您好,欢迎访问
企业商机 - 上海寅涵智能科技发展有限公司
  • 锂离子电池,超级电容器和燃料电池的区别?区别就是锂电池可以存储大量电荷,电荷存放时间很长,但是不能大电流放电。超级电容电荷存储电荷较少,存放时间段,可以大电流放电。燃料电池就是一次性电池不能充电,用完...

  • 中文名:电解电容外文名:electrolyticcapacitor类别:电容适用范围:物理特点:电容量大简介,类型,特点,原理,套用,发展状况,在材料上,在工艺上,在结构上,展望,简介电解电容是电容的...

  • 外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。[5]当外加的反...

  • 二极管的正向压降硅管约为(通常取),锗管约为(通常取)。·折叠反向特性(外加反向电压)反向特性即二极管反向偏置时的电压与电流的关系。反向电压加强了内电场对多子扩散的阻碍,多子几乎不能形成电...

  • 什么是超级电容器?◆超级电容器(supercapacitor,ultracapacitor),又叫双电层电容器(ElectricalDoule-LayerCapacitor)、黄金电容、法拉电容,通过...

  • 被动电压平衡PassiveVoltageBalancing被动电压平衡电路是采用与电容并联的电阻进行分压,这就允许电流从电压比较高的电容向电压比较低的电容流动,通过这种方式进行电压平衡。选择电阻的阻值...

  • 导通电压UD约为。在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时,电流开始急剧增大,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示...

  • 重庆西门康可控硅二极管 发布时间:2024.04.22

    则指给定反向漏电流条件下的电压值。(5)高工作频率fm:它是二极管在正常情况下的高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定,若工作频率超过fm,则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N40...

  • 几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。[1]二极管原理发光二极管编辑发...

  • 半导体二极管:半导体二极管是指利用半导体特性的两端电子器件。常见的半导体二极管是PN结型二极管和金属半导体接触二极管。它们的共同特点是伏安特性的不对称性,即电流沿其一个方向呈现良好的导电性,而在相反方...

  • 富士电机研发制造电力电子功率半导体IGBT/IPM,为太阳能发电,风力发电,智能电网,工业自动化变频伺服,铁路机车,电动汽车等提供功率器件,为高效化和节能做贡献。富士提供大功率IGBT模块和双极性产品...

  • 晶闸管智能模块指的是一种特殊的模板,采用了采用全数字移相触发集成电路。中文名晶闸管智能模块特点三相交流模块输出对称性好等优点功耗低,效率高等适用温度-25℃~+45℃目录1模块特点2模块规格3注意事项...

  • 对于IGBT模块我们还需判断在有触发电压的情况下能否导通和关断。逆变器IGBT模块检测:将数字万用表拨到二极管测试档,测试IGBT模块c1e1、c2e2之间以及栅极G与e1、e2之间正反向二极管特性,...

  • 图1所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构,N+区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区(包括P...

  • 措施:在三相变压器次级星形中点与地之间并联适当电容,就可以减小这种过电压。与整流器并联的其它负载切断时,因电源回路电感产生感应电势的过电压。变压器空载且电源电压过零时,初级拉闸,因变压器激磁电流的突变...

  • IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲,是一个非通即断的开关,IGBT没有...

  • 可控硅又称晶闸管(SiliconControlledRectifier,SCR)。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族,它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可...

  • 有无缓冲区决定了IGBT具有不同特性。有N*缓冲区的IGBT称为非对称型IGBT,也称穿通型IGBT。它具有正向压降小、犬断时间短、关断时尾部电流小等优点,但其反向阻断能力相对较弱。无N-缓冲区的IG...

  • 家用电器中的调光灯、调速风扇、冷暖空调器、热水器、电视、冰箱、洗衣机、照相机、音响组合、声控电路、定时控制器、感应灯、圣诞灯控制器、自动门电路、以及玩具装置、电动工具产品、无线电遥控电路、摄像机等工业...

  • Ia与Il成正比,即当光电二极管的光电流增大时,光控晶闸管的输出电流也相应增大,同时Il的增大,使BGl、BG2的电流放大系数a1、a2也增大。当al与a2之和接近l时,光控晶闸管的Ia达到**大,即...

  • 并将熔件管2两端端盖上的卡槽10与夹体5上的弹性限位片9齐平,随后移动两个支座绝缘子,使两个支座绝缘子互相靠近,在移动过程中,夹体5上的弹性限位片9与熔件管2端部接触,受压力后向夹持臂6贴合,然后伸至...

  • 故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸管处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下,从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高其电流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过...

  • 措施:在三相变压器次级星形中点与地之间并联适当电容,就可以减小这种过电压。与整流器并联的其它负载切断时,因电源回路电感产生感应电势的过电压。变压器空载且电源电压过零时,初级拉闸,因变压器激磁电流的突变...

  • 上)特斯拉IGBT市场商机三大厂商旗舰产品逐个看深圳比亚迪微电子近期更名并设立新公司,要发威了?简介特性应用相关内容igbt简介IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)...

  • IGBT与MOSFET的开关速度比较因功率MOSFET具有开关速度快,峰值电流大,容易驱动,安全工作区宽,dV/dt耐量高等优点,在小功率电子设备中得到了广泛应用。但是由于导通特性受和额定电压的影响很...

  • 从而实际强触发,加速了元件的导通,提高了耐电流上升率的能力。三、能耐较高的电压上升率(dv/dt)晶闸管是由三个P—N结组成的。每个结相当于一个电容器。结电压急剧变化时,就有很大的位移电流流过元件,它...

  • 否则将遭至彻底损坏。当晶闸管中流过大于额定值的电流时,热量来不及散发,使得结温迅速升高,终将导致结层被烧坏。产生过电流的原因是多种多样的,例如,变流装置本身晶闸管损坏,触发电路发生故障,控制系统发生故...

  • 根据IGBT的驱动以及逆变电路的要求,模块内部的IGBT控制电源必须是上桥臂3组,下桥臂1组,总计4组单独的15V直流电源。图1中给出了几种典型光电耦合器驱动电路,其中三极管与光电耦合器并联型电路对光...

  • 他发生在芯片外圆倒角处,有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。主要用途/晶闸管编辑普通晶闸管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管...

  • 蝶型螺母的设置方便所述快速更换熔丝部件安装时的操作,方便拧入和拧出。在高压熔断器更换熔丝时,只需用手将熔丝缠绕所述蝶形螺母中间位置对应的螺杆一圈,然后轻轻一拧,即安装完成。(3)有益效果本实用新型的有...

1 2 3 4 5 6 7 8 ... 28 29