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秦淮区出口光电材料

来源: 发布时间:2024年05月16日

红外透过材料发展的另一个重要方向是:耐高温红外透过材料的研究。高速飞行器在飞行过程中会对红外窗口和罩材产生高温、高压、强烈的风砂雨水的冲刷和浸蚀,影响红外透过材料的性能,因此需要一系列新型的耐高温、具有综合光学、物理、机械、化学性能的新材料。这些条件下使用的理想材料从室温到1000℃应具有下列特性:在使用波段内具有高透过,低热辐射、散射及双折射,**度,高导热系数,低热膨胀系数,抗风砂雨水的冲击和浸蚀,耐超声波辐射等。**近研究较多的耐高温红外透过材料有镁铝尖晶石、兰宝石、氧化钇、镧增强氧化钇和铝氧氮化物ALON等。镁铝尖晶石是近年来研究**多的相当***的红外光学材料之一,它能在高温、高湿、高压、雨水、风砂冲击及太阳暴晒下仍保持其性质,因而是优先选用的耐高温红外透过材料,它可透过200nm到6μm的紫外、可见光及红外光。单晶蓝宝石也是一种耐高温红外材料,它可透过从远紫外0.17μm到6.5μm的红外光,用新研制的热交换法晶体生长过程可以制造直径达25cm的大尺寸蓝宝石。又假如一纯质可以分解为二种或二种以上之质,则原来之质必为化合物。秦淮区出口光电材料

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远红外材料是红外透过材料当前研究发展的重点方向之一,8~14μm长波红外透过材料有:硫化锌(ZnS)、硒化锌(ZnSe)、硫化镧钙(CaLa2S4)、砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)和锗(Ge)等。ZnS被认为是一种较好的远红外透过材料,在3~12μm范围,厚2mm时,平均透过率大于70%,无吸收峰,采取特殊措施,比较大红外透过率达95.8%。国外已采用ZnS作为远红外窗口和头罩材料,像美国的LANTRIRN红外吊舱窗口,Learjel飞机窗口等。美国Norton国际公司先进材料部每年生产上千个ZnS头罩。ZnS多晶体的制备方法主要有两种:热压法与化学气相淀积法(CVD),CVD法制备的材料性能较好。徐汇区哪些是光电材料熔盐电解提纯金属铪,通常将海绵铪。

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Hg1-xMnxTe是磁性半导体材料,在磁场中的光伏特性与碲镉汞几乎相同,但它克服了Hg-Te弱键引起的问题。②高温超导材料,现处于研究开发阶段,已有开发成功的产品。③Ⅲ-V超晶格量子阱化合物材料,可用于8~14μm远红外探测器,如:InAs/GaSb(应变层超晶格)、GaAs/AlGaAs(量子阱结构)等。④SiGe材料,由于SiGe材料具有许多独特的物理性质和重要的应用价值,又与Si平面工艺相容,因此引起了微电子及光电子产业的高度重视。SiGe材料通过控制层厚、组分、应变等,可自由调节材料的光电性能,开辟了硅材料人工设计和能带工程的新纪元,形成国际性研究热潮。Si/GeSi异质结构应用于红外探测器有如下优点:截止波长可在3~30μm较大范围内调节,能保证截止波长有利于优化响应和探测器的冷却要求。Si/GeSi材料的缺点在于量子效率很低,利用多个SiGe层来解决这一问题。

发电方式太阳能发电有两种方式:一种是光—热—电转换方式,另一种是光—电直接转换方式。1.光—热—电转换方式通过利用太阳辐射产生的热能发电。一般是由太阳能集热器将所吸收的热能转换成工质的蒸气再驱动汽轮机发电。前一个过程是光—热转换过程,后一个过程是热—电转换过程与普通的火力发电一样。太阳能热发电的缺点是效率很低而成本很高,估计它的投资至少要比普通火电站贵5~10倍。一座1000MW的太阳能热电站需要投资20~25亿美元,平均1kW的投资为2000~2500美元。因此,只能小规模地应用于特殊的场合。而大规模利用在经济上很不合算,还不能与普通的火电站或核电站相竞争。2.光—电直接转换方式该方式是利用光电效应将太阳辐射能直接转换成电能光—电转换的基本装置就是太阳能电池。公司的福利待遇很是不错的。

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氧化钇和镧增强氧化钇的透过波长为8μm,在氧化钇中掺入氧化镧,材料强度提高30%,光学特性不变。由于高温下具有很高的硬度,所以它具有很好的抗冲击、抗浸蚀性能。严格的说到还没有一种理想的材料能完全满足上述要求。但包括上述材料在内的不少材料具有较理想的综合性质。(3)红外透过材料的第三个发展方向是:红外/毫米波双模材料,这是为适应红外/毫米波双模复合材料制导技术的需要。还没有一种材料能满足红外/毫米波双模材料既要有高的远红外透过率又有小的介电常数和损耗角正切的要求,高性能的红外/毫米波双模材料尚待进一步研究发展。红外材料的应用:包括各种导弹的制导、红外预警(包括探测、识别和跟踪、预***星、预警飞机、各种侦察机等)、观察瞄准(高能束拦截武器等)。有着先进的设备和专业的技术。徐汇区哪些是光电材料

化合物具有一定的特性,通常还具有一定的组成。秦淮区出口光电材料

用各种薄膜外延技术制备大尺寸晶片,这些技术包括分子束外延(MBE)、液相外延(LPE)和金属有机化合物气相淀积(MOCVD)等。特别是用MOCVD可以制出大面积、组分均匀、表面状态好的Hg-Cd-Te薄膜,用于制备大面积焦平面阵列红外探测器。国外用MOCVD法已制成面积大于5cm2、均匀性良好、Δx=0.2±0.005、工艺重复性好的碲镉汞单晶薄膜,64×64焦平面器件已用于型号系统、512×512已有样品。(2)寻找高性能新红外材料取代Hg-Cd-Te,主要包括:①Hg-Mn-Te和Hg-Zn-Te,美国和乌克兰等国从80年代中就开展了这方面的研究,研究表明,Hg1-xZnxTe和Hg1-x CdxZnyTe的光学特性和碲镉汞很相似,但较容易获得大尺寸、低缺陷的单晶,化学稳定性也更高。秦淮区出口光电材料

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