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此后该种检测器又有一些新的改进，获得了更好的波长分辨率和更高的灵敏度。光学多通道检测技术不仅*可以采用光电二极管阵列做为光电检测元件。硅光导摄像管是首先被应用到液相色谱阵列检测器的光电检测元件，但由于紫外响应弱，成本比光电二极管阵列高，响应慢等缺点而较少应用。电荷耦合阵列检测器（charge-coupied device array detector，CCD检测器）具有很多优异的性能：光谱范围宽、量子效率高、暗电流小、噪声低、线性范围宽等。但CCD检测器的紫外响应弱，信号收率低，有碍它的进一步发展。其它的光电检测元件同样具有以上这些缺点，因此光电二极管成为**主要、**常用的光学多通道检测技术的光电检测元件。光电二极管又称光敏二极管。松江区选择二极管按需定制

二极管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。二极管工作原理（正向导电，反向不导电）晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成了空间电荷层，并且建有自建电场，当不存在外加电压时，因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当产生正向电压偏置时，外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流（也就是导电的原因）。 当产生反向电压偏置时，外界电场与自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0（这也就是不导电的原因）。杨浦区怎样二极管供应商当外加电压超过门槛电压，PN结相当于一个阻值很小的电阻，也就是PN结导通。

二极管阵列检测器 即光电二级阵列管检测器又称光电二极管列阵检测器或光电二极管矩阵检测器，表示为PDA（photo-diode array）、PDAD（photo-diode array detector）或（Diode array detector，DAD）是20世纪80年代出现的一种光学多通道检测器。在晶体硅上紧密排列一系列光电二极管，每一个二极管相当于一个单色器的出口狭缝，二极管越多分辨率越高，一般是一个二极管对应接受光谱上一个纳米谱带宽的单色光。此外，还有的商家称之为多通道快速紫外-可见光检测器（multichannel rapid scanning UV-VIS detector），三维检测器（three dimensional detector）等。光电二极管阵列检测器已在高效液相色谱分析中大量使用，一般认为是液相色谱**有发展、比较好的检测器。

（3）煤矿中的应用由于发光二极管较普通发光器件具有效率高、能耗小、寿命长、光度强等特点，因此矿工灯以及井下照明等设备使用了发光二极管。虽然还未完全普及，但在不久将得到普遍应用，发光二极管将在煤矿应用中取代普通发光器件。 [6]（4）城市的装饰灯在当今繁华的商业时代，霓虹灯是城市繁华的重要标志，但霓虹灯存在很多缺点，比如寿命不够长等。因此，用发光二极管替代霓虹灯有着很多优势，因为发光二极管与霓虹灯相比除了寿命长，还有节能、驱动和控制简易、无需维护等特点。发光二极管替代霓虹灯将是照明设备发展的必然结果。二极管具有单向导电性能，导通时电流方向是由阳极通过管子流向阴极。

反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。 [5]另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结长久性损坏。在电子技术中常用的数码管，发光二极管的原理与光电二极管相反。松江区选择二极管按需定制

用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。松江区选择二极管按需定制

PN结单向导电性在PN结外加正向电压V，在这个外加电场的作用下，PN结的平衡状态被打破，P区中的空穴和N区的电子都往PN结方向移动，空穴和PN结P区的负离子中和，电子和PN结N区的正离子中和，这样就使PN结变窄。随着外加电场的增加，扩散运动进一步增强，漂移运动减弱。当外加电压超过门槛电压，PN结相当于一个阻值很小的电阻，也就是PN结导通。点接触型二极管点接触型二极管的PN结接触面积小，不能通过较大的正向电流和承受较高的反向电压，但它的高频性能好，适宜在高频检波电路和开关电路中使用 [5]。松江区选择二极管按需定制

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