管可分为普通晶闸管、晶闸管晶闸管、反向晶闸管、门极关断晶闸管、btg晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管。(B)在销和分类的极性晶闸管按其引脚和极性不同可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。(三)按封装形式分类晶闸管其包可分为金属封装的晶闸管,晶闸管塑料晶闸管和三种类型的陶瓷封装的。其中,所述金属包晶闸管被分成螺栓形,板形,圆形壳状等;塑料晶闸管被分成翅片型散热器和无两。(四)按电流容量分类晶闸管按电流进行容量不同可分为传统大功率晶闸管、率控制晶闸管和小功率以及晶闸管三种。通常,大功率晶闸管多采用一些金属壳封装,而中、...

  • 山西可关断可控硅(晶闸管)原装进口

    此外,单个沟槽可以被提供有例如至少在一侧上的晶体管。此外,在所描述的实施例中,晶体管的n和p传导类型、n和p沟道类型以及二极管的阴极和阳极可以同时反转。上文已描述了具有各种变型的各种实施例。应当注意,本领域技术人员可以将这些各种实施例和变型的各种元件进行组合。后,基于上文给出的功能指示,所描述的实施例的实际实现在本领域技术人员的能力范围内。根据以上详细描述,可以对实施例进行这些和其他改变。通常,在所附权利要求中,所使用的术语不应被解释为将权利要求限制于说明书和权利要求中公开的特定实施例,而是应被解释为包括权利要求所要求保护的所有可能的实施例以及这样的等同物的全部范围。因此,权利要求不受本公开的...

  • 浙江脉冲可控硅(晶闸管)日本富士

    如果把左边从下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的话,那么右边从下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成为反向,它们之间正好是一正一反地并联在一起。我们把这种联接叫做反向并联。因此,从电路功能上可以把它等效成图3(c),也就是说,一个双向晶闸管在电路中的作用是和两只普通晶闸管反向并联起来等效的。这也正是双向晶闸管为什么会有双向控制导通特性的根本原因。双向晶闸管不象普通晶闸管那样,必须在阳极和阴极之间加上正向电压,管子才能导通。对双向晶闸管来说,无所谓阳极和阴极。它的任何一个主电极,对图3(b)中的两个晶闸管管子来讲,对一个管子是阳极,对另一个管子就是阴极,反过来也一样。因此,双向晶闸管...

  • 山东IGBT单管可控硅(晶闸管)FUJI全新原装原装

    金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常,大功率晶闸管多采用陶瓷封装,而中、小功率晶闸管则多采用塑封或金属封装。晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和快速晶闸管,快速晶闸管包括所有专为快速应用而设计的晶闸管,有常规的快速晶闸管和工作在更高频率的高频晶闸管,可分别应用于400HZ和10KHZ以上的斩波或逆变电路中。(备注:高频不能等同于快速晶闸管)晶闸管的作用与工作原理:我们分析晶闸管的作用与原理的时候可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成,其等效图解如上图所当阳极A...

  • 青海igbt驱动芯片可控硅(晶闸管)starpowereurope原厂库存

    认识半导体晶闸管晶闸管又被称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅。1957年美国通用电气公司开发出世界上第1款晶闸管产品,并于1958年将其商业化。晶闸管是PNPN四层半导体结构,形成三个PN结,分别称:阳极,阴极和控制极。图1晶闸管的结构晶闸管在工作过程中,它的阳极(A)和阴极(K)与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路。晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。工作过程加正向电压且门极有触发电流的情况下晶闸管才导通,这是晶闸管的闸流特性,即可控特性。若晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,晶闸管都处于反向阻断状态。晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减...

  • 广西可关断可控硅(晶闸管)宏微全新原装

    他发生在芯片外圆倒角处,有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。主要用途/晶闸管编辑普通晶闸管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管,就可以构成可控整流电路、逆变、电机调速、电机励磁、无触点开关及自动控制等方面。现在我画一个**简单的单相半波可控整流电路〔图4(a)〕。在正弦交流电压U2的正半周期间,如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug,VS仍然不能导通,只有在U2处于正半周,在控制极外加触发脉冲Ug时,晶闸管被触发导通。现在,画出它的波形图〔图4(c)及(d)〕,可以看到,只...

  • 内蒙古大功率igbt高压可控硅(晶闸管)Infineon全新原装

    [4]二极管大整流电流大整流电流是指二极管长期连续工作时,允许通过的大正向平均电流值,其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为141℃左右,锗管为90℃左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下,二极管使用中不要超过二极管大整流电流值。[4]二极管高反向工作电压加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了高反向工作电压值。[4]二极管检测方法编辑二极管小功率晶体二极管1.判别正、负电极(1)观察外壳上的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号,带有三角形箭头的一端为...

