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一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。 [4]击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被长久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。面接触型二极管的PN结接触面积大，可以通过较大的电流，也能承受较高的反向电压，适宜在整流电路中使用 。黄浦区选择二极管商家

稳压管与一般二极管不一样，它的反向击穿是可逆的，只要不超过稳压管电流的允许值，PN结就不会过热损坏，当外加反向电压去除后，稳压管恢复原性能，所以稳压管具有良好的重复击穿特性。 [4]光电二极管光电二极管光电二极管又称光敏二极管。它的管壳上备有一个玻璃窗口，以便于接受光照。其特点是，当光线照射于它的PN结时，可以成对地产生自由电子和空穴，使半导体中少数载流子的浓度提高，在一定的反向偏置电压作用下，使反向电流增加。因此它的反向电流随光照强度的增加而线性增加。杨浦区优势二极管是什么对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。

当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。 [5]当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

2、反向性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。3、击穿外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被长久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。此时它不需要外加电源，能够直接把光能变成电能。

现有的光电二极管阵列检测器的制造商主要有：Beckman Instruments Inc（贝克曼仪器公司）、Dionex Corp（戴安公司）、Groton Technology Inc.、Hitachi Instruments Inc.、Hewlett-Packzrd Co.（惠普公司）、Perkin-Elmer Corp.（ 珀金-埃尔默公司）、Shimadzu Scientific Instruments Ins.（ 岛津公司）、Thermo Separation Products（热电公司）、Varian Znstruments（瓦里安公司）和Waters Corp.（沃特斯公司）。几乎所有的国外主要分析仪器制造商都开发了二极管阵列检测器。二极管阵列检测器的技术发展已比较成熟。当无光照时，光电二极管的伏安特性与普通二极管一样。黄浦区质量二极管货源充足

外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。黄浦区选择二极管商家

此后该种检测器又有一些新的改进，获得了更好的波长分辨率和更高的灵敏度。光学多通道检测技术不仅*可以采用光电二极管阵列做为光电检测元件。硅光导摄像管是首先被应用到液相色谱阵列检测器的光电检测元件，但由于紫外响应弱，成本比光电二极管阵列高，响应慢等缺点而较少应用。电荷耦合阵列检测器（charge-coupied device array detector，CCD检测器）具有很多优异的性能：光谱范围宽、量子效率高、暗电流小、噪声低、线性范围宽等。但CCD检测器的紫外响应弱，信号收率低，有碍它的进一步发展。其它的光电检测元件同样具有以上这些缺点，因此光电二极管成为**主要、**常用的光学多通道检测技术的光电检测元件。黄浦区选择二极管商家

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