山西推广高纯度金属材料

高纯金属铬的特点是：主成分高（≥99.7%），杂质含量少，特别是气体氧、硫、氮含量低（C 0.025%、O 0.04%、N 0.003%、S 0.002%）。高纯金属铬主要用于电气的触头，其使用周期长，不发生打弧粘连现象；可用超级合金作添加剂生产飞机涡轮机的叶片，耐高温、抗氧化、抗振动、抗蠕变性能强；也用于做各种等离子和电子束溅喷的铬靶及电子行业的半导体、芯片等，在特色玻璃加工行业也得到广泛应用。国内高纯金属铬的生产厂家主要为沈宏公司，由于其采用的生产工艺不同，因此，其生产的金属铬中杂质硅含量较低，在0.1%以下，可以满足国内外市场对低硅金属铬的需求对化合物的分类，是研究化学物质分类的一个主要内容。山西推广高纯度金属材料

高纯金属材料的纯度一般使用差减法计算。差减法计算的杂质元索主要是金属杂质元素，并不包括C、O、N、H等间隙元索。但事实上，间隙元素的含量也是高纯金属材料分析检测的重要指标，一般需要单独列出。所以通常几个“9”(N的高纯金属，并不能真正地表达纯度，只有提供杂质元素和间隙元素的种类及其含量才能明确表达高纯金属的纯度水平。在高纯属生产过程中需要控制的主要杂质包括：碱金属、碱土金属、过渡族金属、放射性金属（U、Th）等。高纯金属材料化学分析是从高纯金属材料中获取化学组成、存在形态和信息的技术，为工业科技和生产服务，也是衡量工业科技和生产水平的重要标志。所以高纯金属的纯度检测应当以实际应用需要作为主要标准。例如目前工业电解钻的纯度一般接近99.99%，而且检测的杂质元素种类较少。无锡本地高纯度金属材料对贵金属而言，用中子活化分析灵敏度高的是Ir、Au和Rh。

纯度很高、 所含杂质常以百万分之几计算的金属。由于它们的性能与一般工业纯金属***不同，因而获得了特殊用途。例如制备半导体材料用的锗、铟、镓等金属要 求达到99.999%以上的纯度。高纯金属还大量用于科研领域。纯度要求更高的金属 (其中杂质含量甚至降至十亿分之一以下) 称为 “超纯金属”。高纯金属(iHhgPuriytMetals)是现代多种高新技术的综合产物。随着半导体技术、宇航、无线电科技等的发展，对金属纯度要求越来越高，也**促进了高纯金属生产的发展。因为在金属未能达到一定纯度的情况下，金属特性往往会被杂质所掩盖，所以痕量杂质甚至超痕量杂质的存在都会影响金属的性能。例如过去钨曾被用作灯泡的灯丝，由于脆性而使处理上有困难，但在适当提纯之后，这种缺点即可以克服(钨丝也有掺杂及加工问题)。

电感耦合等离子体质谱法电感耦合等离子质谱法(InductivelyCoupledplasmaMassspcetromeytr，ICP-MS)是以ICP为离子源，结合质谱仪进行分析检测的无机质谱分析技术。ICP-MS综合了等离子体高离子化能力和质谱高分辨、高灵敏度及连续测定多元素的优点，检出限可低至0.001-0.1ng/mL，测定范围广，能达到5-6个数量级，是高纯金属中ng/g量级杂质元素痕量分析的重要方法。ICP-MS测定高纯金属中痕量杂质元素时，选择恰当的待测元素同位素是很重要的。一般而言，同量异位干扰比多原子干扰严重,氧化物干扰比其他多原子干扰严重。因此，选择同位素总的原则是：若无干扰，选择丰度比较高的同位素进行测定；如果干扰小，可用干扰元素进行校正；如果干扰严重，则选择丰度较低的没有干扰的同位素进行测定。目前在高纯金属分析测试中常用的方法有：外标法、内标法、标准加入法和同位素稀释法等。可以把化合物分为有机化合物和无机化合物。

但是由于ICP-MS主要采用溶液进样，容易引入外界污染，液体进样带来的基体干扰也比较严重，空白值较高，前处理时间较长，样品的整个分析速度难以完全令人满意。采用一些分离富集手段和一些前处理方式，能够更好地使其满足高纯金属样品的分析测试需求。如激光烧蚀样品技术(LA)与ICP-MS的联用能够**减少了样品前处理的时间。然而，由于缺少相应的固样标准样品，该法的精密度和准确度还有待于进一步的提高，目前多用于快速分析或成分简单、分布均一的样品。通过与离子色谱(IC)联用分离高纯金属基体，并采用膜去溶装置吹扫溶剂蒸汽，能够有效降低相关杂质元素的检出限。此外，使用流动注射进样(FI)能够克服ICP-MS要求可溶性固体(TDS)含量低的缺点，还能克服基体效应，是一种非常好的分析测试手段。所谓的“高纯”和“超纯”具有相对的含义，是指技术上达到的标准。盐城高科技高纯度金属材料

由于它们的性能与一般工业纯金属不同，因而获得了特殊用途。山西推广高纯度金属材料

ICP-AES的不足之处在于：(1) ICP-AES法的光谱干扰较严重,谱线与谱图也较为复杂；(2) ICP-AES法的检出限还不够低，不能完全满足4N及其以上高纯金属的分析测试需要；(3)ICP-AES法采用液体溶样进样方式，容易带入污染；(4) ICP-AES法的基体干扰较严重，特别是许多高纯样品的分析测试需要分离基体，使得整个分析测试过程较为繁琐。虽然ICP-AES法直接检测较高纯度的高纯金属中痕量杂质元素目前还有一定困难，但其仍然是高纯金属杂质元素测定**常用的方法之一。目前通过将微柱分离、电热蒸发(ETV)、超声雾化等技术与ICP-AES联用，能满足部分高纯样品的分析测试需要山西推广高纯度金属材料

江阴赛福电子材料有限公司在同行业领域中，一直处在一个不断锐意进取，不断制造创新的市场高度，多年以来致力于发展富有创新价值理念的产品标准，在江苏省等地区的电子元器件中始终保持良好的商业口碑，成绩让我们喜悦，但不会让我们止步，残酷的市场磨炼了我们坚强不屈的意志，和谐温馨的工作环境，富有营养的公司土壤滋养着我们不断开拓创新，勇于进取的无限潜力，江阴赛福电子材料供应携手大家一起走向共同辉煌的未来，回首过去，我们不会因为取得了一点点成绩而沾沾自喜，相反的是面对竞争越来越激烈的市场氛围，我们更要明确自己的不足，做好迎接新挑战的准备，要不畏困难，激流勇进，以一个更崭新的精神面貌迎接大家，共同走向辉煌回来！