进口高纯度金属材料共同合作

高纯金属铬的特点是：主成分高（≥99.7%），杂质含量少，特别是气体氧、硫、氮含量低（C 0.025%、O 0.04%、N 0.003%、S 0.002%）。高纯金属铬主要用于电气的触头，其使用周期长，不发生打弧粘连现象；可用超级合金作添加剂生产飞机涡轮机的叶片，耐高温、抗氧化、抗振动、抗蠕变性能强；也用于做各种等离子和电子束溅喷的铬靶及电子行业的半导体、芯片等，在特色玻璃加工行业也得到广泛应用。国内高纯金属铬的生产厂家主要为沈宏公司，由于其采用的生产工艺不同，因此，其生产的金属铬中杂质硅含量较低，在0.1%以下，可以满足国内外市场对低硅金属铬的需求宇航、无线电科技等的发展，对金属纯度要求越来越高。进口高纯度金属材料共同合作

电感耦合等离子体原子发射光谱法(InduetivelyCoupledplasmaAtomieEmissionSepcotrmetyr，ICP-AES)是根据不同元素的原子或离子在热激发或电激发下发射特征电磁辐射进行元素定性或定量检测的方法。随着ICP(电感祸合等离子体)光源技术的发展，ICP-AES己成为痕量元素分析检测***的手段之一，目前己广泛应用于半导体工业、新材料、高纯试剂、医学检测等众多行业中，在高纯金属分析检测领域也有着广泛的应用。ICP-AES法具有以下优点：(1) ICP-AES法可同时测定多个元素；(2) ICP-AES法测量的线性范围可达5-6个数量级，可以同时完成样品中常量、微量以及痕量杂质的测定；(3) ICP-AES法稳定性和测量精度良好，其分析精度可与湿式化学法媲美，且检出限较低，大多数元素的检出限可低于1mg/L；(4) ICP-AES法分析测试成本较低。玄武区智能高纯度金属材料公司和十几家行业里面的龙某头进行合作。

随着材料加工技术水平的提高，金属的纯度在不断提高，但要制备***纯的金属是不可能的。所谓的“高纯”和“超纯”具有相对的含义，是指技术上达到的标准。由于科学技术的发展，也使得“高纯”和“超纯”的标准在不断升级。例如过去高纯金属的杂质为ppm级(即百万分之几)，超纯半导体材料的杂质为ppb级(十亿分之几)，而现在己经逐步发展到以ppb级(十亿分之几)和ppt级(一万亿分之几)来表示。同时各个金属的提纯难度不尽相同，如半导体材料中称9N以上为高纯,而难熔金属达6N己属超高纯

铪具有熔点高、热中子截面高、高温耐腐蚀和抗氧化性好等优点，可应用于核反应堆控制棒材料、喷气式发动机和导弹上的结构材料，也可用来制造阀门、 喷管和其它耐高温零件；铪粉还可用作火箭推进剂，因此，金属铪，特别是高纯铪目前已引起国内外科技工作者的***关注，并进行了大量的研究。国内外高纯金属铪的制备方法主要有熔盐电解、碘化精炼、电子束熔炼和电子束悬浮区熔炼等。熔盐电解精炼法熔盐电解提纯金属铪，通常将海绵铪、镁还原或钙还原得到的金属铪烧结压块作为阳极，以不锈钢、钼或铂等为阴极，电解质通常为氯化物体系或氯化物一氟化物体系。熔盐电解精炼铪的原理是，在直流电作用下使电性正于铪的元素留在阳极中(如 铁、镍、钼、纯度很高、 所含杂质常以百万分之几计算的金属。

对贵金属而言，用中子活化分析灵敏度比较高的是Ir、Au和Rh。该方法的检出限很低，可以和CIP-MS法媲美。用试金一中子活化和ICP-MS分析地质样品中铂族元素，发现用中子活化分析Ir的检出限高十倍，其余的比IC-MS低，两种方法可以互补。但是核辐射对人体有害，且需要小型反应堆，设备受到地域限制，使用难以普及。原子发射光谱法原子发射光谱法(AES)是测定高纯金属或半导体材料中痕量杂质的主要分析方法之一，常采用预富集与AES测定联用技术。这种联用技术既保持了AES同时检测多元素的特点，又克服了基体效应和复杂组分的干扰，也便于引进行利于痕量元素激发的缓冲剂，从而提高了检测灵敏度。在高纯属生产过程中需要控制的主要杂质包括：碱金属、碱土金属、过渡族金属、放射性金属（U、Th）等。玄武区智能高纯度金属材料

产品的提炼纯度比较高。进口高纯度金属材料共同合作

中子活化分析法中子活化分析（NAA）的灵敏度高，准确度好，污染少，适用于高纯金属、地质样品、宇宙物质液体、固体等各类样品中超痕量金属的测定。特别是NAA的无损分析特性消除了多数其它痕量分析方法中可能破坏溯源链的**危险的环节一样品制备和溶解过程中可能带来的待测元素的污染或丢失。由于活化之后的放化操作可以加入载体和反载体以克服“**浓”行为和无需定量分离，因此由样品处理引起的污染和丢失危险远远低于其它方法。在约10n·cm·s的通量下，NAA从可测定周期表中的绝大多数元素，测定范围为1010g/g。NAA是目前***能够同时测定Cl、Br、I的***方法。为克服基体效应，进行预富集与方法分离对于NAA法也是非常必要的。进口高纯度金属材料共同合作

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