  • 重庆焊机igbt可控硅(晶闸管)Infineon全新原装

    载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结长久性损坏。[5]二极管反向电流反向电流是指二极管在常温(25℃)和高反向电压作用过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10℃,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管,在25℃时反向电流若为250uA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流为5uA,温度升高到75℃...

  • 湖北高压igbt驱动模块可控硅(晶闸管)FUJI全新原装原装

    当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。工作过程/晶闸管编辑概述晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结图1,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管,图2晶闸管当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导通,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此,两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门极电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通,晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1...

  • 山东IGBT逆变器模块可控硅(晶闸管)MACMIC原装现货

    适应多于六个晶闸管元件的各种大型可控整流设备。具有完善故障、报警检测和保护功能。实时检测过流、过压、反馈丢失、控制板内部故障。设有开机给定回零、软启动、截流、截压、急停保护。调试简便,数控板调试不用示波器和万用表。每一块控制板均经过了严格的软件测试、硬件老化,以确保工作稳定可靠。三相晶闸管触发板适用电路①三相全控桥式可控整流电路。②带平衡电抗器的双反星形可控整流电路。③变压器原边交流调压,副边二极管整流电路。④三相零式整流电路。⑤三相半控桥式可控整流电路。⑥三相交流相控调压电路⑦三相五柱式双反星形可控硅整流电路三相晶闸管触发板正常使用条件⑴海拔高度不超过2000M。⑵环境温度:-40℃-+50...

  • 重庆中频炉可控硅(晶闸管)SCR系列

    下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。判定GTO的电极将万用表拨至R×1档,测量任意两脚间的电阻,*当黑表笔接G极,红表笔接K极时,电阻呈低阻值,对其它情况电阻值均为无穷大。由此可迅速判定G、K极,剩下的就是A极。(此处指的模拟表,电子式万用表红表笔与电池正极相连,模拟表红表笔与电池负极相连)光控晶闸管晶闸管光控晶闸管(LightTriggeredThyristor——LTT),又称光触发晶闸管。国内也称GK型光开关管,是一种光敏器件。1.光控晶闸管的结构通常晶闸管有三个电极:控制极G、阳极A和阴极K。而光控晶闸管由于其控制信号来自光...

  • 湖南igbt驱动开关可控硅(晶闸管)MACMIC原装现货

    采用电子线路进行保护等。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件,使能量得以消散,常称之为吸收回路或缓冲电路。(4)阻容吸收回路通常过电压均具有相对较高的频率,因此我们常用电容可以作为企业吸收作用元件,为防止出现振荡,常加阻尼电阻,构成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在控制电路的交流侧、直流侧,或并接在晶闸管的阳极与阴极保护之间。吸收进行电路设计好方法选用无感电容,接线应尽量短。(5)吸收电路由硒堆和变容器等非线性元件组成上述阻容吸收回路的时间常数RC是固定的,有时对时间短、峰值高、能量大的过电压来不及放电,抑制过电压的效果较差。因此,一般在变流装置的进出线端还并有硒堆或压敏电阻等非线性元件。硒堆...

  • 青海半导体igbt可控硅(晶闸管)Mitsubishi三菱全新原装现货

    在恢复电流快速衰减时,由于外电路电感的作用,会在晶闸管两端引起反向的尖峰电压U。从正向电流降为零,到反向恢复电流衰减至接近于零的时间,就是晶闸管的反向阻断恢复时间t。[1]反向恢复过程结束后,由于载流子复合过程比较慢,晶闸管要恢复其对反向电压的阻断能力还需要一段时间,这叫做反向阻断恢复时间tgr。在反向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压,晶闸管会重新正向导通,而不受门极电流控制而导通。所以在实际应用中,需对晶闸管施加足够长时间的反压,使晶闸管充分恢复其对正向电压的阻断能力,电路才能可靠工作。晶闸管的电路换向关断时间t定义为t与t之和,即t=t+t除了开通时间t、关断时间t及触发电流IG...

  • 新疆igbt驱动开关可控硅(晶闸管)原装进口

    采用电子线路进行保护等。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件,使能量得以消散,常称之为吸收回路或缓冲电路。(4)阻容吸收回路通常过电压均具有相对较高的频率,因此我们常用电容可以作为企业吸收作用元件,为防止出现振荡,常加阻尼电阻,构成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在控制电路的交流侧、直流侧,或并接在晶闸管的阳极与阴极保护之间。吸收进行电路设计好方法选用无感电容,接线应尽量短。(5)吸收电路由硒堆和变容器等非线性元件组成上述阻容吸收回路的时间常数RC是固定的,有时对时间短、峰值高、能量大的过电压来不及放电,抑制过电压的效果较差。因此,一般在变流装置的进出线端还并有硒堆或压敏电阻等非线性元件。硒堆...

  • 陕西脉冲可控硅(晶闸管)原厂原盒

    而单向可控硅经触发后只能从其中阳极向阴极单方行为向导通,所以采用可控硅有单双向关系之分。电子生产中常用的SCR,单向MCR-100,双向TLC336等双向可控硅按象限来分,又分为四象三端双向可控硅、三象限双向可控硅;按包装:一般分为半塑料包装、外绝缘全塑料包装;按触发电流来分:分为微触型、高灵敏度型、标准触发型;按电压分:常规工作电压进行品种、高压品种。可控硅产品由于它在电路应用中的效率高、控制特性好、寿命长、体积小、功能强等优点,自上个世纪六十长代以来,获得了迅猛发展,并已形成了一门单独的学科。“晶闸管交流技术”。可控硅发展到,在工艺上已经非常成熟,质量更好,收率有了很大的提高,并向高压大电...

  • 山西可关断可控硅(晶闸管)Mitsubishi三菱全新原装现货

    晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又被称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电气公司开发出世界上第1款晶闸管产品,并于1958年将其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和控制极;晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。工作原理晶闸管在工作过程中,它的阳极(A)和阴极(K)与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。晶闸管为半控型电力电子器件,它的工作条件如下:1.晶...

  • 辽宁IGBT单管可控硅(晶闸管)starpowereurope原厂库存

    当选择替代晶闸管,无论什么参数,不要有太多的左边距,它应该是尽可能接近的取代晶闸管的参数,由于过度保证金不造成浪费,而且有时副作用,即没有触发,或不敏感等。另外,还要留意两个晶闸管的外形要相同,否则会给企业安装管理工作发展带来一些不利。晶闸管的工作原理的阳极A和阴极K,其阳极A和阴极K与电源和负载连接,形成晶闸管的主电路,晶闸管的栅极G和阴极与控制晶闸管的装置连接,形成晶闸管的控制电路。晶闸管的工作条件:1.当晶闸管承受反向阳极电压时,无论门极电压是多少,晶闸管都会被关闭。2.当所述晶闸管的阳极电压是正向,在晶闸管的栅极电压是正向传导只的情况。3.晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向影响阳极工...

  • 北京IGBT单管可控硅(晶闸管)SCR系列

    4.可关断晶闸管可关断晶闸管亦称门控晶闸管。其主要特点是,当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点,以具有自关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件。它的容量及使用寿命均超过巨型晶体管。目前,大功率可关断晶闸管已广用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域,显示出强大的生命力。5.光控晶闸管光控晶闸管又称光触发晶闸管,是一种光敏器件。由于其控制信号来自光的照射,没有必要再引出控制极,所以只有两个电极(阳极A和阴极K),结构与普通可控硅一样,是由四层PNPN器件构成。图2光控晶闸管符号图当在光控晶闸管的阳极加上正向电压,阴极加上负向电压时,控晶闸管可以...

  • 天津igbt驱动开关可控硅(晶闸管)semikron西门康全新原装现货

    5、其它要求(1)当模块控制变压器负载时,如果变压器空载,输出电流可能会小于晶闸管芯片的擎住电流,导致回路中产生较大直流分量,严重时会烧掉保险丝。为了避免出现上述情况,可在模块输出端接一固定电阻,一般每相输出电流不小于500mA(具体数据可根据试验情况确定)。(2)小规格模块主电极无螺钉紧固,极易掀起折断,接线时应注意避免外力或电缆重力将电极拉起折断。(3)严禁将电缆铜线直接压接在模块电极上,以防止接触不良产生附加发热。(4)模块不能当作隔离开关使用。为保证安全,模块输入端前面需加空气开关。(5)测量模块工作壳温时,测试点选择靠近模块底板中心的散热器表面。可将散热器表面以下横向打一深孔至散热器...

  • 湖南分立半导体模块可控硅(晶闸管)原装进口

    为了实现这一点,作为示例,传导层40覆盖衬底20和沟槽22。层40例如由铝、铝-铜或铝-硅-铜制成。层40可以布置在传导界面层42上。区域302在沟槽中从层40或可能的界面层42延伸。层42例如旨在便于在层40和区域302、204、210以及可能的区域306之间形成电接触件(下面的图2a至图2f的方法)。层42可以由硅化物制成或者可以是例如由钛制成的金属层。层42可以备选地包括硅化物层和金属层,金属层覆盖硅化物层并且例如由钛制成。硅化物因此形成电接触件,而金属层提供对层40的粘附。层42可以至少部分地通过自对准硅化工艺来获得,并且硅化物然后是不连续的并且不覆盖层304的上部部分。层42的厚度推...

  • 吉林焊机igbt可控硅(晶闸管)宏微全新原装

    金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常,大功率晶闸管多采用陶瓷封装,而中、小功率晶闸管则多采用塑封或金属封装。晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和快速晶闸管,快速晶闸管包括所有专为快速应用而设计的晶闸管,有常规的快速晶闸管和工作在更高频率的高频晶闸管,可分别应用于400HZ和10KHZ以上的斩波或逆变电路中。(备注:高频不能等同于快速晶闸管)晶闸管的作用与工作原理:我们分析晶闸管的作用与原理的时候可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成,其等效图解如上图所当阳极A...

  • 安徽可关断可控硅(晶闸管)宏微全新原装

    适应多于六个晶闸管元件的各种大型可控整流设备。具有完善故障、报警检测和保护功能。实时检测过流、过压、反馈丢失、控制板内部故障。设有开机给定回零、软启动、截流、截压、急停保护。调试简便,数控板调试不用示波器和万用表。每一块控制板均经过了严格的软件测试、硬件老化,以确保工作稳定可靠。三相晶闸管触发板适用电路①三相全控桥式可控整流电路。②带平衡电抗器的双反星形可控整流电路。③变压器原边交流调压,副边二极管整流电路。④三相零式整流电路。⑤三相半控桥式可控整流电路。⑥三相交流相控调压电路⑦三相五柱式双反星形可控硅整流电路三相晶闸管触发板正常使用条件⑴海拔高度不超过2000M。⑵环境温度:-40℃-+50...

  • 江西脉冲可控硅(晶闸管)SCR系列

    三相晶闸管触发板是以高级工业级单片机为组成的全数字控制、数字触发板,并将电源变压器、脉冲变压器焊装在控制板上。中文名三相晶闸管触发板外文名Three-phasethyristortriggerboard适应适应不同性质负载电压5V~380V目录1三相晶闸管触发板2种高性能PID方案▪适用电路▪正常使用条件▪工作原理▪技术参数3三相晶闸管触发板应用技术三相晶闸管触发板三相晶闸管触发板编辑使用灵活,安装简便。电源用变压器,性能稳定可靠。三相同步方案,定制可适应交流5V~380V各种同步电压。三相晶闸管触发板种高性能PID方案编辑适应不同性质负载,控制精度高,动态特性好。全数字触发,脉冲不对称度≤°...

  • 山西分立半导体模块可控硅(晶闸管)Infineon英飞凌全新原装现货

    [7]二极管双向触发二极管将万用表置于相应的直流电压挡,测试电压由兆欧表提供。[8]测试时,摇动兆欧表,万同样的方法测出VBR值。后将VBO与VBR进行比较,两者的较为值之差越小,说明被测双向触发二极管的对称性越好。[8]二极管瞬态电压抑制二极管用万用表测量管子的好坏对于单要极型的TVS,按照测量普通二极管的方法,可测出其正、反向电阻,一般正向电阻为4kΩ左右,反向电阻为无穷大。[8]对于双向极型的瞬态电压抑制二极管,任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大,否则,说明管子性能不良或已经损坏。[8]二极管高频变阻二极管识别正、负极高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色...

  • 云南脉冲可控硅(晶闸管)Infineon全新原装

    故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸管处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下,从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高其电流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结,并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3,当a1和a2随发射极电流增加而(a1+a2)≈1时,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。式(1—1)中,在晶闸管导通后,1-(a1+a2)...

  • 河南功率半导体igbt可控硅(晶闸管)ABB配套

    美国通用电气公司研发了世界上***个以硅单晶为半导体整流材料的硅整流器(SR),1957年又开发了全球较早用于功率转换和控制的可控硅整流器(SCR)。由于它们具有体积小、重量轻、效率高、寿命长的优势,尤其是SCR能以微小的电流控制较大的功率,令半导体电力电子器件成功从弱电控制领域进入了强电控制领域、大功率控制领域。在整流器的应用上,晶闸管迅速取代了**整流器(引燃管),实现整流器的固体化、静止化和无触点化,并获得巨大的节能效果。从1960年代开始,由普通晶闸管相继衍生出了快速晶闸管、光控晶闸管、不对称晶闸管及双向晶闸管等各种特性的晶闸管,形成一个庞大的晶闸管家族。晶闸管在应用中有效率高、控制特...

  • 甘肃IGBT逆变器模块可控硅(晶闸管)ABB配套

    可控硅的工作原理是什么? 可控硅分为单向可控硅、双向可控硅,两者原理分别是:单向可控硅:单向可控硅能在外部控制信号作用下由关断变为导通,但一旦导通,外部信号就无法使其关断,只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断; 工作原理:可控硅实际上就是一个大功率的二极管,它与普通二极管的不同之处在于它多了一个控制极.普通二极管是正向电压就导通,可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流,还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。 晶...

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